PUBLICATIONS

1. JOURNALs

45) 홍석희, 이주성, 안호명, 구지훈, 김병철, ”제곱근 연산 횟수 감소를 이용한 Canny Edge 검출에서의 전력 소모개선“, 한국정보전자통신기술학회논문지, 13권 6호, 568-574, 2020

44) 김영미, 공헌, 김병철, 이현용, ”PRAM용 Cu-도핑된 Ge8Sb2Te11 박막의 특성“, 전기전자재료학회논문지, 32권 5호, 376-381, 2019

43) 이주성, 안호명, 김병철, ”저전력 특징추출 알고리즘의 구현을 위한 블록 유형 분류 기반 낮은 복잡도를 갖는 영상 이진화“, 한국정보전자통신기술학회논문지, 12권 3호, 179-185, 2019

42) 안호명, 이주성, 김병철, “140W 급-저면적 LED 전원 제어 회로 설계, 한국정보전자통신기술학회논문지, 11권 5호, 586-592, 2018

41) 김우석, 이주성, 안호명, 김병철, “저전력 영상 특징 추출 하드웨어 설계를 위한공통 부분식 제거 기법 기반 이미지 필터 하드웨어 최적화”, 한국정보전자통신기술학회논문지, 10권 2호, 192-197, 2017

40) Ho-Myoung An, Byungcheul Kim, “Investigation of Endurance Degradation in a CTF NOR Array Using Charge Pumping Methods”, Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 17, No. 1, 25-28, 2016

39) Dong-Won Lee, Ho-Myoung An, Byungcheul Kim, "Alternating Current Light Emitting Diode Lighting Technology with Improved Light Flicker", Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, Vol. 10, No. 2, 234-238, 2015. 4

38) 김병철, 김주연, 안호명, "SWCNT 다중채널 FET용 표면 프로그램된 APTES와 OTS 패턴을 이용한 공정에 대한 연구", 한국정보전자통신기술학회논문지, 8권 1호, 37-44, 2015. 2

37) 안호명, 서영호, 양원재, 김병철, "수소감지를 위한 고감도의 금속 나노선 센서에 관한 연구", 한국정보통신학회논문지, 18권 9호, 2197-2202, 2014. 9

36) 이동원, 김병철, "3상 교류전원 LED 램프의 광 플리커", 전기전자재료학회논문지, 27권 4호, 262-267, 2014. 4

35) Joo-Yeon Kim and Byungcheul Kim, "Design of Novel 1 Transistor Phase Change Memory", Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 15, No. 1, 37-40, 2014. 2

34) 이동원, 김병철, "고역률 LED 구동회로의 효율화에 관한 연구", 전기전자재료학회논문지, 26권 8호, 629-634, 2013. 8

33) Ho-Myoung An, Hee-Dong Kim, Byungcheul Kim, Tae Geun Kim, "A Four-Bit-Per-Cell Program Method with Substrate-Bias Assisted Hot Electron Injection for Charge Trap Flash Memory Devices", J. Nanosci. Nanotechnol. 13, 3293-3297, 2013

32) 김병철, 강창수, 이현용, 김주연, “4비트 SONOS 전하트랩 플래시메모리를 구현하기 위한 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍에 관한 연구”, 전기전자재료학회논문지, 25권 6호, 409-413, 2012. 06

31) 신재호, 김병철, 여종빈, 이현용, “PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변화 특성”, 전기전자재료학회논문지, 24권 12호, 982-987, 2011. 12

30) 신재호, 백승철, 김병철, 이현용, “PRAM을 위한 Aux (Ge2Sb2Te5)1-x (x=0, 0.0110, 0.0323, 0,0625) 박막의 상변화 특성”, 전기전자재료학회논문지, 24권 5호, 404-409, 2011. 05

29) 김병철, 전중창, “누전, 아크, 과부하에 의한 전기화재 제어 시스템 보드의 구현”, 한국해양정보통신학회논문지 15권 2호, 419-424, 2011. 02

