2025年度

• Zhipeng Liang君（M1）が，UAE・Dubaiで開催された国際会議 IEEE International System-on-Chip Conference (SOCC) で研究成果を発表し、Student paper contest で First place を受賞いたしました。

  • Zhipeng Liang, Shin Taniguchi, Hajime Takayama, and Michihiro Shintani, "Cryogenic Characterization and Compact Modeling of Forward Body-Bias Effects in 180 nm Bulk CMOS Transistors," in Proc. of IEEE International System-on-Chip Conference (SOCC), Sep 2025.

• 松本和希君（M2）と西岡大稀君（M1）の研究成果が、国際会議 IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC) に採択されました。

  • Kazuki Matsumoto, Taiki Nishioka, Hajime Takayama, Jun Furuta, Kazutoshi Kobayashi, and Michihiro Shintani, "Variation-Aware Circuit Simulation of Parallel-Connected SiC MOSFETs Based on Individual Device Modeling," in Proc. of IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC), Nov. 2025.

  • Taiki Nishioka, Kazuki Matsumoto, Hajime Takayama, Jun Furuta, Kazutoshi Kobayashi, and Michihiro Shintani, "Gate-Voltage-Dependent Input Capacitance Partitioning for Accurate Modeling of Trench-Gate SiC MOSFETs," in Proc. of IEEE International Future Energy Electronics Conference (IFEEC), Nov. 2025.

• 西岡大稀君（M1）が、2025年9月18、19日に利尻島で開催された電気学会 半導体電力変換研究会で研究成果を発表しました。

  • 西岡大稀, 高山創, 古田潤, 小林和淑, 新谷道広, "SiC MOSFETの出力容量における大信号特性の測定手法に関する検討", 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-25-162, pp.13-18, 2025年9月.

• 岩崎哲朗君（2024修了生）が、2025年8月27日〜29日に石川県加賀市で開催されたDAシンポジウムで情報処理学会 SLDM研究会 最優秀発表賞および優秀発表賞を受賞しました。受賞対象論文は下記です。（賞状）（賞状）

  • 岩崎哲朗, 佐藤高史, 新谷道広, "スパースガウス過程回帰に基づく極低温トランジスタ電流モデリング",  電子情報通信学会技術研究報告 (VLSI設計技術研究会), VLD2024-58, pp.177-182, 2024年11月.

• Zhipeng Liang君（M1）の研究成果が、国際会議 IEEE International System-on-Chip Conference (SOCC) に採択されました。

  • Zhipeng Liang, Shin Taniguchi, Hajime Takayama, and Michihiro Shintani, "Cryogenic Characterization and Compact Modeling of Forward Body-Bias Effects in 180 nm Bulk CMOS Transistors," in Proc. of IEEE International System-on-Chip Conference (SOCC), Sep 2025.

• Keysight Technologies が主催するフォーラム Keysight Design Forum 2025 Tokyo で招待講演を行いました。

  • 新谷道広, "コンパクトモデルの民主化に向けた実践知", Keysight Design Forum 2025 Tokyo, 2025年7月.

• Sanchari Guhaさん（D2）の研究成果が、国際会議 International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management in India (PCIM-India) に採択されました。

  • Sanchari Guha, Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Michihiro Shintani, "Comprehensive Characterization of SiC Schottky Barrier Diodes From Room Temperature Down to 7K," in Proc. of International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management in India (PCIM-India) (New Delhi), Dec. 2025.

• 西岡大稀君（M1）の研究成果が国際会議 Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information Technologies (SASIMI) 2025 に採択されました。

  • Taiki Nishioka, Kazuki Matsumoto, Hajime Takayama, Jun Furuta, Kazutoshi Kobayashi, and Michihiro Shintani, "Modeling of Dynamic Input Capacitance in Trench-Gate SiC MOSFETs via Voltage-Dependent Gate Oxide Capacitance Partitioning" in Proc. of Workshop on Synthesis And System Integration of Mixed Information Technologies (SASIMI) (Nara, Japan), Oct 2025.

