l Hot & Wet Line (39동 B226호)

HWCVD

  • 증착가능 물질 : SiO2, SiC

(그 외 물질은 담당자와 논의필요)

  • 공정가스 : SiH4, CH4

  • 진성실리콘 박막을 저온 증착 가능

(240 ~ 300도)

ALD

  • SnO2 , TiO2 증착 (300℃) 증착 전에 O2 plasma 실시

  • Deposition rate :1Å/cycle

  • 공정온도 : 300도

Electric Furnace #1

  • 진공상태에서 고온으로 가열가능

  • 온도 : ~ 900도

  • 진공도 : ~ 10^-3 torr

  • 상자로

  • 상압, 진공, N2 분위기에서 공정가능

Wet Station

  • 약품을 사용하여 시료를 처리할 수 있음

(유기/산/알칼리)

  • 유독성 물질 사용시 담당자와 협의 필요

SRD

  • Wet-Station 공정 진행 후 Wafer를 한번 더 Rinse를 한 후 Dry하는 장비

  • Wafer size : 4인치 웨이퍼

PECVD(개조형)

  • 증착가능 물질 : SiO2

(그 외 금속은 담당자의 승인필요)

  • 공정가스 : SiH4, NH3, NF3, N2O

  • 챔버에 Ionizer가 있어, 나노입자가 liquid와 비슷한 형질을 띄어 높은 퀄리티의 박막 증착 가능

PECVD

  • 증착가능 물질 : SiO2, SiNx

(그 외 물질은 담당자의 승인필요)

  • 공정가스 : SiH4, NH3, N2O, N2 , Ar

  • Sample size : 조각, 4인치 웨이퍼

  • 실리콘 도핑용 SiO2 하드 마스크/

트랜지스터용 게이트 옥사이드/소자

passivation 용 SiO2, SiNx 막 증착 가능

Tube Turnace

  • N2, O2, 및 대기분위기에서 고온으로

가열 가능

  • 온도 : ~ 1200도

  • N/P doping 가능

  • 물질별로 쿼츠관 사용


l Plasma Line (39동 B226호)

Evaporator

  • 증착가능 금속 : Ni, Al, Ti, Au, Pt

(그 외 물질은 담당자와 논의필요)

  • Thermal, e-beam 일체형

  • Sample suze: 조각, 4인치 wafer

  • Source : 6 pocket

  • E-beam power supply : 10KW

RIE

  • Plasma로 reactive ion을 형성하여 시료의 건식식각(dry etching) 가능

  • Etching 가능 물질 : graphene, SiN, IGZO, SiO2, Si 등

  • 공정가스 : CHF3, O2, CF4, Ar, SF6

  • Sample size : 조각, 4/6인치 웨이퍼 가능

Plasma etcher

  • 플라즈마를 통한 기판 etching 및 PR ashing 가능

  • Etching 가능 물질 : Si , SiO2 , Si3N4 Etch, PR ashing, SiN 등

  • 공정가스 : O2, CF4, Ar, SF6

  • Sample size : 조각, 4.6인치 Wafer

l Photo room (39동 B226호)

Aligner(MA6)

  • Wafer/Mask size 조각, 4인치 웨이퍼

  • Light source : Mercury lamp 350W

  • Power (intensity): 7 mW/cm2

  • Print mode : Proximity & contact (soft, hard, Lo vac., vac.)

  • Usable wavelength : 365nm 단색광

  • 주요사용 PR : SU-8, AZ1512/AZ7220 etc.

MDA-400S

  • Wafer/Mask size 조각, 4인치 웨이퍼

  • Light source : Mercury lamp 350W

  • Power (intensity): 17 mW/cm2

  • Print mode : Proximity & contact (soft, hard, Lo vac., vac.)

  • Alignment accuracy : 1 um

  • 주요사용 PR : AZ1512/AZ7220 etc.

l Packaging room (39동 B226호)

Wire bonder

  • 반도체 소자전극을 Au wire를 이용하여 기판에 연결

  • Ball bonding 방식

Probestation

  • 2차원 물질 전사 가능

  • Hot chuck으로 고온 가열 가능

(~300도)

3D Printer

  • 프린팅 방식 : FDM 방식

  • 사용물질 : ABS, Support Material

  • Printing Area : 127 x 127 x 127 mm

  • Layer Resolution : 170 microns

  • Max Sample size : 50 x 50 x 50 mm

EG 4090

  • 4~8인치 웨이퍼 전기적물성 측정가능

  • 스펙트럭분석기(4156C)와 연결

  • 온도범위 : 상온 ~ 240도


l Bio-room (39동 123호)

3D Bio printer (T&R biofab)

  • 생분해성/합성고분자, 바이오잉크(하이드로겔) 다양한 생체재료 프린팅 가능

  • Head 수 : 4개

(바이오잉크 3개 / 고분자 1개)

  • Head 온도범위 : -4~60도 (바이오잉크)

  • 상온 ~ 300도 (고분자)

  • 프린팅방식 : 잉크젯 바이오프린팅

3D bio printer (Rokkit)

  • 생분해성/합성고분자, 바이오잉크(하이드로겔) 다양한 생체재료 프린팅 가능

  • Head 수 : 2개

(바이오잉크 1개 / 고분자 1개)

  • Head 온도범위 : -4~60도 (바이오잉크)

상온 ~ 300도 (고분자)

  • 프린팅방식 : 잉크젯 바이오프린팅

Confocal microscope

  • Laser : 405, 473, 635 nm

  • Lens : 4x, 10x, 20x, 40x, 60x(oil)

  • Scan resolution : up to 2048 × 2048 pixels

  • Scan rotation : full 360° rotatio variable in increments of 1°

  • 3차원 스캔, 시간에 따른 스캔 가능

CNC

  • Milling 가능 물질 : 고분자, 금속 등

  • 공구 종류 : 2날 스퀘어엔드밀

(2, 4, 6 파이)

  • 이송범위: 395 x 300 x 95mm

  • Speed range : 400 x 300 x 140 mm

(max. 12m/min)

  • Repetition accuracy : ± 0.02 mm

혈류량 측정기

  • 조직의 혈류량, 혈액량, 혈류 속도 및

온도를 연속적으로 측정 가능한 장비.

  • 기초에서 임상까지 범용으로 사용 가능

  • 장비대여가능 (50,000원/일)

생체시료용 현미경장비

  • 라이브셀 영상화 기술로 실시간 세포

관찰 가능

  • 형광 및 field 현미경, 자동 초점 및 실시간 다중 위치 이미징 기능 사용 가능

셀 카운터

  • 슬라이드내 셀개수 및 생존율 측정가능

  • 측정범위 : 1 x 104 ~ 1 x 107 셀/ml

(최적범위 : 1 x 105 ~ 4 x 106 셀/ml)

3D Printer

  • 프린팅 방식 : DLP 방식

  • 사용물질 : 액상 레진 (FC-2 등)

  • Printing Area : 125 x 70 x 120 mm

  • Layer Resolution : 65 μm

  • Wavelength(LED) : 385/405 nm