2. PATENTs

10) 전원제어회로(10-1255190)

9) 전원회로(10-1104205)

1. JOURNALs

28) Ho-Myoung AN, Yongjie ZHANG, Hee Dong KIM, Yu Jeong SEO, Byungcheul KIM, Joo-Yeon KIM, Tae Geun KIM, “A direct observation of the distributions of local trapped-charges and the interface-states near the drain region of the Silicon- Oxide-Nitride-Oxide-Silicon device for reliable four-bit/ cell Operations”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 49, No. 11R, 2010. 11

27) 김병철, “화재방지제어 시스템 IC”, 한국해양정보통신학회논문지 13권 4호, 737-746, 2009. 04

26) 김병철, 김주연, “NAND 전하트랩 플래시메모리를 위한 p채널 SONOS 트랜지스터의 특성”, 전기전자재료학회논문지, 22권 1호, 7-11, 2009. 01

25) 김주연, 김문경, 김병철, 김정우, 서광열, “테라비트급 나노 스케일 SONOS 플래시 메모리 제작 및 소자 특성 평가”, 전기전자재료학회논문지, 20권 12호, 1017-1021, 2007. 12

24) S. -E. LEE, B. KIM, J.-Y. KIM, H.-M. AN, K.-Y. SEO, "Quantitative Analysis of Chemical Compositions in the Ultra-thin Oxide-Nitride-Oxide Stacked Films having Wet Oxidized Blocking Layer", Thin Solid Films, 515, 6915-6920, 2007. 7

23) S.-E. LEE, J.-Y. KIM, H.-M. AN, K.-Y. SEO, B. KIM, "Feasibility of Re-Oxidized Nitrided Oxide (RONO) as a Charge-Trapping Medium for the Non-Volatile Memory", Solid-State Electronics, 51, 1009-1013, 2007. 6

22) 김병철, 김형우, 서길수, "사이리스터 소자의 수명 예측을 위한 열화진단기술", 전기전자재료학회논문지, 20권 3호, 197-201, 2007. 3

21) Ho-Myoung An, Kwang-Yell Seo, Joo-Yeon Kim, Byungcheul Kim, "Realization of Two-bit Operation by Bulk-biased Programming Technique in SONOS NOR Array with Common Source Lines", Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 7, No. 4, 180-183, 2006. 8

20) Byungcheul Kim, "Spatial Distribution of Localized Charge Carriers in SONOS Memory Cells", International Journal of Maritime Information and Communication Sciences, Vol. 4, No. 2, 84-87, 2006. 6

19) 정원근, 이병로, 김병철, “양액 자동 공급 제어 시스템의 설계 및 구현”, 한국해양정보통신학회논문지, 9권 5호, 1059-1065, 2005. 8

18) 김주연, 김병철, 안호명, 이명식, 서광열, “CSL-NOR형 SONOS 플래시 메모리의 멀티비트 적용에 관한 조사”, 전기전자재료학회논문지, 18권 3호, 193-198, 2005. 3

17) B. Kim, J.-Y. Kim, K.-Y. Seo, “A New Charge-Trapping Nonvolatile Memory based on the Re-oxidized Nitrous Oxide”, Microelectronic Engineering, Vol. 77, Issue 1, 21-26, 2005. 1

16) 김병철, “소형 전원용 스위칭 파워 모듈”, 한국해양정보통신학회논문지, 8권 5호, 1068-1073, 2004. 8

15) H.-M. An, M.-S. Lee, K.-Y. Seo, B. Kim, J.-Y. Kim, “An investigation of locally trapped charge distribution using the charge pumping method in the two-bit SONOS cell”, Transactions on Electrical and Electronic Materials, Vol. 5, No. 4, 148-152, 2004. 8

