Activities

Scheduled Invited Talks

• 寒川義裕、「成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション2024」、10th CIRFE Symposium：エピタキシャル成長の量子論、名古屋大学、2024.09.27.

Previous Invited Talks

• 寒川義裕、「結晶成長プロセスインフォマティクス」、第７回結晶成長基礎セミナー：化合物半導体のエピタキシャル成長〜基礎理論から産業分野への展開〜、大阪大学、2024.06.11.

• 寒川義裕、「半導体化学気相成長のプロセスモデリング」、日本金属学会九州支部 日本鉄鋼協会九州支部 2024年度春季講演会（湯川記念講演会）、オンライン、2024.04.19.

• 寒川義裕、「化学気相成長におけるプロセスインフォマティクス〜現状と将来展望〜」、（独）日本学術振興会 R031ハイブリッド量子ナノ技術委員会第15回研究会（特別企画）「AIと科学技術・社会」、東京大学（ハイブリッド開催）、2024.3.12.

• 寒川義裕、「III族窒化物MOVPEにおける表面再構成と点欠陥安定性の相関解析」、一般社団法人GaNコンソーシアム2023年度結晶・評価WG研究会（第1回）、名古屋大学、2023.12.18.

• 寒川義裕、「GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展」、化学工学会CVD反応分科会第37回シンポジウム「CVDと薄膜の計算科学」、東京 / Online、2023.3.13.

• 寒川義裕、「Process Informaticsー半導体化学気相成長の科学」、学習院大学寄附講座シンポジウム「X-Informaticsーデータサイエンスの巡り合い」、学習院大学、2023.02.18.

• [基調講演] 寒川義裕、「窒化物半導体プロセスインフォマティクスの開拓」、日本材料学会 ナノ材料部門委員会・ 半導体エレクトロニクス部門委員会 合同研究会、京都大学、2022.11.19.

• [Tutorial] 寒川義裕、「半導体材料開発の新機軸〜プロセス・インフォマティクス〜」、ワイドギャップ半導体学会第10回研究会（チュートリアル講演会）、ウインク愛知、2022.10.06-07.

• 寒川義裕、「窒化物半導体エピタキシーにおける不純物混入機構の理論解析」、第35期コンピュータによる材料開発・物質設計を考える会（Computer aided Materials and Molecular Desigin Forum: CAMM）フォーラム本例会、オンライン、2022.02.04.

• [Plenary] Mauro Boero, Kana Ishisone, Kieu My Bui, Atsushi Oshiyama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Computics driven methods and applications to innovative materials for next-generation devices, IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, Nagoya / Online, 2022.01.11-13.

• [Keynote] Akira Kusaba, Application of Machine Learning Methods to More Quantitative GaN MOVPE Modeling, IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, Nagoya / Online, 2022.01.11-13.

• Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, and Yoshihiro Kangawa, First-principles calculation of optical properties of III-V nitride semiconductors, IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, Nagoya / Online, 2022.01.11-13.

• 寒川義裕、「窒化物半導体の薄膜成長におけるプロセスインフォマティクス 」、結晶工学×インフォマティクスセミナー（第26回結晶工学セミナー、第3回インフォマティクス応用研究グループ研究会）オンライン、2021.11.16.

• 寒川義裕、「プロセス・インフォマティクスの新機軸：窒化物半導体MOVPEにおける取り組み」、学振R032委員会第2回研究会、オンライン、2021.8.6.

• Yoshihiro Kangawa, Impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE: ab initio-based approach, SPIE Photonic West OPTO, San Francisco, 2021.03.06-11.

• Pawel Kempisty, Konrad Sakowski, Akira Kusaba, and Yoshihiro Kangawa, Quantitative compatibility of ab initio thermodynamics with real growth processes of III nitrides semiconductors, The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Online, 2021.03.01-04. 

• [Keynote] Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, More quantitative prediction of III-nitride growth: theoretical and data-driven approaches, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), Online, 2021.01.19_21. 

• [Keynote] Pawel Kempisty, Stanislaw Krukowski, and Yoshihiro Kangawa, Ab initio atomistic thermodynamics of pseudo-hot surfaces in the context of GaN growth and doping, International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs2021), Online, 2021.01.19_21. 