• 2025年6月22〜25日にサンフランシスコで開催された Design Automation Conference (DAC) 2025 に参加し、その後、University of California San Diego の Prof. Alex Orailoglu の研究室を訪問して研究ディスカッションを行いました。

• 2025年6月9日〜11日に猪苗代で開催された HotSPA2025 で招待講演を行いました。

  • 新谷道広, 木村睦, "[招待講演] スパースガウス過程回帰を用いたメムデバイスの回路シミュレーションモデル化", 電子情報通信学会（コンピュータシステム研究専門委員会）, 2025年6月.

• 高山創先生の研究成果が米国 Philadelphia で開催される国際会議 IEEE Energy Conversion Conference and Expo (ECCE) 2025 に採択されました。

  • Hajime Takayama, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "In-situ Measurement of Gate Switching Instability via Switching Waveforms," in Proc. of IEEE Energy Conversion Conference and Expo, (Philadelphia, PA), Oct. 2025.

• 国際論文誌 IEEE Transactions on Electron Devices に採択され早期版が公開されました。本研究は、佐藤高史先生（京都大学）との共同研究成果です。

  • Michihiro Shintani, Kazuki Oishi, Yota Nishitani, Hajime Takayama, and Takashi Sato, "Comprehensive MOSFET Capacitance Characterization Based on Charge Trajectories," in IEEE Transactions on Electron Devices, 2025. (DOI: 10.1109/TED.2025.3572874)

• 2025年5月13日、14日で東京大学 VDEC で開催されたシステムとLSIのワークショップ2025で Zhipeng Liang 君（M1）が研究成果を発表し、優秀ポスター賞（学生部門）を受賞しました。（賞状）

  • Zhipeng Liang, 谷口真, 高山創, 新谷道広, "バルクCMOSトランジスタにおける極低温の Forward Body Biasing を用いた電流特性の測定とモデリング", システムとLSIのワークショップ2025, 5月, 2025.

• 2025年5月6～8日にドイツの Nürnberg で開催された International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM) 2025 で、高山創先生が研究成果を発表しました。

  • Hajime Takayama, Yota Nishitani, Kazuki Matsumoto, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Accurate Power MOSFET Modeling with Off-the-shelf Instruments," in Proc. of International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM), (Nürnberg, Germany), pp. 2640-2646, May 2025.

• 2025年5月6日に、阪大 塩見準先生、名大 増田豊先生らと、The University of Texas at Dallas の Prof. Yiorgos Makris、Prof. Benjamin Carrion Schaefer を訪問し技術ディスカッションを行いました。

• 2025年5月1日、2日に米国 Monterey で開催された ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems (TAU) で Zhipeng Liang 君（M1）が研究成果を発表しました。新谷も招待講演を行いました。

  • Zhipeng Liang, Shin Taniguchi, Hajime Takayama, and Michihiro Shintani, "Compact Modeling for Cryogenic-aware Forward Body Biasing in 180nm Bulk CMOS," in Proc. of ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems (TAU), (Monterey, CA), pp.30-35, May 2025.

  • Michihiro Shintani, "Transistor Model Development for Cryo-IC Design Environment", Proc. of ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems (TAU), (Monterey, CA), May 2025.

• JST ASPIRE で共同研究をしている University of California San Diego の Prof. Alex Orailoglu が研究室を訪問しセミナーを行いました。

• 高山創先生が助教として着任されました。

2024年度

• 五枝大典君（M2）が、2025年3月24日〜27日にTexas 州 San Antonio で開催された国際会議 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2025 で研究成果を発表しました。

  • Daisuke Goeda, Tomoki Nakamura, Masuo Kajiyama, Makoto Eiki, Hajime Takayama, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Test Accuracy Improvement of Ensemble Gaussian Process-based IC Outlier Detection Using Temporal Similarity among Wafers," in Proc. of IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), (San Antonio, TX),  pp.157-162, March 2025.

• 2025年3月24日〜28日に東京都市大学で開催された電子情報通信学会総合大会の企画セッションで講演を行いました。

  • 新谷道広, "Cryo-VLSI 設計環境のためのトランジスタモデル開発," 電子情報通信学会総合大会, AC1-1, 2025年3月.

