Shiu-Ming Huang 黃旭明 (9成以上的論文是通訊作者或第一作者)
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成果介紹PPT
The mechanism of singularity paramagnetic susceptibility peaks in topological materials
(在這個PPT中我們將介紹這三年來我們一系列的實驗結果。我們藉由數種不同的實驗方式還有材料系統來檢驗一些已經報導在nature子期刊還有一些著名期刊的共同結果。我們的結果強烈證明這些發表在著名期刊的實驗結果和論點是錯的! )
教育學術期刊論文
● 黃旭明、翁茂凱, 自主建構式問題導向學習法應用於物理實驗課程的成效探究, 教學實踐研究 (接受刊出, 2025)
2025/05/10 物理實作平台年會演講影片
● 黃旭明、許楷祥, 自動控制軟體應用於自主建構式物理實驗課程的成效探究, 教學實踐研究 (接受刊出, 2025)
國際學術期刊論文
● Shiu-Ming Huang, Yao Cheng, Pin-Cing Wang, Ying-Ju Chen, Mitch Chou, Fan-Hsuan Kuo, and Ruei-San Chen, The significant photocurrent enhancement through carrier tuning in Ta substitution WSe2 single crystals (under review)(通訊作者)
● Hung-Cheng Wu, Yu-Hao Chang; Po-Jung Sun; Hsin-Ju Chen; D. Chandrasekhar Kakarla; Pin Cing Wang; Shiu-Ming Huang; Pei-Ying Yang; Yi Jia Tsai; Min-Nan Ou; Ren Hao Jhang; Shang-Fan Lee; Chien Ching Chang; Jing-Yue Huang; Cheng-Maw Cheng; Wei-Hsiang Huang; Huan-Li Meng; Yung-Kang Kuo; Chia Nung Kuo; Chin Shan Lue; Hung-Duen Yang , Tunable Band-Filling Effects on Thermoelectric Properties and Anomalous Hall Conductivity in Weyl Semimetal Co3Sn2S2 (under review)
● Ankush Saxena, Shiu-Ming Huang, Saurabh Saini, Chitimireddy Prashant, ChangYi Ou, Pin-Cing Wang, I-Yu Huang, Rajiv Singh, Mitch Chou, Enhanced Superconductivity and Spin-Orbit Interaction in Bi2Se3-Doped FeSe1-xTex bulk Single Crystals (under review)(通訊作者)
● Ankush Saxena, Shiu-Ming Huang, and Mitch Chou , Ferromagnetic Spin Glass State and Anomalous Hall effect in Topological Semimetal Candidate Mn2Sb2Te5 (under review)(通訊作者)
● Ankush Saxena, Shiu-Ming Huang, and Mitch Chou , Magnetic and Topological Hall Effects in Mn2BiSbTe5: Anomalous Low-Temperature Transition (under review)(通訊作者)
● Ankush Saxena; Shiu-Ming Huang; and Mitch Chou, Emergence of Temperature-Independent Paramagnetic (TIP) Susceptibility in 2D Materials: A Comprehensive Review (under review)(通訊作者)
● Ankush Saxena; Shiu-Ming Huang; and Mitch Chou, Surface Morphology-Driven Photocurrent Variations in MoSe1.9Te0.1: Insights into Carrier Dynamics (under review)(通訊作者)
● M. M. Sharma, Ankush Saxena; S. M. Huang; Kritika Vijay; Santosh Karki Chhetri; Soma Banik; V.P.S. Awana, and Jin Hu, Bulk-surface interaction mediated glassy magnetic ground state in Mn2Sb2Te5 (under review)
●Ankush Saxena, N.K. Karn; M.M. Sharma; Che-Min Lin; S.M. Huang; VPS Awana; and Kamal Pandey, Co-existing Ferromagnetic-Antiferromagnetic ground states in Layered Topological Insulator MnSb2Te4.(under review)