• Yoshihiro Kangawa, Modeling semiconductor epitaxy for next generation power device application, IMI Workshop on Fiber Topology Meets Applications, Fukuoka/Online, 2021.01.05-08. 

• 寒川義裕、「窒化物半導体プロセス・インフォマティクス：不純物混入の抑制」、第49回薄膜・表面物理基礎講座、オンライン、2020.11.13.

• 寒川義裕、「窒化物半導体成長プロセスの理論解析：不純物混入機構」、日本物理学会2020年秋季大会、オンライン、2020.09.08-11.

• 寒川義裕、「不純物混入と深紫外デバイス特性の相関」、2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン、2020.09.08-11

• 中野崇志、原嶋庸介、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩、「らせん転位とMg不純物との複合体を含むGaNの第一原理電子構造解析」、第67回応用物理学会春季学術講演会、上智大学、2020.03.12-15.

• 寒川義裕、「未来材料開拓に向けた相界面制御」、第48回結晶成長国内会議(JCCG48)、阪大、2019.10.30-11.1

• Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE, The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38), Nara, 2019.10.9-11

• Yoshihiro Kangawa, Unintentional doping in GaN MOVPE: A new theoretical model, 1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes, Berlin, 2019.8.26-8.30

• Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Kenji Shiraishi, A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism, 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13), Bellevue, Washington, 2019.7.7-12.

• 寒川義裕、「窒化物半導体成長モデリングの進展：不純物混入機構の考察」、第11回九大2D物質研究会（後援：表面真空学会九州支部）、福岡、2019.2.22.

• Yoshihiro Kangawa, Ab initio-based approach to crystal growth of nitride semiconductors: alloy composition and impurity concentration, 4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-4), Sendai, 2018.11.17-20.

• 寒川義裕、「GaN MOVPEにおける炭素取込み機構の考察」、第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）ナノエピ分科会シンポジウム、"窒化物半導体エピタキシーの基礎"、仙台、2018.10.31-11.02.

• Yoshihiro Kangawa, Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Ab initio based-approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE, The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology, Osaka, 2018.10.21-24.

• Yoshihiro Kangawa, Influence of surface reconstruction on the impurity incorporation in GaN MOVPE, Mathematical Aspects of Surface and Interface Dynamics 16, Tokyo, 2018.10.17-19.

• Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE, ISGN-7, Warsaw, 2018.08.05-10.

• Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling, ICMOVPE-XIX, Nara, 2018.06.03-08.

• 寒川義裕、「電子材料開発における計算科学の進展（Advances in computer science for electronic materials development）」、佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター講演会、佐賀、2018.06.01.

• [Tutorial] Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, Modeling and process design of III-nitride MOVPE, LEDIA'18, Yokohama, 2018.04.23-27.

• Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu, Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE, LEDIA'18, Yokohama, 2018.04.23-27.

• Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction, SPIE Photonics West OPTO, San Francisco, USA, 2018.01.27-02.01.

• 寒川義裕、白石賢二、芳松克則、柿本浩一、「GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析」、日本学術振興会 第162委員会 第105回研究会、四ツ谷 主婦会館、2017.10.06.

• [チュートリアル] 寒川義裕、芳松克則，白石賢二，柿本浩一、「窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題」、第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、北海道大学、2017.07.13-15.

• Y. Kangawa, Innovation of AlN solution growth technique, Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP 2016), Session 5-1, Hsinchu, Taiwan, 2016.10.30-11.02.

• Y. Kangawa, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu, Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction, International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016), D2.1.02, Orlando FL, USA, 2016.10.02-07.

• Y. Kangawa, First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes, 2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course, A-5, Tsukuba, 2016.09.26

• 寒川義裕、白石賢二、柿本浩一、「GaN結晶成長シミュレーションの新展開： 第一原理計算に基づくアプローチ」、第77会応用物理学会秋季学術講演会（新潟）2016.09.14.

• 寒川義裕、「半導体材料の結晶成長～表面反応に関して第一原理計算と熱力学解析の視点から～」、第29期CAMMフォーラム１月例会、講演②、表参道、2015.