14) 김주연, 김병철, 서광열, “고집적화된 1TC SONOS 플래시 메모리에 관한 연구”, 전기전자재료학회논문지, 16권 5호, 372-377, 2003. 5

13) 김병철, 탁한호, “저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체 기억소자에 관한 연구”, 한국해양정보통신학회논문지, 7권 2호, 269-275, 2003. 4

12) 김병철, 서광열, “SONOS 비휘발성 기억소자의 향상된 프로그램/소거 반복 특성”, 전기전자재료학회논문지, 16권 1호, 5-10, 2003. 1

11) Byungcheul Kim, Sang-Bae Yi, Kwang-Yell Seo, “A scaled SONOS single-transistor memory cell for a high density NOR structure with common source lines”, J. Korean Phys. Soc. Vol. 41, No. 6, 945-948, 2002. 12

10) 김병철, 서광열, “플래시 및 바이트 소거형 EEPROM을 위한 고집적 저전압 Scaled SONOS 비휘발성 기억소자”, 전기전자재료학회논문지, 15권 10호, 831-837, 2002. 10

9) Byungcheul Kim, Sang-Eun Lee, Kwang-Yell Seo, “Single Power Supply Operated and Highly Reliable SONOS EEPROMs”, J. Korean Phys. Soc. Vol. 40, No. 4, 642-644, 2002. 4

8) B. C. Kim, K. T. Sun, K. S. Park, K. J. Im, T. Noh, M. Y. Sung, S. Kim, S. Nahm, Y. N. Choi, S. S. Park, “β-Ga2O3 nanowires synthesized from milled GaN powders”, Appl. Phys. Lett. Vol. 80, No. 3, 479-481, 2002. 1. 21

7) 김병철, 선규태, 박광수, 임기주, 노태용, 남산, 성만영, 김상식, “기계적으로 연마한 GaN 분말로부터 열처리 분위기를 달리한 β-Ga2O3 나노벨트 및 나노입자의 합성”, 전기전자재료학회논문지, 14권 12호, 965-971, 2001. 12

2. PATENTs

8) Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same(US7208365)

7) Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the Same(US7112842)

6) 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법(10-0499151)

5) 대전력소자 제조방법(10-0364924)

4) 대전력소자 제조방법(10-0305675)

1. JOURNALs

6) 박희정, 박승진, 남동우, 김병철, 서광열, “플래시메모리를 위한 Scaled SONOSFET NVSM의 프로그래밍 조건과 특성에 관한 연구,” 전기전자재료학회논문지, 13권 11호, 914-920, 2000. 11

5) 김주연, 김병철, 김선주, 서광열, “Scaled SONOSFET를 이용한 NAND 형 Flash EEPROM,” 대한전기학회논문지, 49-C(1), 1-7, 2000. 1

4) 김선주, 김주연, 김병철, 서광열, "NOR 플래시 메모리를 위한 전하 트랩 형 NVSM 셀의 제작과 특성," 전기전자재료학회논문지, 12권 11호, 999-1006, 1999. 11

3) 김병철, 김주연, 서광열, 이상배, 서춘원, "기억상태에 있는 전하트랩형 비휘발성 반도체 기억소자의 하위문턱 이상전류특성," 응용물리, 12권 5호, 468-471, 1999. 9

2) 김병철, 김주연, 김선주, 서광열, “NVSM 회로설계를 위한 SONOSFET SPICE 파라미터의 최적화,” 전기전자재료학회논문지, 11권 5호, 347-352, 1998. 5

1) 김선주, 김병철, 이상은, 서광열, "저전압 고집적 full-featured EEPROM을 위한 SONOSFET 비휘발성 기억소자의 제작과 특성," 응용물리, 11권 3호, 302-309, 1998. 5

2. PATENTs

3) 바이폴라 트랜지스터의 에미터 형성방법(10-0267084)

2) 압력센서의 제조방법(10-0264518)

1) 압력센서의 제조방법(10-0264517)