●Muhammad H. Nawaz, Mohamed G. Mohamed, The-Hung Mai, S. Santhoshkumar, Mohsin Ejaz, Mohammad Kotp, Si-Yu He, Wei-Zhi Chen, Hung-Ju Lin, Li Hua Ting, Ahmed F. M. El-Mahdy, Shiu-Ming Huang, Li-Wei Tu, Hung-Duen Yang, Wei-Lung Tseng, Shiao-Wei Kuo, Feng-Chuan Chuang, and Phuong V. Pham, Copper Quantum Dots@Graphene Oxide/Indium Tin Oxide-based Superior Nanocomposite for Semiconducting Application in Transparent Electrodes. (under review)
●C.H. Prashanth, D Chandrasekhar kakarla, Bikash Saha, C. W. Wang, Ajay Tiwari, H. D. Yang, Shiu-Ming Huang, Mitch M.C. Chou, Anup Kumar Bera, and J. Krishanmurty, Unveil the temperature and field-induced exotic magnetic phase transitions in BaHoFeO4: A neutron diffraction study. Phys. Rev. B 112, 064406 (2025)(論文成果海報)
● Shiu-Ming Huang, Ankush Saxena, Pin-Cing Wang, Tzu-Yueh Tu, Ruei-San Chen, and Mitch Chou , Enhancement of Photocurrent Stability in Oxidation-Resistant WSe1.95Te0.05 Nanosheets, ACS Omega 10, 26079 (2025) (通訊作者)
(文章成果:這個工作研究了WSe1.95Te0.05半金屬奈米片的電性和光學特性。當使用鉑為接觸電極，偵測WSe1.95Te0.05電流-電壓特性呈現線性關係，這代表清WSe1.95Te0.05奈米片與Pt電極之間形成了歐姆接觸。此外，偵測到的光電流與施加電壓呈線性關係，並與入射光強度成正比。值得注意的是，該裝置在施加電壓為0.5 V時的光響應度達到108 A/W，在沒有特別對於材料特別進行人工處理的情況下，這是迄今為止已報導的二維過渡金屬二硫屬化物（TMD）的最高值之一。此外，這個材料即便暴露於空氣中超過六個月後仍保持相同的數值。測得的電阻率和光電流保持穩定，不受氧化或外界影響。這與先前的報導相比有了顯著的進展。這些發現強調了 WSe1.95Te0.05 奈米片裝置的固有品質及其在先進光感測器應用方面的巨大潛力。)
●Shiu-Ming Huang, Ankush Saxena, Fu-En Cheng, Pin-Cing Wang, Kuan-Ting Liu, and Mitch M.C Chou, Anisotropic and Temperature-Independent Magnetic Susceptibility Peak in MoSe1.8Te0.2 Van der Waals Layers, ACS Applied Electronic Materials 7, 2111 (2025), (通訊作者)
(文章成果:這個工作偵測了層狀結構的MoSe1.8Te0.2不同方向的磁化率。當磁場垂直晶體層狀平面，實驗觀測到與溫度無關的磁化率峰值。然而，當磁場平行於晶體層狀平面，實驗結果沒有沒有呈現與溫度無關的磁化率峰值，而是與磁場無相關性的定值。另一方面，當磁場垂直晶體層狀平面，零場冷卻(Zero field cool)和場冷卻(Field cool)的磁矩呈現分裂。但當磁場平行於晶體層狀平面，零場冷卻(Zero field cool)和場冷卻(Field cool)的磁矩呈現重疊。這個現象證明磁化率峰值伴隨著鐵磁性。這支持與溫度無關的磁化率峰值不應源自於所報告的拓撲自旋紋理或不可避免的磁性元素。根據高解析度透射電子顯微鏡影像和掃描隧道光譜，觀察到的磁化率峰值應源自晶格失配引起的鐵磁性。) (論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Tzu-Yueh Tu, Pin-Cing Wang, Chang-Yu Li, Mitch Chou, Hao-Ting Wu, Yue-Cheng Hsieh, and Ruei-San Chen, The surface oxidation effect on photocurrent in WSe1.95Te0.05 nanosheets, iScience 27, 111461 (2024).(通訊作者)
(文章成果:這個工作在WSe1.95Te0.05奈米片中檢測到表面氧化對光電流響應的影響，進一步實驗觀測發現表面氧化效應對於光電流響應的影響與光波長由直接關係。它在405 nm波長處增強，而在532nm波長處無變化，在808nm波長處受到抑制。WO3的IPCE預計在405 nm波長處增加，在532nm 波長處不變，在808nm波長處減少。半年後光電流變化趨勢暴露對應於吸光度從原始WSe1.95Te0.05到WO3的變化是一致。這波長相關光電流的變化被理解為來自WSe1.95Te0.05表面氧化的產物WO3的波長相關入射光子到電流效率。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Fu-En Cheng, Wei-Chueh Cheng, Pin-Cing Wang, You-Jhih Yan, Mitch M.C. Chou, Chih-Mien Lee, and Chiu-Hsien W, Enhancement of NO2 sensing in Sb2Te2Se by vacancies, Sensors and Actuators: A. Physical, 378, 115796 (2024) .(通訊作者)