• K. Kakimoto, B. Gao, Sh. Nishizawa, S. Nakano, H. Harada, Y. Miyamura, T. Sekiguchi, Y. Kangawa, Modelling of Crystal Growth: Macro and Atomic Scale Analysis, IWMCG-8, Radisson Blu. Balmoral Hotel, Spa, Belgium, 2015.

• 寒川義裕、柿本浩一、「InN加圧MOVPEにおけるファセット面制御によるポリタイプ制御」、第45回結晶成長国内会議、19aA07、北海道大学、2015.

• K. Kakimoto, B. Gao, Sh. Nishizawa, S. Nakano, Y. Kangawa,Collaboration of atomic and macro scale calculations: polytype and defect control of wide bandgap material, 5th European Conference on Crystal Growth, Bologna, Italy, 2015.

• Y. Kangawa, H. Miyake, M. Boćkowski, K. Kakimoto, Development of in situ observation system for liquid/solid interface during solution growth of AlN, Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP2015), Bulk Crystal Talk 4, Fukuoka, 2015.

• 寒川義裕、「窒化物半導体結晶成長用基板表面の第一原理計算による考察」、日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」第94回研究会、講演5、四ツ谷、2015.

• 柿本浩一、Bing Gao、Xin Liu、中野　智、原田博文、宮村佳児、関口隆史、寒川義裕、「太陽電池用シリコンの現状と将来」、第61回応用物理学会春季学術講演会、青山学院大学相模原キャンパス、2014.

• Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical aspects in growth of In-rich InGaN, SPIE Photonics West, OPTO, Session 3: Growth III [9363-10], San Francisco, CA, USA, 2015.

• Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical approach to growth mechanisms of InN by vapor phase epitaxy, 2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2), Sendai, 2014.

• 寒川義裕、「電力変換の高効率化に向けた次世代パワーデバイス用AlN結晶の開発」、九州大学共進化社会システム創成拠点フォーラム、7A-8、市ヶ谷、2014.

• Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto, Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method, 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors, TU4-3, Kloster Seeon, Bavaria, Germany, 2013.

• M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto, Structural controllability of C cluster by template effect of SiC step, 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Topical Session 7, Warsaw, Poland, 2013.

• Y. Kangawa, Innovation on solution growth technique of bulk AlN, Colloquim at Fraunhofer IISB, Erlangen, Germany, 2013.

• Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Dislocation propagation behavior in AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, 18a-M6-1, Doshisha University, Kyoto, Japan, 2013.

• 寒川義裕、「固体窒素原料を用いたAlN溶液成長法の開発」、資源・素材学会 平成25年度春季大会、3105、千葉工大、2013.

• 寒川義裕、「太陽電池用III族窒化物半導体の成膜プロセスの理論検討」、第5回半導体デバイス若手ワークショップ、宮崎市、2013.

• 寒川義裕、「創エネ・省エネに向けた窒化物半導体材料開発」、第28回太陽光発電プロジェクト講演会、宮崎大学、2013.

• T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto, The role of the topmost N-H layer for In incorporation during InGaN MOVPE growth, 2012 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), Orlando, USA, 2012.

• J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto, A. Koukitu, Theoretical analysis for N incorporation in GaAsN grown by vapor phase epitaxy, 2012 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG), Orlando, USA, 2012.

• 屋山 巴、寒川義裕、柿本浩一、「MOVPE成長条件下におけるInN(10-11)面の表面構造に関する理論検討」、第42回結晶成長国内会議（結晶成長基礎・評価分科会シンポジウム）、九州大学、2012.

• 寒川義裕、川野 潤、Hubert Valencia、柿本浩一、「太陽電池用窒化物エピタキシャル成長機構の理論検討」、第42回結晶成長国内会議（ナノ構造・エピ成長分科会シンポジウム）、九州大学、2012.

• 寒川義裕、柿本浩一、「量子論的アプローチによる表面状態図の作成」、第36回結晶成長討論会、唐津、2012.

• Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Applicability of solid-source solution growth (3CG) method to the AlN bulk growth, Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors, Topics IV, Tohoku University, 2012.

• [ランプセッション パネリスト] Y. Kangawa, Influence of substrate orientation on In incorporation efficiency of InGaN grown by MOVPE, 16th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-16), Rump Session I, Busan, Korea, 2012.

