講題:化合物半導體 碳化矽特性及應用
講題:化合物半導體 碳化矽特性及應用
講者:楊博斐 漢民科技化合物半導體專案處長
講者:楊博斐 漢民科技化合物半導體專案處長
講座時間:2023年5月16日
講座時間:2023年5月16日
演講地點:國立中正大學共同教室大樓 106 階梯教室
演講地點:國立中正大學共同教室大樓 106 階梯教室
主題簡介:
主題簡介:
由於電動車及高頻通訊市場的崛起, 寬能隙材料在電力及射頻的應用領域越顯重要。優越的耐熱特性, 低導通電阻及高轉換效率讓碳化矽逐漸取代矽基元件在電動車及其他在高功率電力系統之運用。在高功率高頻通信部分氮化鎵及碳化矽的應用隨著更是日益重要。
由於電動車及高頻通訊市場的崛起, 寬能隙材料在電力及射頻的應用領域越顯重要。優越的耐熱特性, 低導通電阻及高轉換效率讓碳化矽逐漸取代矽基元件在電動車及其他在高功率電力系統之運用。在高功率高頻通信部分氮化鎵及碳化矽的應用隨著更是日益重要。
延伸閱讀:
延伸閱讀:
Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices -- Tsunenobu Kimoto
Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices -- Tsunenobu Kimoto
Bulk and epitaxial growth of silicon carbide -- Tsunenobu Kimoto *
Bulk and epitaxial growth of silicon carbide -- Tsunenobu Kimoto *
Defects inspection technologies in SiC Nanoscale Res Lett 17, 30 (2022) —Published in March 2022
Defects inspection technologies in SiC Nanoscale Res Lett 17, 30 (2022) —Published in March 2022
直播網址:本場次未開放直播