(文章成果:我們研究了Sb2Te2Se作為NO2氣體的作用感測器，其載子密度被發現是A2B3系列中最高的在先前的研究（A=Bi或Sb，B=Se，Te）。我們發現了當樣品經過在175°退火後，NO2偵測反應率有明顯的提升。在NO2濃度為25 ppb最高可達原始狀態的5.9倍。分析其機制源自Te或Se的缺陷的增加。藉由UPS頻譜觀測到費米能階位移也進一步證明這個推論。這工作進一步驗證了空位時NO2吸附的機制，並證明空缺相關行為也適用於銻基材料。) (論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Fu-En Cheng, Pin-Cing Wang, Kuan-Ting Liu, and Mitch Chou, The structure induced magnetic susceptibility peak to dip transition in the MoSe2-xTex, Results in Physics 61, 107786 (2024).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。先前的文獻報導皆指出這個現象是拓譜材料表面態Dirac point所導致。我們先前的研究顯示非拓譜材料依舊可以觀測到先前報導的磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。並且，我們在更進一步的研究顯示，這個磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰應該是源至於材料本身結構錯位產生鐵磁的行為。這個結果我們除了磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰之外，我們觀測到與溫度無關的磁化率谷。而這個與溫度無關的磁化率峰轉換到與溫度無關的磁化率谷的現象也是實驗上首次被觀測到。我們藉由一系列的材料結構分析和磁性特性分析證實這個磁化率峰轉換到磁化率谷的現象是個晶體結構轉變的行為。除此之外，也再次證明眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰並非源至於拓譜材料表面態的Dirac point而是源至於晶鐵結構產生的鐵磁行為.)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Wei-Chueh Cheng, Pin-Cing Wang, Fu-En Cheng and Chiu-Hsien Wu, Significant Enhancement of NO2 Detection Response in MoTe2 Nanostructures with a 1T'-2H Structure Mixture. ACS Applied Nano Materials 7, 306 (2024).(通訊作者)
(文章成果:這個研究我們可以藉由熱退火的方式來大幅提升MoTe2對於NO2氣體的偵測反應率。這個NO2偵測的機制主要是由2H的半導體態提供MoTe2吸附NO2後產生的傳輸載子。1T'是金屬態可以降低載子傳輸的阻抗。2H態轉換成1T'態可以藉由熱退火的方式達成。我們的研究結果顯示藉由適當2H以及1T'態的組合，我們可以2個數量級地增強NO2的反應強度。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Tzu-Yueh Tu, Pin-Cing Wang, Chang-Yu Li, Mitch Chou, Hao-Ting Wu, Yue-Cheng Hsieh and Ruei-San Chen, The oxidation enhancement photocurrent response in WSe1.95Te0.05 nanosheets. Applied Surface Science 628, 156488 (2023).(通訊作者)
(文章成果:這個研究我們發現可以藉由表面氧化來大幅增大WSe1.95Te0.05奈米薄片的光電流大小。我們的研究顯示這個增強的機制主要是由表面WO3的光子產生電流的效應所導致的行為。這個結果可增進二維材料光電流效應的方式。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cing Wang, Kuo-Yi Hung, Fu-En Cheng, Chang-Yu Li and Mitch Chou. The temperature-independent paramagnetism susceptibility peak at zero magnetic fields in the non-topological WSe2 single crystal. Results in Physics 44, 106126 (2023).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。先前的文獻報導皆指出這個現象是拓譜材料表面態Dirac point所導致。我們這個研究顯示非拓譜材料依舊可以觀測到先前報導的磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。這個結果再次證明眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰並非源至於拓譜材料表面態的Dirac point.)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cing Wang, Kuo-Yi Hung, Fu-En Cheng, Chang-Yu Li and Mitch Chou . On the paramagnetic-like susceptibility peaks at Zero Magnetic Field in WSe2−xTex single crystals. Nanoscale Research Letters 17, 107 (2022).