• 寒川義裕、柿本浩一、「AlN厚膜成長技術の提案～固体ソース溶液成長法～」、第4回窒化物半導体結晶成長講演会、東京大学、2012.

• 寒川義裕、「オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援－固体ソース溶液成長法によるAlN単結晶の作製－」、第59回応用物理学関係連合講演会シンポジウム、早稲田大学、2012.

• 寒川義裕、「固体ソース溶液成長法により作製したAlN厚膜中の微細組織」、阪大産研第3回若手セミナー、大阪大学、2012.

• 寒川義裕、柿本浩一、「固体ソースAlN溶液成長技術の提案」、第154回KASTECセミナー、九州大学、2012.

• 寒川義裕、柿本浩一、「固体原料を用いたAlN溶液成長の提案」、第41回結晶成長国内会議（ナノ構造・エピ成長分科会シンポジウム）、筑波、2011.

• Y. Kangawa, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto, Two-phase-solution growth of AlN on self-nucleated AlN crystal, 7th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS-7), Koyasan, Wakayama, 2011.

• J. Kawano, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Prediction of N composition in coherently grown GaAsN thin films for multi-junction solar cell, 3rd Super High Efficiency Solar Cell Workshop, Miyazaki, 2010.

• Y. Kangawa, K. Kakimoto, Possibility of AlN growth using Li-Al-N solvent, 6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI), Galindia Mazurski Eden, Polamd, 2009.

• K. Ikeda, Y. Kangawa, K. Kakimoto, Structural stability of strained GaAsN layer in multi-junction solar cell, 2nd Super High Efficiency Solar Cell Workshop, Fukuoka, 2009.

• Y. Kangawa, K. Kakimoto, Theoretical approach to control of In composition in InGaN for multijunction solar cells, 1st Super High Efficiency Solar Cell workshop, Toyota, 2009.

• 寒川義裕、伊藤智徳、纐纈明伯、柿本浩一、「窒化物半導体エピ成長の条件最適化に向けた理論予測」、日本学術振興会第161委員会（第57回研究会）／第162委員会（第59回研究会）合同研究会、東京、2008.

• 寒川義裕、伊藤智徳、熊谷義直、纐纈明伯、Influence of lattice constraint from substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MBE and MOVPE、21世紀COE「ナノ未来材料」拠点ナノリアクター＆ナノエレクトロニクスシンポジューム、東京農工大学、2003.

• 寒川義裕、「気相－固相反応から見たIII-V族化合物半導体エピタキシャル成長」、第27回結晶成長討論会、志賀高原プリンスホテル、2002.

• Y. Kangawa, T. Ito, A. Mori and A. Koukitu, Empirical potential approach to thermodynamic stability of thin nitride films, Frontier Science Research Conferences -Science and Technology of Nitride Materials 2001-, La Jolla, California, USA, 2001.

• 若手奨励賞（服部健雄賞）、EDIT29（電子デバイス界面テクノロジー研究会）、長嶋佑哉（名大白石研）、2024.01

• 第19回奨励賞、日本結晶成長学会、草場彰、2021.10.28

• The Best Short Presentation Awards, ISPlasma2021/IC-PLANTS2021, Daichi Yosho, Yoshihiro Kangawa, Surface coverage of impurities during GaN and AlN MOVPE, Online, 2021.3.7-11. 

• 学生ポスター賞、第49回結晶成長国内会議（JCCG-49）、用正大地、新宅史哉、稲富悠也、寒川義裕、岩田潤一、押山 淳、白石賢二、田中敦之、天野浩、「微傾斜m-GaN MOVPEにおける酸素混入機構：量子論に立脚したBCFモデル」、オンライン、2020.11.9-11.

• 発表奨励賞、第12回ナノ構造エピタキシャル成長講演会、用正大地、新宅史哉、稲富悠也、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩、「微傾斜m(101 ̅0)面GaN-MOVPEにおける酸素混入のモデリング」 、オンライン、2020.07.30-31.

• 服部賞、電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第25回研究会)、中野崇志、原嶋庸介、大河内勇斗、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩、「GaN薄膜におけるらせん転位およびMg不純物と電子物性の相関：第一原理計算に基づく理論解析」、三島、2020.01.31-02.01.

