[ 2022학년도 1학기 개설 강좌 ]

• 고체전자물리

고체전자물리에 관한 강의의 입문으로써 고체재료에 대한 양자론의 기초를 배운 다음 device physics에 대해 상세히 강의한다.

(1) 반도체의 결정 특성과 성장: 반도체 재료, 결정 격자, 결정 성장 및 에피택셜 성장

(2) 원자와 전자: 보어의 모델, 양자역학, 원자구조와 주기율표

(3) 반도체의 에너지 밴드와 전하 캐리어: 고체의 결합력와 에너지 밴드, 반도체의 전하 캐리어, 캐리어 농도, 전자기장하의 캐리어 드리프트, 평형상태의 페르미 레벨의 일치현상

(4) 반도체의 과잉 캐리어: 광학적 흡수, 발광, 캐리어 생존시간과 광전도도, 캐리어의 확산 5. 접합: p-n 접합의 제작, 평형상태, 순, 역방향 접합, 접합의 파괴, 과도상태와 AC 조건, 금속-반도체 접합, 이종접합 

• 반도체회로공정

반도체소자및집적회로제조공정의기본기술인산화,확산,이온주입,CVD,사진식각및금속공정,에칭,CMP등의 전반적인 단위공정의 기본메카니즘을이해하고,VLSI, DRAM, Flash등 최신 반도체소자 제작공정에대해서학습한다.

(1) Crystal growth and Silicon Oxidation

(2) Optical and E-beam lithography

(3) Etching; Chemical and Reactive Ion Etching

(4) Doping; Diffusion and ion Implantation

(5) Thin-Film Deposition; Physical and Chemical Vapor Deposition, Atomic Layer Deposition

(6) Process Integration; Passive Components, Metallization, Chemical, Mechanical Polishing

(7) Process Integration; MOSFET, DRAM, Flash Memory, MEMS 

• 나노반도체소자

 Firstly, this lecture let students understand device operation theory for nano-scale MOS-FET(nano-scale metal-oxide-silicon field effect transistor). Secondly, this lecture let students learn about substrate bias effect, subthreshold characteristics, equivalent circuit, scaling-down theory, hot electron effect, drain-induced barrier lowering, short channel effect & narrow width effect, and gate induced drain leakage for nano-scale MOS-FET. Finally, this lecture let students study about device operation theory and technical barriers for nano-scale DRAM(nano-scale dynamic random access memory), NAND Flash memory, NOR flash memory, capless-DRAM(capless dynamic random access memory), ε-SGOI(strained SiGe-on-Insulator) C-MOS FET(complementary metal-oxide-silicon field effect transistor), silicon nano-wire C-MOS FET(complementary metal-oxide-silicon field effect transistor), ε-SGOI C-MOS FET(strained SiGe-on-Insulator complementary metal-oxide-silicon field effect transistor), and nano-wire C-MOS FET(nano-wire complementary metal-oxide-silicon field effect transistor).