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。我們先前的結果已經推翻了目前的物理概念，我們在這篇文章的實驗結果更進一步提出了先前觀測到的現象可能源至於二維材料因為晶體扭曲所造成的鐵磁行為。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cing Wang, Fu-En Cheng. A singular paramagnetic susceptibility peak in a WSe2/MoSe2 chemical bonding structure. Appl. Phys. Lett. 121, 063102 (2022).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多二維材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。我們先前的結果已經推翻了目前的對於二維材料中觀測到磁場為零處與溫度無關磁化率峰的物理概念。這個現象並非源至拓譜表面態電子的自旋磁矩。我們在這篇文章藉由熱退火方式來改變WSe2和MoSe2的化學鍵結情況，再加上Raman和SEM的結果提出了更進一步新的證據來證明先前觀測到的現象可能源至於二維材料化學結構扭曲所造成的鐵磁行為。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cyuan Chen, Pin-Cing Wang. The Lattice Distortion-Induced Ferromagnetism in the Chemical-Bonded MoSe2/WSe2 at Room Temperature. Nanoscale Research Letters 17, 55 (2022).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。我們先前的結果已經推翻了目前的物理概念，我們在這篇文章的實驗結果更進一步提出了先前觀測到的現象可能源至於二維材料因為晶體扭曲所造成的鐵磁行為。)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Chien Lin, Sheng-Yu You, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu, and Mitch Chou. The quantum oscillations in different probe configurations in the BiSbTe3 topological insulator macroflake. Sci. Rep. 12, 5191 (2022).(通訊作者) (This is the third SCI paper of two master course students' theses.)
(文章成果:延續先前兩篇關於類Aharonov-Bohm 量子震盪的論文。Aharonov-Bohm (AB) 量子震盪和Altshuler-Aronov-Spivak (AAS)量子震盪都是電子波干涉的一個特性，兩個理論概念上也僅有些許不同，就實驗上的結果，就是震盪週期差一倍。如果不知道樣品的尺寸，人們是幾乎無法從實驗上分辨兩個的差別或是究盡是觀測到哪個效應。在類Aharonov-Bohm 量子震盪系列 這第三篇論文中，我們我們又更進一步發現在利用不同的接點量測方式可以個別偵測出類AB 量子震盪和類AAS量子震盪的方式。除此之外，我們的實驗結果更顯示不同的接點量測量測方式Shubnikov–de Haas (SdH)震盪週期相同，但會有 π 的相位差。)(延伸工作:目前，對於為什麼non-local的方式可以偵測到SdH震盪以及不同偵測法SdH震盪會有π相位差的問題依舊是個謎! )(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cing Wang, Pin-Cyuan Chen, Jai-Long Hong, Cheng-Maw Cheng, Hao-Lun Jian, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu and Mitch Chou. The singularity paramagnetic peak of Bi0.3Sb1.7Te3 with p-type surface state. Nanoscale Research Letters 17, 12 (2022).(通訊作者)
(文章成果:文獻報導關於眾多拓譜材料顯現的在磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。先前的文獻報導皆指出這個現象是拓譜材料表面態Dirac point所導致。我們這個研究顯示不具有Dirac point的拓譜材料依舊可以觀測到先前報導的磁場為零處的與溫度無關的磁化率峰。)(論文成果海報)
(這篇文章推翻了一篇 Nat. Material, 兩篇 Phys. Rev. B, 三篇 Sci. Rep. 的共同結論，詳細內容見論文成果海報。)
●Shiu‑Ming Huang, Pin‑Cing Wang, Hao‑Lun Jian and Mitch M. C. Chou. The Magnetic Susceptibility Bifurcation in the Ni-Doped Sb2Te3 Topological Insulator with Antiferromagnetic Order Accompanied by Weak Ferromagnetic Alignment. Nanoscale Research Letter 16, 180 (2021).(通訊作者)(論文成果海報)
