3 게이트형 1T-TCAM (3 Gate Type one transistor - Ternary Contents Addressanle Memory)
우솔아, 박준영, 윤지연, 이태은, 손승원, 김수진, 임두혁
대한민국 – 출원번호: 10-2025-0083622 (2025.06.24)
도핑을 하지 않는 로직 반도체 소자 (DOPING-LESS LOGIC SEMICONDUCTOR DEVICE)
임두혁, 서윤아, 김학인 (Doohyeok Lim, Yuna Suh, and Hakin Kim)
대한민국 – 출원번호: 10-2024-0201718 (2024.12.31)
도핑을 하지 않는 메모리 반도체 소자 (DOPING-LESS SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE)
임두혁, 서윤아, 김학인 (Doohyeok Lim, Yuna Suh, and Hakin Kim)
대한민국 – 출원번호: 10-2024-0201717 (2024.12.31)
피드백 메커니즘을 활용한 n형 벌크 실리콘 메모리 소자 (N-type BULK SILICON MEMORY DEVICE USING FEEDBACK MECHANISM)
임두혁, 김학인, 김다온 (Doohyeok Lim, Hakin Kim, and Daon Kim)
대한민국 – 출원번호: 10-2024-0195438 (2024.12.24)
피드백 메커니즘을 활용한 p형 벌크 실리콘 메모리 소자 (p-type BULK SILICON MEMORY DEVICE USING FEEDBACK MECHANISM)
임두혁, 김학인, 김다온 (Doohyeok Lim, Hakin Kim, and Daon Kim)
대한민국 – 출원번호: 10-2024-0195404 (2024.12.24)
가상 도핑 기반 메모리 반도체 소자 (VIRTUAL DOPED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE)
임두혁, 서윤아, 김학인 (Doohyeok Lim, Yuna Suh, and Hakin Kim)
대한민국 – 출원번호: 10-2023-0190812 (2023.12.26) 등록번호: 10-2825348 (2025.06.23)
이진화된 신경망 연산을 수행하는 프로세싱 인 메모리 회로 및 프로세싱 인 메모리 회로 어레이 (PROCESSING-IN-MEMORY CIRCUIT AND PROCESSING-IN-MEMORY CIRCUIT ARRAY FOR BINARY NEURAL NETWORK)
임두혁 (Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2023-0191364 (2023.12.26)
실리콘 트랜지스터를 이용한 가변형 로직 인 메모리 소자 (Reconfigurable logic-in-memory device using silicon transistor)
김상식, 조경아, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2021-0102728 (2021.08.04) 등록번호: 10-2499699 (2023.02.09)
미국 – 출원번호: 17/412,485 (2021.08.26) 등록번호: 11469314 (2022.10.11)
대만 – 출원번호: 110131836 (2021.08.27) 등록번호: I795893 (2023.03.11)
단일 실리콘 소자를 이용한 스파이크 펄스 발생 회로 (Spike pulse generation circuit comprising single silicon device)
김상식, 조경아, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2020-0081116 (2020.07.01) 등록번호: 10-2321676 (2021.10.29)
미국 – 출원번호:17/168,395 (2021.02.05) 등록번호: 11,444,606 (2022.09.13)
중국 – 출원번호: 202110186225.0 (2021.02.08)
p-n-p-n 다이오드를 이용한 무전원의 뉴런 모방 회로 (Free-biased neuron devices and circuits using p-n-p-n diode)
김상식, 조경아, 박영수, 우솔아, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Youngsoo Park, Sola Woo, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2019-0145945 (2019.11.14) 등록번호: 10-2425488 (2022.07.21)
미국 – 출원번호:16/896,560 (2020.06.09) 등록번호: 11,531,872 (2022.12.20)
중국 – 출원번호: 202010583711.1 (2020.06.23)
단일 게이트의 피드백 전계효과 전자소자를 이용하는 축적 및 발화 뉴런회로 (Integrate-and-fire neuron circuit using single-gated feedback field-effect transistor)
김상식, 조경아, 우솔아, 임두혁, 박영수, 조진선 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Sola Woo, Doohyeok Lim, Youngsoo Park, and Jinsun Cho)
대한민국 – 출원번호: 10-2019-0103264 (2019.08.22) 등록번호: 10-2499691 (2023.02.09)
미국 – 출원번호:16/686,406 (2019.11.18) 등록번호: 11,699,721 (2023.07.11)
중국 – 출원번호: 201911132679.9 (2019.11.19) 등록번호: ZL201911132679.9 (2024.10.22)
휘발성 및 비휘발성 동작변환 가능한 피드백 전계효과 배열소자 및 이를 이용한 배열 회로 (Feedback field-effect array device capable of converting between volatile and non-volatile operations and array circuit using the same)
