Она, выступает в качестве буфера между дисковыми накопителями и процессором, так как скорость обмена данными между процессором и ОЗУ в разы больше, чем между процессором и жестким диском (или любым другим накопителем).

Это энергозависимая память - при выключении питания память обнуляется.

В ОЗУ располагается активная программа, выполняемая компьютером в данный момент.

Основной составной частью ОЗУ является массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя. Элемент памяти (ЭП) может хранить один бит информации (запоминать два состояния 0 или 1).

Устройство ОЗУ

Оперативная память является электронной памятью, потому что она создается с помощью изделий микроэлектроники - микросхем (чипов).

Используется два основных типа оперативной памяти: статическая память (SRAM — Static RAM) и динамическая память (DRAM — Dynamic RAM).

Эти две разновидности памяти различаются быстродействием и удельной плотностью (емкостью) хранимой информации. Быстродействие памяти характеризуется двумя параметрами: временем доступа (access time) и длительностью цикла памяти (cycle time). Эти величины, как правило, измеряются в наносекундах. Чем меньше эти величины, тем больше быстродействие памяти.

В статической памяти элементы построены на триггерах — схемах с двумя устойчивыми состояниями. Для построения одного триггера требуется 4-6 транзисторов. После записи информации в статический элемент памяти он может хранить информацию сколь угодно долго (пока подается электрическое питание). Статическая память имеет высокое быстродействие и низкую удельную плотность размещения хранящихся данных.

В динамической памяти элементы памяти построены на основе полупроводниковых конденсаторов, занимающих гораздо меньшую площадь, чем триггеры в статических элементах памяти. Для построения динамического элемента памяти требуется всего 1-2 транзистора. Подключение и отключение конденсаторов в динамических ЭП осуществляется с помощью полупроводниковых транзисторов (ключей).