三重大学 研究基盤推進機構 半導体・デジタル未来創造センター
三重大学大学院 工学研究科 電子情報工学専攻
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半導体結晶先端解析研究室
姚・大西研究室
研究室紹介
研究室紹介
本研究室では、次世代の省エネルギー社会を支えるパワーデバイス、特にその基盤となる半導体単結晶材料の欠陥研究に取り組んでいます。SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）、Ga₂O₃ （酸化ガリウム）といった次世代のワイドギャップ半導体に注目し、それらの結晶に含まれる格子欠陥（原子位置のずれ）の高精度な評価を進めています。これらの欠陥はデバイスの性能や信頼性に大きく影響を与えるため、先端的な放射光X線イメージングや顕微鏡観察技術、オペランド観測技術、機械学習を駆使して詳細に解析しています。材料科学とデバイス工学の知見を融合し、より高効率・高耐圧・高信頼性なパワーデバイスの実現に貢献できることを目指しています。
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新着情報
新着情報
2026.6.11
姚教授が筆頭著者として執筆いたしました、放射光X線トポトモグラフィーを用いたβ-Ga2O3中の格子欠陥の3次元観察に関する論文がAppl. Phys. Lett.誌に掲載されました。
2026.5.22
姚教授が筆頭著者として執筆いたしました、OCCC法によって作製されたβ-Ga2O3バルク中の格子欠陥に関する論文がJ. Appl. Phys.誌に公開されました。
2026.5.21
姚教授が共著者である、LACBED法によるβ-Ga2O3結晶中の転位解析に関する論文がJpn. J. Appl. Phys. 誌に掲載されました。
2026.5.15
大西助教が筆頭著者として執筆いたしました、反射/透過放射光X線トポグラフィーによるGaN基板中の転位評価に関する論文がJ. Appl. Phys.誌に掲載されました。
2026.5.12
位相差顕微鏡を用いたGaN基板中の欠陥の3次元イメージングに関してプレスリリースが出されました。
2026.5.11
姚教授が筆頭として執筆いたしました、VB法で作製されたβ-Ga2O3 (011)基板の転位に関する論文をarXiVに投稿いたしました。
2026.5.7
2026年10月6日～9日にかけて長野で開催されるSi国際シンポジウムにて姚教授が、放射光XRTとTEMを用いたGaNの転位評価について招待講演を行います。
2026.4.29
姚教授が共著者である、LACBED法によるβ-Ga2O3結晶中の転位解析に関する論文をarXivに投稿いたしました。
2026.4.22
2026年4月21日に新田研と合同で新入生の歓迎会を行いました！詳しくはイベントをご覧ください。
2026.4.21
姚教授が筆頭として執筆いたしました、放射光X線トポトモグラフィーを用いたβ-Ga2O3中の格子欠陥の3次元観察に関する論文をarXiVに投稿いたしました。
2026.4.16
8月30日~9月3日にポーランド、ワルシャワで開催される半導体欠陥に関する国際会議 DRIP21にて大西助教が口頭発表を行います。
2026.4.15
姚教授が共著者である、位相差顕微鏡を用いたGaN基板中の転位観察に関する論文がAppl. Phys. Express誌に掲載されました。また、本論文はSpotlight論文に選ばれました。
2026. 4. 7
大西助教が筆頭著者として執筆した、反射/透過配置XRTを用いたGaN基板中の転位評価に関する論文をarXivに投稿いたしました。
2026. 4. 1
メンバーを更新しました。
2026. 4. 1
研究業績を更新しました。
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