本研究室では、次世代の省エネルギー社会を支えるパワーデバイス、特にその基盤となる半導体単結晶材料の欠陥研究に取り組んでいます。SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）、Ga₂O₃ （酸化ガリウム）といった次世代のワイドギャップ半導体に注目し、それらの結晶に含まれる格子欠陥（原子位置のずれ）の高精度な評価を進めています。これらの欠陥はデバイスの性能や信頼性に大きく影響を与えるため、先端的な放射光X線イメージングや顕微鏡観察技術、オペランド観測技術、機械学習を駆使して詳細に解析しています。材料科学とデバイス工学の知見を融合し、より高効率・高耐圧・高信頼性なパワーデバイスの実現に貢献できることを目指しています。

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