• 2025年3月22日に学位記授与式が開催され、研究室メンバーで記念撮影を行いました。

• 西岡大稀君（B4）が、2025年3月18日〜20日に明治大学 中野キャンパスで開催された電気学会全国大会で研究成果を発表しました。

  • 西岡大稀, 松本和希, 高山創, 古田潤, 小林和淑, 新谷道広, "トレンチ型SiC MOSFETの動的入力容量のモデル化の検討", 電気学会全国大会 (於 明治大学), 4-084, 2025年3月.

• 中河英治君（B4）が、2025年3月16、17日に東京理科大学で開催された応用物理学会春季学術講演会で研究成果を発表しました。

  • 中河英治, 高山創, 新谷道広, "極低温における商用SiC MOSFETの特性測定に関する一検討", 応用物理学会春季学術講演会 (於 東京理科大学), 16a-K301-1, 2025年3月.

• Zhipeng Liang君（B4）の研究成果および塩見準先生（阪大）らとの共同研究成果が、2025年5月に米国モントレーで開催予定の ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems (TAU) に採択されました。

  • Zhipeng Liang, Shin Taniguchi, Hajime Takayama, and Michihiro Shintani, "Compact Modeling for Cryogenic-aware Forward Body Biasing in 180nm Bulk CMOS," in Proc. of ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems, May 2025.

  • Kotaro Tominaga, Ryosuke Matsuo, Yoshihiro Midoh, Noriyuki Miura, Michihiro Shintani, and Jun Shiomi, "Ternary Logic Operation of CMOS Inverters under Low-temperature and Low-voltage Conditions," in Proc. of ACM International Workshop on Timing Issues in the Specification and Synthesis of Digital Systems, May 2025.

• 高谷彩乃さん（M2）が、2025年3月5日～8日 に沖縄県那覇市で開催された電子情報通信学会 VLSI設計技術研究会で研究成果を発表しました。本論文はVLD研究会優秀技術報告賞を受賞し、来年度開催されるデザインガイア2025で表彰される予定です。

  • 高谷彩乃, 中島隆一, 塩見準, 新谷道広, "低温環境下におけるトランジスタ特性を用いたハードウェアトロイの開発", 電子情報通信学会技術研究報告 (VLSI設計技術研究会), VLD2024-128, pp.144-149, 2025年3月.

• 研究室の追いコンを開催しました。

• 五枝大典君（M2）の研究成果が国際会議 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2025 に採択されました。本研究は、ソニーセミコンダクタマニュファクチャリングとの共同研究成果です。

  • Daisuke Goeda, Tomoki Nakamura, Masuo Kajiyama, Makoto Eiki, Hajime Takayama, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Test Accuracy Improvement of Ensemble Gaussian Process-based IC Outlier Detection Using Temporal Similarity among Wafers," in Proc. of IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) (San Antonio, TX), March 2025. (to appear)

• 2025年1月20日〜23日に東京・日本科学未来館で開催された ACM/IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) 2025 で、岩崎哲朗君（M2）、高谷彩乃さん（M2）、Navarro Dondee先生らの研究成果および塩見準先生（阪大）らとの共同研究成果を含む4件の発表を行いました。

  • Takahiro Ishikawa, Kose Yokooji, Yoshihiro Midoh, Noriyuki Miura, Michihiro Shintani, and Jun Shiomi, "Hardware Trojan Detection by Fine-grained Power Domain Partitioning," in Proc. of ACM/IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) (Tokyo, Japan),  pp.1257-1263, Jan. 2025.

  • Ayano Takaya, Ryuichi Nakajima, Jun Shiomi, and Michihiro Shintani, "Cryo-HT: Hardware Trojan Activated at Cryogenic Temperatures," in Proc. of ACM/IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) (Tokyo, Japan), pp.1264-1269, Jan 2025.

  • Dondee Navarro, Shin Taniguchi, Chika Tanaka, Kazutoshi Kobayashi, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Physics-based Modeling to Extend a MOSFET Compact Model for Cryogenic Operation," in Proc. of ACM/IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) (Tokyo, Japan), pp.1420-1425, Jan. 2025.

  • Tetsuro Iwasaki, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Cryo-Compact Modeling Based on Sparse Gaussian Process," in Proc. of ACM/IEEE Asia and South Pacific Design Automation Conference (ASP-DAC) (Tokyo, Japan), pp.1426-1431, Jan 2025.

