研究テーマ

■パワーデバイスの状態監視による電力変換回路の高信頼化

■高精度スイッチングを目的としたゲート駆動回路実装

■生体影響評価用磁界発生装置の設計・開発

研究業績

学術論文

(1) 林 真一郎, 和田 圭二, 「パワーデバイスの状態監視を目的とした入力容量Cissの測定機能を有するゲート駆動回路」, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 142, no. 6 （掲載決定済）

(2) S. Hayashi and K. Wada, "Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability," IEEJ J. Ind. Appl., The Institute of Electrical Engineers of Japan, vol. 11, no. 1, pp. 108-116 (2022)

(3) S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test," Microelectron Reliab, Elsevier, vol. 126, 114213 (2021)

(4) S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring," Microelectron Reliab, Elsevier, vol. 114, 113777 (2020)

(5) 林 真一郎, 和田 圭二,「スイッチング損失とサージ電圧の低減に着目したゲート駆動回路実装」, 電気学会論文誌D, 電気学会, vol. 136, no. 10, pp. 791-797 (2016)

学術雑誌等又は商業誌における解説，総説

(1) 林 真一郎：「学界情報 国際会議レポート：The 32nd IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD 2020) September 13-18, 2020, Virtual」，産業応用部門誌ニュースレター，電気学会，vol. 141，no. 3，p. NL3_2 (2021)

国際会議（他2件）

(1) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Gate Drive Circuit Having In-Situ Condition Monitoring System for Detecting Gate Oxide Degradation of SiC MOSFETs," the 37th Annual IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC2022), Houston, Texas, USA, Mar. 2022. (Accepted)

(2) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging for gate oxide of SiC MOSFETs under continuous switching conditions by applying advanced HTGB test," ESREF 2021, Bordeaux, France, Oct. 2021.

(3) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Gate Oxide TDDB Evaluation System for SiC Power Devices under Switching Operation Conditions," 2020 International Power Electronics and Motion Control Conferences (IPEMC), Nanjing, China, Nov. 2020.

(4) 〇S. Hayashi and K. Wada, "Accelerated aging test for gate oxide degradation in SiC MOSFETs for condition monitoring," ESREF 2020, Athens, Greece, Oct. 2020.

国内学会（他3件）

(1) ○林 真一郎・和田 圭二：「パワー半導体デバイスの状態監視を目的とした入力容量Ciss-Vgs特性の測定機能を有するゲート駆動回路の動作検証」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，EDD-21-048/SPC-21-138，web開催，2021年10月

(2) ○林 真一郎・和田 圭二：「パワーデバイスを対象とした電力回生型連続スイッチング試験装置」，電気学会電子デバイス半導体電力変換合同研究会，EDD-20-061/SPC-20-211，web開催，2020年12月

(3) 〇林 真一郎・和田 圭二：「スイッチング条件下におけるMOSFETのゲート酸化膜TDDB試験」, 電気学会産業応用部門大会, 長崎, 2019年8月

特許

(1) 林 真一郎・山本 健朗・松本 真一・竹岡 俊明：「電力変換装置」，特許第6952915号(P6952915)，登録日：2021年9月

(2) 山本 健朗・林 真一郎：「３レベル電力変換装置及び直流電源部の中間電位の制御方法」，公開番号 WO/2021/192288，国際出願番号 PCT/JP2020/014258

その他

(1) 品質管理検定（QC検定）3級 合格，2017年10月

(2) 電気取扱者（低圧）修了，2016年年5月

(3) 家電製品総合アドバイザー資格 取得，2013年5月

Topics

趣味

バイクに乗ることです。日々の通学・休日のツーリングを安全第一で楽しんでいます。

職歴

• 2016年～2019年　三菱電機株式会社 伊丹製作所にて鉄道車両向け補助電源装置（SIV）の設計・開発に従事