●Shiu-Ming Huang, Pin-Cyuan Chen and Pin-Cing Wang. The High Coercivity Field in Chemically Bonded WSe2/MoSe2 Powder. Nanomaterials 11, 3263 (2021).(通訊作者)(論文成果海報)
● Shiu-Ming Huang, Jai-Lung Hung, Mitch Chou, Chi-Yang Chen, Fang-Chen Liu and Ruei-San Chen. The Highly Uniform Photoresponsivity from Visible to Near IR Light in Sb2Te3 Flakes. Sensors 21, 1535 (2021).(通訊作者)
(文章成果:由於拓普材料表面態的線性能量和動量關係，已廣泛被報導可作為廣域光感應器的材料。然而，目前所有拓普材料的報導顯示個別材料雖然在不同光波長皆有光電流反映。但不同的光波長的光電流反應相差太大，這會影響到後續的應用層面。這個研究我們發現SB2Te3是目前所有拓普材料中對於廣域波長相對應的光電流是最小的(約34%)。研究更顯示光電流的跳動位子的能量正好相等於Sb2Te3的Bulk state導帶和價帶的能階差。除此之外，光電流的大小與Sb2Te3奈米薄片的導電率成正比。 這些結果都顯示光電流跟Sb2Te3的Bulk state 的能帶有直接關係，而非拓普表面態，這個結果修正目前對於廣域光感應器原理的概念。)
● Shiu-Ming Huang, Chien Lin, Sheng-Yu You, Pin-Cyuan Chen, Jai-Long Hong, Jyun-Fong Wong, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu and Mitch M. C. Chou. Observation of Landau Level-Dependent Aharonov-Bohm-Like Oscillations in a Topological Insulator, Nanoscale Research Letter 15, 171 (2020).(通訊作者)
(文章成果:延續先前的發現Aharonov-Bohm 量子震盪，我們更進一步發現在拓譜絕緣體中觀測到的類Aharonov-Bohm 量子震盪的週期跟Landau 能階數 開根號有直接相關。這是首篇實驗上觀測到類Aharonov-Bohm量子震盪的週期跟Landau 能階有關係的實驗論文。)
● Shiu-Ming Huang, Lin-Jie Lin, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu, Mitch M. C. Chou, Ho-Feng Hsieh, Chin-Jung Ho and Ruei-San Chen. Extremely enhanced photocurrent response in Topological insulator nanosheets with high conductance. Nanoscale Research Letter 13, 371 (2018).(通訊作者)
(文章成果:追求高光電流效應是目前材料研究中的一個主題。其中，由於拓譜材料特別的表面態特性也常常被拿來做研究，拓譜材料的光電流效應也呈現不錯的結果。這篇文章中，我們學習了一系列不同厚度的Sb2Se2Te及Sb2SeTe2拓譜奈米薄片(nanosheets)。我們的分析顯示就這系列的材料中，其光電流的光響應度跟其奈米薄片整體的電導率有關，而非跟厚度有關係。這也說明整體的光電流響應度不僅僅跟表面態有關而已應該是跟體態(bulk state)加上表面態的整體效應有關。)
● Shiu-Ming Huang, Kai-Jui Chen, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu and Mitch Chou. The thickness-induced magneto-transport and optic properties enhancement in Sb2Te3 flake. Sci. Rep. 8, 16690 (2018).(通訊作者)
● Shiu-Ming Huang, Pin-Chun Wang, Chien Lin, Sheng-Yu You, Wei-Cheng Lin, Lin-Jie Lin, You-Jhih Yan, Shih-Hsun Yu, and Mitch Chou. The Aharonov-Bohm oscillation in the BiSbTe3 topological insulator macroflake. Appl. Phys. Lett. 112, 203103 (2018).(通訊作者)
(文章成果:Aharonov-Bohm 量子震盪是個電子干涉效應的一個表徵，也是證明電子有波特性的一個物理特性。由於電子的散射長度很短，也因此這個現象也通常只有在奈米線或是奈米尺度的系統中觀測到。這篇論文的重點在於我們首次在mm尺度下的拓譜絕緣體觀測到類Aharonov-Bohm (AB)量子震盪。)(論文成果海報)
● Yong Zhou, Jiawei Lai, Lingjian Kong, Junchao Ma, Zhu Lin, Fang Lin, Rui Zhu, Jun Xu, Shiu-Ming Huang, Dongsheng Tang, Song Liu, Zhensheng Zhang, Zhi-Min Liao, Dong Sun, Dapeng Yu. Single crystalline SmB6 nanowires for self-powered, broadband photodetectors covering mid-infrared. Appl. Phys. Lett. 112, 162102 (2018).
