Patent

International Patents

[15] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Byungchul Jang, “Memory device, memory system, and method of operating the memory system" US application, US 18,053,850, 2022.11.09 (@Samsung)

[14] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Wijik Lee, Byungchul Jang “Non-volatile memory device and method of manufacturing the same" US application, US 18,047,270, 2022.10.17 (@Samsung)

[13] Younggul Song, Byungchul Jang, Junyeong Seok, Eun Chu Oh, “Memory system for performing recovery operation, memory device, and method of operating the same" US application, US 17,965,091, 2022.10.13 (@Samsung)

[12] Younggul Song, Junyeong Seok, Eun Chu Oh, Byungchul Jang, “Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same" US application, US 17,935,122, 2022.09.25 (@Samsung)

[11] Junyeong Seok,Younggul Song, Eun Chu Oh, Byungchul Jang,Joonsung Lim, “Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same” US application, US 17,873,739, 2022.07.26 (@Samsung)

[10] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Byungchul Jang, Joonsung Lim, “Three-dimensional (3D) storage device using wafer-to-wafer bonding" US application, US 17,854,287, 2022.06.30 (@Samsung)

[9] Eun Chu Oh, Byungchul Jang,Junyeong Seok, Younggul Song, Joonsung Lim, “Three-dimensional storage device using wafer-to-wafer bonding” US application, US 17,848,844, 2022.06.24 (@Samsung)

[8] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Wijik Lee, Byungchul Jang “Storage devices and methods of operating storage devices" US application, US 17,750,581, 2022.05.23 (@Samsung)

[7] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Byungchul Jang “Storage devices of operating storage devices" US application, US 17,749,691, 2022.05.20 (@Samsung)

[6] Eun Chu Oh, Junyeong Seok,Younggul Song, Byungchul Jang, “Storage devices and methods of operating storage devices" US application, US 17,702,291, 2022.03.23 (@Samsung)

[5] Eun Chu Oh, Byungchul Jang,Junyeong Seok, Younggul Song, Joonsung Lim, “Nonvolatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and method of operating the same” US application, US 17,577,771, 2022.01.18 (@Samsung)

[4] Younggul Song, Junyeong Seok, Eun Chu Oh, Byung Chul Jang, Joonsung Lim, “Semiconductor device memory and system including the same” US application, US 17,566,832, 2021.12.31 (@Samsung)

[3] Byung Chul Jang, Sang-Yong Park, Jae Duk Lee, “Semiconductor memory device and method of fabricating the same” US application, US 17,211,129, 2021.03.24  (@Samsung)

[2] Sung-Yool Choi, Byung Chul Jang, “Memory and logic device-integrated soft electronic system” US registration, US 10,847,577, 2020.11.24 

[1] Sung-Yool Choi, Byung Chul Jang, “Soft memristor for soft neuromorphic system” US application, US 11,552,267, 2020.07.29 

Domestic Patents

[22] 서준기, 이휘민, 장병철, "2차원 반도체 기반 3차원 수직 전하 저장 메모리"  Korea application, 10-2023-0102389 , 2023.08.04 

[21] 오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, "메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법", Korea application, 10-2022-0060427 , 2022.05.17 (@Samsung)

[20] 송영걸, 장병철, 석준영, 오은주, "리커버리 동작을 수행하는 메모리 시스템, 메모리 장치 및 그 동작방법", Korea application, 10-2022-0055022, 2022.05.03 (@Samsung)

[19] 송영걸, 석준영, 오은주, 김민호, 장병철, "비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법", Korea application, 10-2022-0012579, 2022.01.27 (@Samsung)

[18]  오은주, 석준영, 송영걸, 이위직, 장병철, "스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법", Korea application, 10-2021-0012579, 2021.12.09 (@Samsung)

[17] 송영걸, 석준영, 오은주, 장병철, "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 스토리지 장치 및 그의 제조 방법", Korea application, 10-2021-0158924, 2021.11.17 (@Samsung)

[16] 오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, "스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법", Korea application, 10-2021-0132919, 2021.10.07 (@Samsung)

[15] 오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치", Korea application, 10-2021-0112469, 2021.08.25 (@Samsung)

[14] 오은주, 석준영, 송영걸, 장병철, 임준성, "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치", Korea application, 10-2021-0107892, 2021.08.17 (@Samsung)

[13] 석준영, 송영걸, 오은주, 장병철 임준성, "스토리지 장치", Korea application, 10-2021-0106446, 2021.08.12 (@Samsung)

[12] 장병철, 석준영, 송영걸, 오은주 임준성, "웨이퍼-투-웨이퍼 본딩을 이용하는 3차원 스토리지 장치", Korea application, 10-2021-0102666, 2021.08.04 (@Samsung)

[11] 송영걸, 석준영, 오은주, 장병철, 임준성, "반도체 소자 및 이를 포함하는 메모리 시스템", Korea application, 10-2021-0092380, 2021.07.14 (@Samsung)

[10] 장병철, 석준영, 송영걸, 오은주, 임준성,  "비휘발성 메모리 장치, 그것을 제어하는 제어기, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법 ", Korea application, 10-2021-0092395, 2021.07.14 (@Samsung)

[9] 장병철, 김남주 "반영구화장의 비포 앤 애프터 이미지를 생성할 수 있는 방법 및 시스템", Korea application, 10-2022-0182707, 2022.12.23.

[8] 장병철, 박상용, 이재덕, "반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법", Korea application, 10-2020-0087201, 2020.07.15 (@Samsung)

[7] 최성율, 장병철, 차준회 “소프트 뉴로모픽 시스템을 위한 소프트 멤리스터 ” Korea application, 10-2019-0143130, 2019.11.11.

[6] 최성율, 장병철, “메모리와 논리 소자가 통합된 소프트 전자 시스템의 병렬 컴퓨팅 방법 및 그 장치” Korea registration, 10-1973110, 2019.04.22. 

[5] 최성율, 우명훈, 장병철, 임성갑, “이차원 물질 반도체 고분자 터널링 절연막을 포함하는 저전력 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법” Korea application,
10-2017-0179491, 2017.12.26. 

[4] 최성율, 장병철, “메모리 및 논리소자 통합형 소프트 전자 시스템” Korea application, 10-2016-0175646, 2016.12.21. 

[3] 최성율, 장병철, “Soft electronic system having integrated memory and logic device” PCT application, PCT/KR2017/006949, 2017.06.30. 

[2] 최성율, 신광혁, 장병철, “다중저항변화 메모리소자” Korea registration, 10-1741991-0000, 2017.05.25 

[1] 최성율, 장병철, “저항 변화 메모리” Korea application, 10-2015-0056866, 2015.04.22.