05. Capítulo 5

Memória Interna

Breve Resumo ---------------------------------------------------------------------------------------

Objetivos:

- Análise de Subsistemas de Memória Principal

- Técnicas de Controle de Erros

- Arquiteturas DRAM -> Dinâmica RAM

Foco do Capítulo:

- Apenas Memória de Acesso Aleatório

Classificação das Memórias de Acesso Aleatório

- RAM Dinâmica -> DRAM -> Usada na construção de Memória Principal

- RAM Estática -> SRAM -> Usada na construção de Memória Cache

- A SRAM é melhor do a DRAM em:

- Rapidez

- Densidade

- Mas é mais cara ($$)

Técnias de Correção de Erros

- Usadas em Memórias

- Envolve a inclusão de bits redundantes

Afim de melhorar a DRAM em questão de Velocidade temos duas tecnologias:

- DRAM Síncrona

- DRAM RamBus

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Memória Principal Semicondutora:

- Antigamente se utiliza:

- Matriz de Loops ferromagnéticos em forma de anel -> representava o núcleo

- Com a chega da microeletrônica temos as memórias semicondutoras

- Formadas por chips semicondutores

-Organização:

- Apensar de cada tipo de memória interna ter uma constituição diferente, elas possuem alguns itens padronizados. Estes itens estão concentrados na Célula de Memória:

- Célula de Memória

- Dois Estados Estavéis ou Semiestáveis -> 0 ou 1

- Capazes de:

- Ler -> Lê um estado

- Escrever -> Define um estado

Fonte: http://image.slidesharecdn.com/02introducaohardware-120531140859-phpapp01/95/02-introducao-hardware-15-728.jpg?cb=1338474358

A Célua de Memória possui três Terminais.

São Eles:

- Seleção -> Seleciona uma célula da Memória para executar alguma operação (leitura ou escrita)

- Controle -> Define o tipo de operação (leitura ou escrita)

- Estado -> Muda o funcionamento com base no controle para Ler ou Escrever dados

Exemplo:

- Seleção: Seleciona a célula x09sa

- Controle: Farei uma escrita

- Estado: Escreva o valor 10 em x09sa

DRAM e SRAM

- A lógica da memória interna é quem dirá como palavras individuais serão acessadas (Algoritmo)

-Random Access Memory (RAM)

- Erroneamente nos referimos a Memória RAM como algo único, mas na verdade existem difersos tipos de Memória de Acesso Aleatório (RAM).

- O que muda entre elas são questões como:

- Tenologia adotada -> DRAM, SRAM

- Tipo de Apagamento -> Eletricamente, Luz UV

- Mecanismo de Escrtita -> Máscaras, Eletricamente

- Volatibilidade -> Volátil, Não Volátil

- Características da RAM:

- Lê e Escreve através de Sinais Elétricos

- Volátil

- Rápida

- Pode ser Dinâmica (DRAM) ou Estática (SRAM)

- Seu armazenamento é Temporário

RAM Dinâmica (DRAM):

- Utiliza um capacitor em sua constituição

- Esse capacitor é responsável por manter a informação na célula de memória

- Nele ocorre operações de carga (1 - Está com energia) e descarga (0 - está sem energia)

- Necessita de realimentação períodica, pois seu armazenamento é temporário

- Stallings aprensenta o exemplo de uma célula de memória de 1 bit

- Seus componentes são:

- Transistor

- Funciona como um chave - Aberto (Com fluxo de corrente), Fechada (Sem ...)

- Ativa ou desativa a Linha de Endereço

- Capacitor

- Armazena a informação

- Linha de Endereço

- Ativa a operação de Leitura ou Escrita de um Endereço

- Linha de BIt

- Escreve ou Lê de um Endereço

RAM Estática (SRAM):

- Usa os mesmos elementos lógicos usados no processador

- Utiliza configuração de portas lógicas de um flip-flop

- Só mantém os dados se houver energia, mas tem um diferência da DRAM

- Não é preciso fazer recargas periodicas para menter os dados

- Observação sobre a figura 5.2 b:

- Possui transistores: t1, t2, t3, t4 são cruzados para menter um arranjo estável

- Chave de ativação: C1 e C2

- Linha de endereço: t1 e t6 -> permitem a leitura e escrita

Para analisar com mais detalhes recomendo a leitura das páginas 129, 130 e 131 em conjunto com as figuras 5.1 e 5.2.

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