(文章成果:SmB6是個小能帶的半金屬，在使用Ti/Au作為電極的元件中實驗顯示SmB6奈米線具有廣域光感應反映。優於其他先前的報導，就這個材料無須外加偏壓就可以可以產生光電流。而光電流跟外加的光強度以及呈現性關係，而光電流的量子效應以及探測能力則不隨光的強度有所不同。)
● L. X. Qin, X.C. Pan, F.Q. Song, L. Zhang, Z. H. Sun, M. Q. Li, P. Gao, B. C. Lin, S. M. Huang, R. Zhu, J. Xu, F. Lin, H. Z. Lu, D. Yu, Z. M. Liao. Confined-path interference suppressed quantum correction on weak antilocalization effect in a BiSbTeSe2 topological insulator. Appl. Phys. Lett. 112, 032102 (2018).
(文章成果:Aharonov-Bohm 量子震盪是個電子干涉效應的一個表徵，也是證明電子有波特性的一個物理特性。電子的散射長度探測電極的間距會直接影響到觀測到的訊號結果。這篇論文的重點在於我們在拓譜絕緣體觀測到Aharonov-Bohm (AB) 量子震盪，而這個AB量子震盪的訊號大小會隨著偵測電極的間距有所改變，但其萃取的量子干涉長度以及量子干涉長度跟溫度的關係並不會隨著偵測電極的間距有所改變。)
● Zhu Lin, Yong Zhou, Ling-Jian Kong, Dongsheng Tang, Hai-Zhou Lu, Shiu-Ming Huang, Rui Zhu, Jun Xu, Fang Lin, Jianbo Wang, Zhi-Min Liao, and Dapeng Yu. Interplay between topological surface states and superconductivity in SmB6/NbN tunnel junctions. Phys. Rev. B 96, 165408 (2017).
● S. M. Huang, S. J. Huang, Y. J. Yan, S. H Yu, M. Chou, H. W. Yang, Y. S. Chang and R. S. Chen. Highly responsive photoconductance in a Sb2SeTe2 topological insulator nanosheet at room temperature. RSC Advances 7, 39057 (2017).(通訊作者)
(文章成果:如下面 提及我們的Sb2SeTe2拓譜絕緣體單晶奈米薄片(nanosheet)的光感應率(responsivity)以及光電流增益(Gain) 都是當時所有拓譜材料中最大。我們接著學習Sb2Se2Te拓譜絕緣體單晶奈米薄片(nanosheet)，結果顯示這個材料的光感應率(responsivity)以及光電流增益(Gain) 比我們先前的Sb2SeTe2拓譜絕緣體單晶奈米薄片更高。而且即便在大氣中的光感應率(responsivity)以及光電流增益(Gain)也比當時所有的拓譜材料來的高(其他實驗都在真空中進行，在真空中的實驗會比大氣中的實驗結果成效更好)。實驗顯示Sb2SeTe2拓譜絕緣體單晶奈米薄片更具有高度的光感應器應用價值。)
● S. M. Huang, Y. J. Yan, S. H. Yu, and M. Chou. Thickness-dependent conductance in Sb2SeTe2 topological insulator nanosheets, Sci. Rep. 7, 1896 (2017).(通訊作者)(論文成果海報)
● S. M. Huang, S. J. Huang , C. Hsu, P. V. Wadekar, Y. J. Yan, S. H. Yu, and M. Chou, Enhancement of carrier transport characteristic in the Sb2Se2Te topological insulators by N2 adsorption, Sci. Rep. 7, 5133 (2017).(通訊作者)
● S. M. Huang, C. Y. Huang, S. J. Huang, C. Hsu, S. H. Yu, M. Chou, P. V. Wadekar, Quark Y. S. Chen and L. W. Tu, Observation of surface oxidation resistant Shubnikov-de Haas oscillations in Sb2SeTe2 topological insulator, J. Appl. Phys. 121 , 054311 (2017).(通訊作者)
(文章成果:由於拓譜材料的表面態的載子遷移率，也因此在應用上具有許多良好的傳輸特性。就理論上的預測，表面態的特性是不會受雜質或是晶格缺陷所影響，但實驗的結果顯示，拓譜絕緣體時常因為氧化而失去了原本的特性，而且更常因為氧化(一接觸到大氣)而使得拓譜表面態的特性消失。這會是個限制拓譜材料應用的阻礙。我們這個實驗顯示我們的Sb2SeTe2表面態載仔的傳輸特行甚至費米能階(Fermi level)的大小都不會受到氧化或是其他外在因素所影響。這是首次證明拓譜表面態不受外界雜質或是氧化因素影響的實驗報告。而且，我們的成長方式是個可以成長高品質拓譜單晶材料的適當方式。)
● S. M. Huang, S. H. Yu, and M. Chou, Two-Carrier Transport-Induced Extremely Large Magnetoresistance in High Mobility Sb2Se3, Journal of Applied Physics, 121 (2017).(通訊作者)
