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2023년 xRFIC 대학원생 모집
2025.07 GaAs 전력증폭기 설계
2025.07 GaAs 전력증폭기 설계
Win-semi GaAs pHEMT 0.1um 공정을 이용한 1W급 전력 증폭기 및 Drive 증폭기 설계 tape-out
저궤도 위성용 전력 증폭기 (16~18.5GHz)
Gain > 27.8dB, Power = 30.33dBm@Pin=5dBm, S11/S22 < -10dB
Chip size 2.65 x 1.0 mm2
QFN package model 적용
2025.04 GaAs 저잡음증폭기 설계
2025.04 GaAs 저잡음증폭기 설계
Win-semi GaAs pHEMT 0.1um 공정을 이용한 저잡음 증폭기 설계 tape-out
저궤도 위성용 저잡음 증폭기 (7~14GHz)
Gain > 28dB, NF < 1.8dB, S11/S22 < -10dB
Chip size 1.74 x 0.7 mm2, Total current : 130mA @ 3.5V
2022.10.25 연구실 Tape-out
2022.10.25 연구실 Tape-out
2022년 두번째 Tape-out을 진행하였습니다.
저궤도 위성을 위한 SPI Digital interface [max clock 20MHz]
저궤도 위성을 위한 Low noise amplifier (LNA with interference rejection circuit)
칩사이즈: 820 um x 840 um
공정: SiGe 130um process
프로젝트에 참여해준 허경천(4), 홍대훈(4), 장우혁(3), 정인희(3) 학부연구생들에게 감사합니다.
2022.05.25 연구실 첫 Tape-out
2022.05.25 연구실 첫 Tape-out
2022년 3월이후 드디어 첫 Tape-out을 진행하였습니다.
5G NR을 위한 모바일용 RF-SOI CMOS 공정의 LNA(저잡음증폭기)
N77/N79를 위한 광대역 저잡음증폭기 설계
칩사이즈: 700 um x 1500 um
입/출력 매칭회로 집적화 (Integrated in/output matching circuit)
ESD 보호회로 내장 (ESD protection circuit)
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