RESEARCH
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
Dynamic Random Access Memory (DRAM)
Cadence virtuoso simulation을 활용한 DRAM core 연구
Sense amplifier 설계
Gate stack development
Gate stack development
Ferroelectric film
HZO의 강유전성을 활용해 다양한 device에 적용
Charge trap film
Al2O3, ZrO2 등 다양한 oxide 물질을 기반으로한 charge trap layer(CTL)을 활용하여 다양한 device에 적용
Ⅲ-Ⅴ Device
Ⅲ-Ⅴ Device
Ⅲ-Ⅴ 화합물을 이용한 Power device 연구
AlGaN/GaN HEMT Electrical Characteristic
HEMT 공정 및 신뢰성 테스트
AlGaN/GaN HEMT Reliability
HEMT 공정 및 신뢰성 테스트
Bias Temperature Instability(BTI)
AlGaN/GaN HEMT Trapping Effect
HEMT 트랩 영향 분석
Current collapse 및 interface trap(Dit)
Sentaurus TCAD
Sentaurus TCAD
TCAD를 활용한 다양한 소자 물리 연구
MOSFET, TFET, CMOS, Ternary-CMOS, CFET, GaN HEMT
Flash memory, FE-FET, FE-RAM
DRAM, SRAM
Self-heating effect, Random workfunction variation etc.
Self-heating effect
GaN HEMT