• 高山創先生の研究成果が、国際会議 International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM) 2025に採択されました。PCIMは世界最大のパワーエレクトロニクスの展示会です。

  • Hajime Takayama, Yota Nishitani, Kazuki Matsumoto, Takashi Sato, and Michihiro Shintani, "Accurate Power MOSFET Modeling with Off-the-shelf Instruments," in Proc. of International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management (PCIM) (Nürnberg, Germany), May 2025.

• 谷口真君（M1）が2024年11月21、22日に龍谷大学で開催された国際会議 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2024で、研究成果を発表しました。

  • Shin Taniguchi and Michihiro Shintani, "Evaluation of a BSIM4 Model at Cryogenic Temperature Using 65 nm Bulk Transistors," in Proc. IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) (Kyoto, Japan), Nov. 2024.

• 松本和希君（M1）が、2024年11月14、15日に日立シビックセンターで開催された電気学会 半導体電力変換研究会で研究成果を発表し、学生奨励賞を受賞しました。（賞状）

  • 松本和希, 高山創, 古田潤, 小林和淑, 新谷道広, "個々の SiC MOSFET のモデル化に基づく特性ばらつきを考慮した回路シミュレーション", 電気学会 半導体電力変換研究会, SPC-24-181, pp.19-24, 2024年11月.

• 浦田涼雅君（2023卒業生）が、2024年11月12日～14日 で開催されたデザインガイア2024で IEEE CEDA All Japan Joint Chapter Academic Research AwardおよびVLD優秀技術報告賞を受賞しました。受賞対象論文は下記です。(賞状) (賞状) (web)

  • 浦田涼雅, 篠田太陽, 木村睦, 新谷道広, "ガウス過程回帰に基づく薄膜強誘電体メムキャパシタのモデル化と評価 ", 電子情報通信学会技術研究報告 (VLSI設計技術研究会), VLD2023-128, pp.151-156, 2024年2月.

• 岩崎哲朗君（M2）が、2024年11月12〜14日に大分コンパルホールで開催されたデザインガイア2024で研究成果を発表しました。本論文はVLD研究会優秀技術報告賞とSLDM研究会優秀発表賞を受賞し、それぞれ、来年度開催されるデザインガイア2025とDAシンポジウム2025にて表彰される予定です。

  • 岩崎哲朗, 佐藤高史, 新谷道広, "スパースガウス過程回帰に基づく極低温トランジスタ電流モデリング",  電子情報通信学会技術研究報告 (VLSI設計技術研究会), VLD2024-58, pp.177-182, 2024年11月.

• 岩崎哲朗君（M2）、五枝大典君（M2）、高谷彩乃さん（M2）が、2024年11月7日にキャンパスプラザ京都で開催されたSLDM研究発表会 (SLDM WIP Forum 2024)で研究成果を発表しました。岩崎君の発表はIEEE CASS Kansai Chapter Best Student Presentation Awardを受賞しました。(賞状)

  • 岩崎哲朗, 佐藤高史, 新谷道広, "スパースガウス過程回帰に基づく極低温CMOSコンパクトモデリング",  情報処理学会 SLDM研究発表会 (SLDM WIP Forum 2024), 2024年11月.

  • 五枝大典, 中村友紀, 梶山賀生, 栄木誠, 高山創, 佐藤高史, 新谷道広, "同一ロット内のウェハ間特性の類似性を考慮したガウス過程回帰に基づくLSI良品判定手法", 情報処理学会 SLDM研究発表会 (SLDM WIP Forum 2024), 2024年11月.

  •  高谷彩乃, 中島隆一, 塩見準, 新谷道広, "低温環境下で動作するハードウェアトロイの試作評価", 情報処理学会 SLDM研究発表会 (SLDM WIP Forum 2024), 2024年11月.

• 小林和淑先生らとの共同研究成果を IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) で発表しました。

  • Takumi Takehisa, Takehiro Takahashi, Jun Furuta, Michihiro Shintani, and Kazutoshi Kobayashi, "A Multilevel Gate Driver Operating with a Single Voltage Supply and Simple Control Signals for Monolithic Integration of Power GaN HEMT," in Proc. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), pp.6570-6575, Oct. 2024.