• 学生ポスター賞、第48回結晶成長国内会議、稲富悠也、寒川義裕、「窒化物半導体におけるステップバンチング発生機構の解明」、大阪、2019.10.30-11.01.

• 講演奨励賞、第80回応用物理学会秋季学術講演会、中野崇志、原嶋庸介、長川健太、洗平昌晃、白石賢二、押山淳、草場彰、寒川義裕、田中敦之、本田善央、天野浩、「らせん転位およびMg不純物を含むGaNの電子構造解析」、北海道大学、2019.9.21

• 若手ポスター賞、第42回結晶成長討論会、稲富悠也、寒川義裕、「吸着原子の拡散距離が表面モフォロジーに与える影響」、大阪、2019.8.29

• 発表奨励賞、第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、新宅史哉、寒川義裕、岩田潤一、押山淳、白石賢二、田中敦之、天野浩、「m面GaN-MOVPEにおける酸素混入量の基板傾斜方向依存性の理論解析」、広島、2019.6.13-15

• The CSW Best Student Paper Award, Compound Semiconductor Week 2019, "Electronic structure analysis of core structures of threading dislocations in GaN", Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Nara,2019.05.19-23

• EMS賞（37th Electronic Materials Symposium）、稲富悠也、長浜、2018.10.12

• LEDIA Student's Paper Award, Yamaguchi Masahito Award, Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu, "Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE", Yokohama, 2018.04.27.

• APEX/JJAP Editorial Contribution Award, Yoshihiro Kangawa, 2018.03.17

• 第46回結晶成長国内会議 学生ポスター賞（日本結晶成長学会）、草場 彰、李冠辰、マイケル・ヴォン・スパコフスキー、寒川義裕、柿本浩一、「GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング：付着係数の理論解析」、浜松、2017.11.29

• Outstanding Presentation Award of International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), "Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State", A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu., Nagoya, 2017.10.1.

• 第9回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞、稲富悠也、寒川義裕、伊藤智徳、柿本浩一、"AlInN薄膜における格子不整合と組成取込み効率の相関"、2017.07.14.

• Scientific Award of Polish Society for Crystal Growth of the 2016, Pawel T. Kempisty （名大 特任助教）, 2016.10.19.

• Photo Contest Award in The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Y. Kangawa, 2016.08.12.

• 平成27年度 九州大学 学生表彰、草場彰、2016.03.25.

• Young Scientist Award, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), A. Kusaba, Y. Kangawa, Y. Honda, H. Amano, K. Kakimoto, "Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE", 2015.11.12.

• Poster Prize of Italian Association of Crystallography (AIC), Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG5), A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, K. Kakimoto, "Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approac", 2015.9.10.

• 第7回 窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞、屋山 巴，岡田 晋，知京豊裕、"カーボンナノチューブ電極・GaN-(0001)面界面における電子状態", 2015.05.08.

• 第7回 窒化物半導体結晶成長講演会 発表奨励賞、草場彰、寒川義裕、柿本浩一、"InN 加圧 MOVPE 成長における成長形と異相混入：表面エネルギーの理論解析", 2015.05.08.

• 第22回日本金属学会若手講演論文賞、”1173 KにおけるNa2O-B2O3 系溶融塩のFe2O3 , Cr2O3溶解度測定”、土岐隆太郎（修士（2011年度修了））ほか（新日鐵住金(株)）、2015.03.

• 第31回 論文賞（日本結晶成長学会）、対象論文： Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama, "Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach", Materials 6 (2013) pp. 3309-3360、2014.11.

• 第9回　奨励賞（日本結晶成長学会）、川野 潤（学術研究員／特任助教）（現在：北海道大学 准教授）2011.11.

• 研究活動表彰（九州大学）、寒川義裕、2011.11.

• 第31回EMS賞（31st Electron Materials Symposium, Laforet Shuzenji, Izu, Japan）、屋山 巴（博士）、2011.07.

• 研究活動表彰（九州大学）、寒川義裕、2010.11.

• 研究・産学連携活動表彰（九州大学）、寒川義裕、2009.05.

• 第24回 EMS賞（24th Electronic Materials Symposium）、寒川義裕、2005.07.