(文章成果:Bi(2-x)SbxTe(3-y)Sey是個拓譜絕緣體的配方，其中理論上計算預測Sb2Se3不是拓譜絕緣體。也因次很少人學習Sb2Se3的傳輸特性，大多的實驗工作都集中在其他配方率的拓譜絕緣體。非飽和磁阻是個拓譜絕緣體中的一個特性，這個特性也預期可以用於磁場的感測器。理論上也有許多不同的模型來解釋拓譜材料具有非飽和磁阻的原因。就實驗上，許多工作也在調整元素配方和成長方式來得到最大的非飽和磁阻。我們的研究顯示我們的Sb2Se3具有非飽和磁阻而且我們的不飽和磁阻比率(MR ratio)高所有報導的Bi(2-x)SbxTe(3-y)Sey的拓譜絕緣體。我們也提出了可能理論模型來解釋為什麼非拓譜絕緣體Sb2Se3可以觀測到如此大的非飽和磁阻。)
● S. M. Huang, Effect of thermal annealing on the spin Seebeck effect in Pt/Ni81Fe19 at room temperature, Thin solid film 631, 200 (2017).(通訊作者)
● S. M. Huang, S. J. Huang, Y. J. Yan, S. H. Yu, M. Chou, H. W. Yang, Y. S. Chang and R. S. Chen, 'Extremely high-performance visible light photodetector in the Sb2SeTe2 nanoflake', Sci. Rep. 7 , 45413 (2017).(通訊作者)
(文章成果:由於拓譜表面態線性能量和動量關係(類似於石墨稀)，石墨稀因為對於光子的吸收率太低所以對於光感應強度成效上不佳。但許多拓譜材料已廣泛被報導可作為廣域光感應器的材料。而實驗文獻顯示不同成長方式以及材料的特性使得不同材料有不同的光反應強度。這篇實驗工作顯示，我們的Sb2SeTe2拓譜絕緣體單晶奈米薄片(nanosheet)的光感應率(responsivity)以及光電流增益(Gain) 都是目前所有拓譜材料中最大，而且都是大好幾個數量級。這顯示我們的Sb2SeTe2拓譜絕緣體單晶奈米薄片具有高度的光感應器應用價值。)
● S. M. Huang, S. H. Yu, M. Chou, The temperature dependence of the crossover magnetic field of linear magnetoresistance in the Cu0.1Bi2Se3, Mater. Res. Express 3, 086103 (2016).(通訊作者)
● S. M. Huang, S. H. Yu, and M. Chou, The Large Linear Magnetoresistance in Sb2Se2Te Single Crystal with Extremely Low Mobility, Materials Research Express, 3 (2016).(通訊作者)
● S. M. Huang, S. Y. Lin, J. F. Chen, C. K. Lee, S. H. Yu, M. M. C. Chou, C. M. Cheng, and H. D. Yang, Shubnikov-De Haas Oscillation of Bi2Te3 Topological Insulators with Cm-Scale Uniformity, Journal of Physics D-Applied Physics, 49 (2016).(通訊作者)
● S. M. Huang, S. H. Yu, and M. Chou, The Linear Magnetoresistance from Surface State of the Sb2SeTe2 Topological Insulator, Journal of Applied Physics, 119 (2016).(通訊作者)
● S.M. Huang, J.L. Jheng, The influence of graphene surface configuration on molecular detection output signals, Journal of Physics D-Applied Physics, 48 (2015).(通訊作者)
● Y.H. Liu, C.W. Chong, J.L. Jheng, S.Y. Huang, J.C.A. Huang, Z. Li, H. Qiu, S.M. Huang, V.V. Marchenkov, Gate-tunable coherent transport in Se-capped Bi2Se3 grown on amorphous SiO2/Si, Applied Physics Letters, 107 (2015).(通訊作者)
● S.M. Huang, P. Kumar, Effects of molecular adsorption on carrier transport properties of large-size graphene, Journal of Applied Physics, 117 (2015).(通訊作者)
● S.M. Huang, Y.F. Fan, P. Kumar, Gas detection using large-size graphene with defects, Journal of Applied Physics, 116 (2014).(通訊作者)
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