團隊發現一個可以利用反鐵磁材料誘發磁鄰近效應於二維材料MoS2的現象，原因在於反鐵磁的未補償表面磁矩可以使單層MoS2中的Trion有不對稱的佔有率，而進一步自旋極化Exciton的能態，這個結果可以做為能谷電子記憶體的特徵。

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https://www.mdpi.com/1996-1944/17/16/3933

近期二維材料間的Morie pattern關係會影響物理性質，我們的研究發現，不只是二維材料間的堆疊有這樣的性質，單層二維材料與單晶基板的Morie pattern也會影響二維材料的性質，以我們的觀察結果單層MoS2的螢光光譜放光的能量位置也會隨著與基板的角度堆疊，有很明顯的週期性。這對將來調控單層MoS2能谷電子學的性質有相當大的潛力。