김상식, 조경아, 강현구, 조진선, 임두혁, 김윤중, 우솔아 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Hyungu Kang, Jinsun Cho, Doohyeok Lim, Yoonjoong Kim, and Sola Woo
대한민국 – 출원번호: 10-2018-0106118 (2018.09.05) 등록번호: 10-2118440 (2020.05.28)
미국 – 출원번호: 16/181,758 (2018.11.06) 등록번호: 10,643,699 (2020.05.05)
중국 – 출원번호: 201811307944.8 (2018.11.05) 등록번호: ZL201811307944.8 (2023.08.08)
로직 반도체 소자 (Logic semiconductor device)
김상식, 조경아, 김민석, 김윤중, 우솔아, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Minsuk Kim, Yoonjoong Kim, Sola Woo, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2016-0123389 (2016.09.26) 등록번호: 10-1857873 (2018.05.08)
PCT – 출원번호: PCT/KR2017/010324 (2017.09.20)
미국 – 출원번호: 15/870,092 (2018.01.12) 등록번호: 10,483,284 (2019.11.19)
피드백 루프 동작을 이용하는 피드백 전계효과 전자소자 및 이를 이용한 배열 회로 (Feedback field-effect electronic device using feedback loop operation and array circuit using feedback field-effect electronic device)
김상식, 조경아, 조진선, 임두혁, 우솔아 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Jinsun Cho, Doohyeok Lim, and Sola Woo)
대한민국 – 출원번호: 10-2018-0106114 (2018.09.05) 등록번호: 10-2132196 (2020.07.03)
미국 – 출원번호:16/181,669 (2018.11.06) 등록번호: 10,930,334 (2021.02.23)
중국 – 출원번호: 201811306760.X (2018.11.05) 등록번호: ZL201811306760.X (2023.10.03)
트랜스포져블 피드백 전계효과 전자소자 및 이를 이용한 배열 회로 (Transposable feedback field-effect electronic device and array circuit using the same)
김상식, 조경아, 조진선, 임두혁, 우솔아 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Jinsun Cho, Doohyeok Lim, and Sola Woo)
대한민국 – 출원번호: 10-2018-0106112 (2018.09.05) 등록번호: 10-2128718 (2020.06.25)
미국 – 출원번호:16/181,419 (2018.11.06) 등록번호: 10,643,690 (2020.05.05)
중국 – 출원번호: 201811315731.X (2018.11.06) 등록번호: ZL201811315731.X (2023.11.24)
반도체 소자 (Semiconductor device)
김상식, 조경아, 김민석, 김윤중, 우솔아, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Minsuik Kim, Yoonjoong Kim, Sola Woo, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2016-0123410 (2016.09.26) 등록번호: 10-1835231 (2018.02.27)
PCT – 출원번호: PCT/KR2017/010325 (2017.09.20)
미국 – 출원번호: 15/869,917 (2018.01.12) 등록번호: 10,515,982 (2019.12.24)
수직 반도체 컬럼을 구비한 듀얼 게이트 메모리 소자 (Dual gate semiconductor memory device with vertical semiconductor column)
김상식, 전영인, 김민석, 임두혁 (Sangsig Kim, Youngin Jeon, Minsuk Kim, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2016-0057961 (2016.05.12) 등록번호: 10-1896759 (2018.09.03)
미국 – 출원번호: 15/185,388 (2016.06.17) 등록번호: 9837155 (2017.12.05)
수직 반도체 컬럼을 구비한 메모리 소자 (Semiconductor memory device with vertical semiconductor column)
김상식, 조경아, 김민석, 김윤중, 임두혁 (Sangsig Kim, Kyoungah Cho, Minsuk Kim, Yoonjoong Kim, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2016-0042424 (2016.04.06) 등록번호: 10-1804666 (2017.11.28)
PCT – 출원번호: PCT/KR2016/015400 (2016.12.28)
반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법 (Semiconductor device and method of fabricating same)
김상식, 전영인, 김민석, 임두혁 (Sangsig Kim, Youngin Jeon, Minsuk Kim, and Doohyeok Lim)
대한민국 – 출원번호: 10-2014-0103160 (2014.08.11) 등록번호: 10-1602911 (2016.03.07)
미국 – 출원번호: 10-1602911 (2015.01.23) 등록번호: 9614067 (2017.04.04)