• 第2回 奨励賞　（日本結晶成長学会）、対象論文： Y. Kangawa, T. Ito, Y. S. Hiraoka, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, "Theoretical approach to influence of As2 pressure on GaAs growth kinetics", Surf. Sci. 507-510 (2002) 285-289、2004.08.

• 放談賞（第27回結晶成長討論会）、寒川義裕、2002.08.

• 優秀発表賞（学生）（平成11年度(社)日本鉄鋼協会九州支部、(社)日本金属学会九州支部 合同学術講演会）、対象講演： 寒川義裕、桑野範之、沖 憲典、「InGaAs/(110)InP混晶におけるCuAu-I型規則化メカニズムの原子間ポテンシャルによる解析」、1999.06.

• 第1回 講演奨励賞（第57回応用物理学会学術講演会 (社)応用物理学会）、対象講演： 寒川義裕、桑野範之、沖 憲典、「III-V族半導体混晶におけるTP-A型規則化のモンテカルロ法による解析」、1996.11.

Current Research Projects

• 2024-2027 [代表：寒川] 科研費 基盤Ａ、"半導体化学気相成長の科学"（24H00432）

• 2023.06-2026.03 [代表：寒川] EIG CONCERT-Japan: Design of Materials with Atomic Precision、"Atomic-level control of AlGaN hetero-interfaces for deep-UV LED (AtLv-AlGaN)"

• 2022-2024 [分担：寒川] 科研費 基盤Ｂ、"窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用"、代表者：三宅秀人（三重大学）

Accomplished Research Projects

• 2020-2023 [代表：草場] 科研費 若手研究、"表面再構成インフォマティクスによる大規模周期構造の探索"

• 2020-2022 [代表：草場] JST ACT-X、"次世代半導体開発におけるプロセス設計の革新"

• 2020-2022 [分担：寒川] 文部科学省「富岳」成果創出加速プログラム、"省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション"、代表者：押山淳（名古屋大学）

• 2016-2021 [研究参加者：寒川] JST-CREST、”深紫外領域半導体レーザの実現と超高濃度不純物・分極半導体の研究”、代表者：岩谷素顕（名城大学）

• 2016-2020 [分担：寒川] 日本学術振興会 新学術領域研究（研究領域提案型）、特異構造の結晶科学～完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス～”計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計”、代表者：伊藤智徳（三重大学）

• 2016-2020 [分担：寒川]（クロスアポイントメント）、文部科学省 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発（中核拠点：主課題c）"インテリジェント・マニュファクチャリング実現のための結晶成長過程コンピュータシミュレーション技術の構築"、代表者：天野浩（名古屋大学）

• 2017.01-2020.11 [分担：寒川] European Commission, Directorate-General for Research (DG RTD), HORIZON 2020 project, "Innovation Reliable Nitride based Power Devices and Applications", Gaudenzio Meneghesso (Univ. Padova, Italy)

• 2016-2020.11 [分担：寒川] 日－EU戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)、”革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用”、代表者：三宅秀人（三重大学）

• 2018-2019 [分担] JST A-step、大口径GaN基板の高品質・低コスト化を可能にする結晶径拡大成長技術の開発、サイオクス／東京農工大学

• 2017-2019 [代表] 科学研究費補助金 基盤研究(C)、”自己組織化による窒化アルミニウム結晶薄膜の創製”

• 2018 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）、”窒化物半導体成長プロセスの基板面方位依存性"

• 2016 [代表] 物質・デバイス領域共同研究拠点（展開共同研究A）、”AlN固体ソース溶液成長における成長機構と材料物性の相関に関する研究”

• 2016 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）、”InN加圧MOVPEにおける結晶成長プロセスに関する研究”（継続）

• 2015-2016 [分担] NEDO高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発、「超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発（高効率・低コストIII-V/Siタンデム）」“III-V-N系半導体における欠陥構造・特性の理論解析”、代表者：山口真史（豊田工業大学）

• 2013-2015 [代表] JSPS科学研究費補助金 基盤研究（Ｃ）、”窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム単結晶成長技術の開発”

• 2015 [代表] 物質・デバイス領域共同研究拠点（一般研究）、”固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定”（継続）

• 2015 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）、”InN加圧MOVPEにおける結晶成長プロセスに関する研究”

