Nanoelectronic Device Laboratory

Clean room에 대한 information

 FTC 1층에 위치한 Clean room은 나노과학기술을 연구하기 위한 공간으로써 4개의 room으로 구성되어 있습니다. 위의 Layout 상에 표시된 A, B, D room은 class 100, C room은 class 10의 청정도를 유지하고 있습니다. 차세대 비휘발성 메모리사업단에서 구입한 장비와 삼성에서 기증한 장비들이 이곳에 위치하게 됩니다. 본 연구실에서는 관련 연구과제인 고집적도 STT-MRAM 공정기술개발을 위한 최적의 환경을 클린룸에 구축하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 차세대 비휘발성 메모리의 개발과 관련된 대학내 시설로서는 세계적 규모를 자랑하는 이곳 클린룸은 한양대학교의 자랑이자, 본 연구실의 자부심입니다.

 A room은 삼성과 하이닉스와 함께 진행하는 STT-MRAM 과제를 위한 12“용 Magnetic Sputter(ULVAC)가 배치되어 있습니다. 이 장비는 MTJ를 구성하는 magnet material과 tunnel barrier를 sputtering하는 용도로 CoFeB, FePt, MgO등을 사용하고 있습니다. 

 B room은 증착 장비인 CVD와 ALD가 배치되어 있습니다. Novellus Speed 장비(CVD)는 Gap-fill 능력이 뛰어난 장비로써 깊은 hole pattern에 dielectric material을 채우기 용이합니다. ALD는 oxide계열이나 nitride계열을 atomic layer로 컨트롤하여 증착하는 장비입니다. 

 C room은 Yellow room으로 E-Beam Lithography 장비를 둘 예정입니다. E-Beam Litho는 미세 pattern이 용이하여 수십 nm급 MTJ Cells을 제작하기 위해서는 반드시 필요한 장비입니다. ER을 bake하기 위한 oven도 구축되어 있습니다. 

 D room에는 Magnetic Annealer, Coupon Sputter, Ion Miller, CMP, Asher, RIE 장비가 배치되어 있습니다. Magnetic Annealer는 12“ wafer용이며 최고 3 Tesla의 자장을 가해서 450도까지 가열하는데, magnetic layer의 자화 방향을 정렬하는 장비입니다. Coupon Sputter는 A room에 있는 Sputter와 같은 용도로 wafer를 chip 단위로 제작 용이하도록 설계된 장비입니다. Coupon Sputter 옆에 위치한 Ion miller는 Ion Beam으로 material을 etching하는 장비이며, CMP(Chemical Mechanical Polisher)는 소자의 평탄화 공정에 사용되는 장비입니다. RIE(Reactive Ion Etch)이 역시 etching 장비로 반응성 Gas를 plasma로 이온화하여 material을 물리적 화학적으로 etching하는 장비입니다. 반응성 Gas에 따라 oxide계열, nitride 계열, metal 계열을 etching 할 수 있습니다. 그리고 Asher는 O2 plasma를 이용하여 유기물을 제거하는 장비로 cleaning을 목적으로 사용되고 있습니다.