在這個主題當中我們發現非共線性反鐵磁 (銥錳) 特殊的反鐵磁序可以建立起特殊的尼爾張量，而尼爾張量可以影響相鄰的鐵磁磁矩產生零場的自旋軌道矩翻轉，此為第三代MRAM在技術上非常重要的突破。

在一重金屬/鐵磁/反鐵磁三層膜中，透過改變反鐵磁序化度的強弱，可以調整元件的憶阻性及隨機性，在反覆讀寫測試下可以顯現出截然不同的性質，具隨機性的元件可以應用於亂數產生器，而憶阻性的元件則可應用在類神經元計算。

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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/aelm.202300472

自然亂數在固態元件中是一個特別的存在，原因在於一般記憶體是不允許有隨機性的存在，而完全沒有規則、沒有序化度之記憶體反之可以成為一個產生自然亂數的固態元件，搭配擬自然亂數產生器，則可以產生高可靠度的亂數群。

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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/aelm.202400422