講題：化合物半導體 碳化矽特性及應用

講者：楊博斐 漢民科技化合物半導體專案處長

講座時間：2023年5月16日

演講地點：國立中正大學共同教室大樓 106 階梯教室

主題簡介：

由於電動車及高頻通訊市場的崛起, 寬能隙材料在電力及射頻的應用領域越顯重要。優越的耐熱特性, 低導通電阻及高轉換效率讓碳化矽逐漸取代矽基元件在電動車及其他在高功率電力系統之運用。在高功率高頻通信部分氮化鎵及碳化矽的應用隨著更是日益重要。

延伸閱讀：

Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices -- Tsunenobu Kimoto

Bulk and epitaxial growth of silicon carbide -- Tsunenobu Kimoto *

Defects inspection technologies in SiC     Nanoscale Res Lett 17, 30 (2022) —Published in March 2022