특허 출원

[특허출원] 전도체로부터 반도체화된 영역을 갖는 트랜지스터 

110 베이스 절연층

120 바디 전극

130 캐리어 억제층

130a 캐리어 억제층의 폭

150 축퇴반도체층

151 전도체 영역

152 반도체 영역

152a 반도체 영역의 폭

160 제2 층간절연층

163 게이트 절연막

165 게이트 전극

173 소오스 전극

175 드레인 전극

"전도체로부터 반도체화된 영역을 갖는 트랜지스터 " 이승백, 방지영, 최은석, 선현정, 이영훈

특허출원 

출원번호 : 10-2023-0088206 

출원일자 : 2023.07.07