林 真一郎
博士後期課程（博士3年）
hayashi-shinichiro1(a)ed.tmu.ac.jp
本人は左（お世話になった元RAの生田さんと）
研究テーマ
■パワーデバイスの状態監視による電力変換回路の高信頼化
■高精度スイッチングを目的としたゲート駆動回路実装
■生体影響評価用磁界発生装置の設計・開発
研究業績
学術論文
(1) 林 真一郎, 和田 圭二, 「パワーデバイスの状態監視を目的とした入力容量Cissの測定機能を有するゲート駆動回路」, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 142, no. 6 （掲載決定済）
(2) S. Hayashi and K. Wada, "Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability," IEEJ J. Ind. Appl., The Institute of Electrical Engineers of Japan, vol. 11, no. 1, pp. 108-116 (2022)
(3) S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test," Microelectron Reliab, Elsevier, vol. 126, 114213 (2021)
(4) S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring," Microelectron Reliab, Elsevier, vol. 114, 113777 (2020)
(5) 林 真一郎, 和田 圭二,「スイッチング損失とサージ電圧の低減に着目したゲート駆動回路実装」, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 136, no. 10, pp. 791-797 (2016)
学術雑誌等又は商業誌における解説，総説
(1) 林 真一郎：「学界情報 国際会議レポート：The 32nd IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020) September 13-18, 2020, Virtual」，産業応用部門誌ニュースレター，電気学会，vol. 141，no. 3，p. NL3_2 (2021)
国際会議（他2件）
(1) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Gate Drive Circuit Having In-Situ Condition Monitoring System for Detecting Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs," the 37th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC2022), Houston, Texas, USA, Mar. 2022. (Accepted)
(2) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test," ESREF 2021, Bordeaux, France, Oct. 2021.
(3) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions," 2020 International Power Electronics and Motion Control Conferences (IPEMC), Nanjing, China, Nov. 2020.
(4) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring," ESREF 2020, Athens, Greece, Oct. 2020.
国内学会（他3件）
(1) ○林 真一郎・和田 圭二：「パワー半導体デバイスの状態監視を目的とした入力容量Ciss-Vgs特性の測定機能を有するゲート駆動回路の動作検証」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，EDD-21-048/SPC-21-138，web開催，2021年10月
(2) ○林 真一郎・和田 圭二：「パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，EDD-20-061/SPC-20-211，web開催，2020年12月
(3) 〇林 真一郎・和田 圭二：「スイッチング条件下におけるMOSFETのゲート酸化膜TDDB試験」, 電気学会産業応用部門大会, 長崎, 2019年8月
特許
(1) 林 真一郎・山本 健朗・松本 真一・竹岡 俊明：「電力変換装置」，特許第6952915号(P6952915)，登録日：2021年9月
(2) 山本 健朗・林 真一郎：「３レベル電力変換装置及び直流電源部の中間電位の制御方法」，公開番号 WO/2021/192288，国際出願番号 PCT/JP2020/014258
その他
(1) 品質管理検定（QC検定）3級 合格，2017年10月
(2) 電気取扱者（低圧）修了，2016年年5月
(3) 家電製品総合アドバイザー資格 取得，2013年5月
Topics
僧侶になりました！？
（2019年11月）
パワーアカデミー研究助成採択
（2019年12月）
種別： 萌芽研究（博士課程学生枠）
研究件名： パワーデバイスの状態監視による劣化寿命予測に基づく電力変換回路の高信頼化に関する研究
研究期間： 2020年2月～2021年3月（1年間）
パワーアカデミー萌芽研究優秀賞受賞
（2021年3月）
2021年3月9，10日に開催されたパワーアカデミー研究助成成果報告会にて，萌芽研究優秀賞 をいただきました
電気学会研究会学生奨励賞受賞
（2021年10月）
2021年10月に開催された電気学会 電子デバイス/半導体電力変換合同研究会にて，学生奨励賞 をいただきました
公聴会開催
（2022年2月）
2022年2月2日に公聴会を開催しました。審査員の先生方およびご参加いただいた方々にお礼申し上げます
趣味
バイクに乗ることです。日々の通学・休日のツーリングを安全第一で楽しんでいます。
愛機
川崎重工業製 ZZR1400
整備にも挑戦中
不器用でなかなかうまくいきませんが
職歴
2016年～2019年 三菱電機株式会社 伊丹製作所にて鉄道車両向け補助電源装置（SIV）の設計・開発に従事
SIVとは，電車内の負荷（エアコン，照明，運転台等）に電力を供給する電源装置です。架線から供給される直流電圧(1,500 V)を三相交流に変換するインバータです。