• 2014 [代表] JSPS二国間交流事業 研究者交流（特定国派遣研究者）、”固体窒素原料を用いた窒化アルミニウム溶液成長法の開発”、受入機関：ポーランド科学アカデミー高圧物理学研究所、受入研究者：Izabella Grzegory所長

• 2008-2014 [分担] NEDO革新的太陽光発電技術研究開発（革新型太陽電池国際研究拠点整備事業）、「ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発（集光型多接合）」“III-V-N系半導体成長シミュレータの研究開発”、代表者：山口真史（豊田工業大学）

• 2014 [代表] 物質・デバイス領域共同研究拠点（一般研究）、”固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定”（継続）

• 2014 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）、InN高圧MOVPEにおける異相混入の抑制に関する理論検討

• 2013 [代表] 物質・デバイス領域共同研究拠点（一般研究）、固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定

• 2013 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究（一般研究）、”高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明”（継続）

• 2011-2013 [分担] 科学研究費補助金 基盤研究（Ａ）、”グラフェンナノ構造の作製と構造－物性相関”、代表者：田中 悟（九州大学）

• 2012 [代表] 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費（一般研究）、”高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明”

• 2008-2011 [代表] JST戦略的創造研究推進事業（さきがけ）、「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」”オンチップ光配線用窒化物基板の創製とシステム熱設計支援”

• 2008-2010 [分担] 科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）、”表面構造制御法開発による準安定立法晶III族窒化物半導体の創製と物性制御”、代表者：大鉢 忠（同志社大学）

• 2009 [分担] JST革新的技術推進費、”超高効率太陽電池開発の加速・強化～窒化物半導体成長シミュレーターの研究開発～”、代表者：中野義昭（東京大学）

• 2007-2009 [分担] 科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）、”動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製”、代表者：柿本浩一（九州大学）

• 2005-2007 [分担] 科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）、”第３元素の占有個所を特定する結晶ナノ構造解析と機能特性発現の解明”、代表者：桑野範之（九州大学）

• 2003-2005 [分担] 科学研究費補助金　基盤研究（Ｂ）、”原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー”、代表者：纐纈明伯（東京農工大学）

• 2004 [代表] 東京農工大学COE 「ナノ未来材料」融合研究、”Thermodynamic Study on Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of CdGeP2”

• 2003-2004 [代表] TUAT Young Research Fellowship II（COE若手研究奨励制度）、”赤色および赤外発光素子の作製に向けた窒化物半導体混晶の組成制御”

• 2002-2004 [分担] 経産省 産業技術研究助成事業 大学発事業創出実用化研究開発事業費、”アルミ（Al）系窒化物半導体の大型基板結晶成長装置の開発”、代表者：纐纈明伯（東京農工大学）

Forthcoming Conference / Workshops

• TBA

Previous Conferences / Workshops

• 現地実行委員長／実行副委員長、14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), 2023 (Fukuoka)

• 実行委員長、第9回講演会（応用物理学会先進パワー半導体分科会）、2022.12.19-21（福岡国際会議場）

• 論文副委員長、EMS-41、2022.10.19-21（橿原）

• プログラム副委員長、ISPlasma2022/IC-PLANTS2022、2022.03.06-10（オンライン）

• 実行委員長、IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022、2022.01.11-13（名古屋/online：ハイブリッド）

• 世話人、第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、2021.12.2-4（松山/online：ハイブリッド）

• 論文委員、EMS-40、2021.10.11-13（オンライン）

• プログラム委員、ISPlasma2021/IC-PLANTS2021、2021.03.07-11（名城大学）

• 現地実行委員長、The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), 2021.03.01-04（Online）

• 実行委員長、International Symposium on Widegap Semiconductor Growth, Process and Device Simulations 2021 (ISWGPDs 2021), January 19-21, 2021 (Online)

• 論文委員、EMS-39、2020.10.07-09（オンライン）

• 世話人、第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、2020.07.30-31（オンライン）

• 副実行委員長、The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'20), 2020.4.（Yokohama）

• 論文委員、EMS-38、2019.10.09-11（橿原）

• 幹事長、第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会、2019.6.13-15（広島）

• 副実行委員長、The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'19), 2019.4.23-25（Yokohama）