• 松尾亮祐先生、塩見準先生（阪大）らとの共同研究成果を IEEE International Conference on Quantum Computing and Engineering (QCE) で発表いたしました。

  • Ryosuke Matsuo, Kazuhisa Ogawa, Hidehisa Shiomi, Makoto Negoro, Ryutaro Ohira, Takefumi Miyoshi, Michihiro Shintani, Hiromitsu Awano, Takashi Sato, and Jun Shiomi, "Square-wave defined pulse generator for high fidelity gate operation of superconducting qubits," in Proc. IEEE International Conference on Quantum Computing and Engineering (QCE) (Montréal, Québec, Canada), pp. 378-pp.379, 2024.

• 谷口真君（M1）の研究成果が国際会議 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2024に採択されました。

  • Shin Taniguchi and Michihiro Shintani, "Evaluation of a BSIM4 Model at Cryogenic Temperature Using 65 nm Bulk Transistors," in Proc. IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) (Kyoto, Japan), Nov. 2024. (to appear)

• 2024年9月10〜12日に、米国Utah州Snowbirdで開催された国際会議 ACM/IEEE International Symposium on Machine Learning for CAD (MLCAD) で招待講演を行いました。本発表は佐藤高史先生（京都大学）との共同研究成果です。

  • Michihiro Shintani and Takashi Sato, "(Invited) Redefining Outliers for On-Wafer Electrical Testing," in Proc. of ACM/IEEE International Symposium on Machine Learning for CAD (MLCAD), (Snowbird, Utah), Sept. 2024. (DOI:10.1145/3670474.3689186)

• 2024年8月28〜30日に、三重県鳥羽市で開催されたDAシンポジウムで、塩見準先生（大阪大学）らが共同研究成果を発表しました。

  • 冨永孝太郎, 松尾亮祐, 御堂義博, 三浦典之, 新谷道広, 塩見準, "低温・低電圧動作による CMOS インバータの3値論理特性", 情報処理学会DAシンポジウム, pp.100-105, 2024年8月.

  • 石川貴大, 横大路弘成, 御堂義博, 三浦典之, 新谷道広, 塩見準, "細粒度電源ドメイン分割によるハードウェアトロイ検出の高精度化", 情報処理学会DAシンポジウム, pp.8-13, 2024年8月.

• 谷口真君（M1）が、2024年7月18、19日に弘前大学で開催された電子情報通信学会 VLSI設計技術研究会で研究成果を発表しました。

  • 谷口真, 新谷道広, "65nmバルクトランジスタを用いた極低温環境下におけるBSIM4の評価", 電子情報通信学会技術研究報告 (VLSI設計技術研究会), VLD2024-11, pp.57-62, 2024年7月.

• 木村睦先生（龍谷大学）らとの共同研究成果が IEEE Transactions on Electron Devices に採択され、早期版が公開されました。 

  • Yuma Ishisaki, Reon Oshio, Takumi Kuwahara, Michihiro Shintani, Eisuke Tokumitsu, Tokiyoshi Matsuda, Hidenori Kawanishi, Yasuhiko Nakashima, and Mutsumi Kimura, "Analog Memcapacitor by Ferroelectric Capacitor and its Application to Spiking Neuromorphic System" in IEEE Transactions on Electron Devices, 2024. (DOI:10.1109/TED.2024.3408783) (in press)

• 2024年6月19〜21日に開催されるオンラインカンファレンス エッジAI イニシアチブ 2024 にて招待講演を行います。

  • 新谷道広, "エッジAIによる集積回路検査の高精度化と高効率化の両立".

• キオクシア株式会社とのクロスアポイント契約に基づき、田中千加先生とNavarro Dondee先生が特任准教授として着任されました。本件についてキオクシアと京都工芸繊維大学にてそれぞれプレスリリースを行いました。

• 2024年4月16日〜18日に Edinburgh, Scotland で開催された国際会議 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS)で研究成果を発表しました。本研究は京都大学との共同研究成果です。

  • Michihiro Shintani, Tetsuro Iwasaki, and Takashi Sato, "Gaussian process-based device model toward a unified current model across room to cryogenic temperatures," in Proc. of IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) (Edinburgh, Scotland), 3.2, Apr. 2024. 

• 高山創先生が特任助教として着任されました。