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우리는 고립 된 거의 평탄한 밴드를 얻기 위한 최적의 조건을 찾기 위해 비틀림 각도 및 수직인 전기장의 함수로서 비틀린 단층-이중층 그래핀 (tMBG) 삼중 층 또는 이중층 그래핀상의 뒤틀린 그래핀의 밴드 구조를 연구한다. Ueff/W11을 만족하는 유효 쿨롱 에너지와 비슷하거나 그보다 작은 대역폭은 0.3º–1.5º 범위의 뒤틀림 각도에서 예상되며, 좀 더 구체적으로, 적절한 수직 전기장 크기와 방향의 경우 θ~0.5º, 0.85º, 1.3º 근처에서 예상된다. 전자-정공 비대칭 밴드의 밸리 Chern number는 본질적으로 이중층 그래 핀의 hopping 항의 세부 사항에 따라 달라지며, 외부 적으로는 육방정계 질화붕소 기판과 접촉된 그래핀 층의 전기장 또는 평균 엇갈림최적의 조건을 찾기 위해 비틀림 각도 및 수직인 전기장의 함수로서 비틀린 단층-이중층 그래핀 (tMBG) 삼중 층 또는 이중층 그래핀상의 뒤틀린 그래핀의 밴드 구조를 연구한다. Ueff/W11을 만족하는 유효 쿨롱 에너지와 비슷하거나 그보다 작은 대역폭은 0.3º–1.5º 범위의 뒤틀림 각도에서 예상되며, 좀 더 구체적으로, 적절한 수직 전기장 크기와 방향의 경우 θ~0.5º, 0.85º, 1.3º 근처에서 예상된다. 전자-정공 비대칭 밴드의 밸리 Chern number는 본질적으로 이중층 그래 핀의 hopping 항의 세부 사항에 따라 달라지며, 외부 적으로는 육방정계 질화붕소 기판과 접촉된 그래핀 층의 전기장 또는 평균 엇갈림 전위와 같은 요인에 따라 달라진다. 밴드 분리, 대역폭 및 밸리 chern numbers 의 이러한 조정 기능으로 인해 tMBG 삼중층은 강한 상관 관계가 발생하기 쉬운 거의 평평한 대역을 찾는데 있어 비틀린 이중층 그래핀보다 더 다양한 시스템이 된다.