• 論文委員、ISPlasma2019/IC-PLANTS2019、2019.03.17-21（名古屋大学）

• 実行委員、International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)、2018.11.11-16（金沢）

• 論文委員、EMS-37、2018.11.08-11（長浜）

• 実行委員、ICMOVPE-XIX、2018.06.03-08（奈良）

• 論文委員、ISPlasma2018/IC-PLANTS2018、2018.03.04-08（名城大学）

• 現地実行委員長、IWUMD 2017、2017.11.14-18（福岡）

• 論文委員、EMS-36、2017.11.08-11（長浜）

• 組織委員、ICMaSS2017、2017.09.27-10.01（名古屋）

• 論文委員、International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials 2017 (ISPlasma2017)、2017.03（名古屋市）

• 論文委員、International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016)、2016.10（Orlando, Florida, USA）

• 実行委員、18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)、2016.08（名古屋市）

• 論文委員、35rd Electronic Materials Symposium (EMS-35)、2016.07（守山市）

• 論文委員、International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials 2016 (ISPlasma2016)、2016.03（名古屋市）

• 実行委員、6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)、2015.11（浜松）

• 論文委員、9th International Workshop on Bulk Nitrides Semiconductors (IWBNS-9)、2015.11（Wonju, Korea）

• 論文委員、34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)、2015.07（守山市）

• 論文委員・会計委員、33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)、2014.07（伊豆市）

• 実行委員、The 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting、2014.06（Jeju, Korea）

• 論文委員、6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2014)、2014.03（名古屋市）

• 世話人、第6回九大グラフェン研究会、2014.01（九州大学）

• 現地実行委員長、7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells (CSSC-7)、2013.10（九州大学）

• 現地実行委員、The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013)、2013.09-10（宮崎市）

• 論文委員・会計委員、32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32)、2013.07（守山市）

• 論文委員、40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013) / The 25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 2013)、2013.05（神戸市）

• 論文委員、5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2013)、2013.01-02（名古屋市）

• 世話人、第5回九大グラフェン研究会、2013.01（九州大学）

• 実行委員、第42回結晶成長国内会議 (NCCG-42)、2012.11（九州大学）

• 実行委員、International Workshop on Nitrides Semiconductor 2012 (IWN2012)、2012.10（札幌市）

• 現地実行委員、第36回結晶成長討論会、2012.09（唐津市）

• 論文委員、31st Electronic Materials Symposium (EMS-31)、2012.07（伊豆市）

• 世話人、第4回九大グラフェン研究会、2012.01（九州大学）

• 論文委員、30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)、2011.06（守山市）

• 実行委員、第3回窒化物半導体結晶成長講演会、2011.06（九州大学）

• 世話人、第3回九大グラフェン研究会、2011.02（九州大学）

• 実行委員、3rd Super High Efficiency Solar Cell Workshop (SHESC-3)、2010.10（宮崎市）

• 実行委員、第40回結晶成長国内会議 (NCCG-40)、2010.08（北京市、中国）

• 論文委員、29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)、2010.07（伊豆市）

• 世話人、第2回 炭素系ナノ構造に関する基礎研究、2010.01（九州大学）

• 実行委員、2nd Super High Efficiency Solar Cell Workshop (SHESC-3)、2009.12（西新プラザ）

• 世話人、低次元カーボン系材料の最新動向、2009.01（九州大学）

• 総務委員、27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)、2008.07（伊豆市）

• 実行委員、2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)、2008.07（伊豆市）

• 論文委員、4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)、2008.05（仙台市）

• 世話人、第２回 窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究、2008.04（九州大学）

• 実行委員、17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-17)、2007.12（福岡市）

• 世話人、窒化物半導体の結晶成長に関する基礎研究、2007.07（九州大学）

• 総務委員、26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)、2007.07（守山市）

• プログラム委員、第36回結晶成長国内会議 (NCCG-36)、2006.11（大阪大学）

• 論文委員、International Workshop on Nitrides Semiconductor 2006 (IWN2006)、2006.10（京都市、草津市）

• 出版委員、13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-13)、2006.05（宮崎市）

• 実行委員、第34回結晶成長国内会議 (NCCG-36)、2004.08（東京農工大学）

• 実行委員、5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5)、2003.05（奈良市）