Electrostatic discharge and surge voltage (over kV) might damage the electronic components, especially thin-film sensors, semiconductors, capacitors, and so on.  We are focusing on the developing model of electronic device failure and its prevention method in the point of the device structure, and protective procedures. 

 전기설비에서 발생하는 갑자기 높은 전압은 반도체 및 전자 소자의 특성을 파괴함. 본 연구단은 이상 고전압의 인가된 경우 전기 소자의 특성 변화를 분석하고, 정전기 피해를 감소 할 수 있는 소자 구조 및 공정에 대한 연구를 진행하고 있다.   수천 V 이상의 높은 전압을 매우 짧은 시간동안 반도체, 디스플레이, 센서, 태양전지 와 같은 박막 소자에 인가하여, 변화된 물리적 특성을 비교 분석하고 있다. 또한 이상 고전압에 강한 구조에 대해 연구하고 있음. 

-. 소자 열화의 원인 분석 (Analyze the model for device degradation under extreme high voltage)  

 -. 이상 고전압에 강한 소자 구조 설계 (Robust thin-film device) 

-.  이상 고전압 발생 가능성 분석  (Process optimization to reduce  abnormally high voltage)

반도체, 센서, 태양광 설비 등은 가혹한  실외에서 장기간 동작하는 소자이다. 장시간의 외부의 환경은 소자의 특성 저하를 가속화 시키는 원인이다. 따라서 복합적인 측면에서 여러가지 Stress 가 소자에 미치는 영향을 정량화 하고, 이를 기반으로 소자의 수명 및 건전성을 평가하는 연구를 진행하고 있다.

• Lifetime Analysis of Various Energy and Electronic Devices using Accelerated lifetime methods

• Protection Approaches for Reliable  Energy and Electronic Devices

• Physical and Chemical Properties of Devices after Stress

• Big Data based Expected Lifetime Index of Field Installed Devices