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EXAMINING
[7] C.H. Lee and D.H Lee, "Modulation-Doping-Based High Mobility Atomic Layer Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor", US 18/682,728 (2025.02.10)
[6] J.K. Suh, H.B Cho, S.W. Yang and C.H. Lee, "이차원 터널링 트랜지스터 및 그 제조 방법", KR10-2023-0171361
[5] C.H. Lee and S.M. Park, "모노리식 산화공정을 이용한 변조도핑 기반의 고이동도 반도체 소자 및 그 제조 방법", KR10-2023-0194345
[4] J.K. Suh, S.Y. Kim, J.E. Kwon and C.H. Lee, "펄싱 유기금속화학증착법 기반 이차원 소재의 농도/공간 제어 치환형 도핑 방법", KR10-2023-0171003
[3] C.H. Lee and Y.H. Kim, "모노리식 산화된 금속 쇼트키 게이트를 이용한 2차원 반도체 트랜지스터 및 그 제조 방법", KR10-2023-0194180
[2] S.W. Hwang, C.H. Lee, D.P Jang, S.M Yang, J.H Shim and H.U Cho, "생체 삽입형 센서 모듈 및 이를 포함하는 실시간 생체 모니터링 시스템", KR10-2023-0033873
[1] C.H. Lee and Y.S. Kim, "전이금속 칼코게나이드의 모노리식 밴드갭 제어에 의한 양자우물 구조 소자 제조 방법", KR10-2021-0112246
REGISTERED
[22] C.H. Lee and D.H Lee, "Zero-Power Detecting Sensor of Chemical Substance and Sensing Method", US11953444B2 (2023.12.13)
[21] C.-H. Lee and D.H. Lee, "변조도핑 기반의 고이동도 원자층 반도체 소자 및 그 제조방법", KR10-2557596 (2023.07.17)
[20] C.-H. Lee and H. Park,“무전력 화학물질 감지센서 및 센싱방법", KR10-2088244 (2020.03.06)
[19] C.-H. Lee and J. Y. Lee,“광전자화학 촉매 활성도 측정 방법 및 장치", KR10-2068733 (2020.01.15)
[18] C. Nuckolls, M. L. Steigerwald, X. Roy, P. Kim, C.-H. Lee, and S. J. Kang, Solid-state materials formed of molecular clusters and method of forming same”, US9856281B2 (2018.01.02)
[17] G.-C. Yi and C.-H. Lee, “Electronic device having carbon layer and method for manufacturing the same”, US9666673B2 (2017.05.30)
[16] G.-C. Yi, Y.-J. Kim, and C-H. Lee, “Solar cell and method for manufacturing same”, US9419158B2 (2016.08.16)
[15] G.-C. Yi, J. Heo, and C-H. Lee, “Solar cell and method for manufacturing same”, US9324888B2 (2016.04.26)
[14] G.-C. Yi and C.-H. Lee, “Electronic device and method for manufacturing same”, PCT/KR/2012/006984 (2012.08.31)
[13] G.-C. Yi, K. Chung, and C-H. Lee, “Light-emitting element and method for manufacturing same”, US9166101B2 (2014.10.20)
[12] G.-C. Yi and C.-H. Lee, “Light emission device and manufacturing method thereof”, US8878231B2 (2014.11.04)
[11] H. K. Sung, H. J. Jung, G.-C. Yi, Y. J. Hong, C.-H. Lee, and J. Park, “반도체 발광소자 (Semiconductor light emitting device)”, KR 10-1335945 (2013.11)
[10] G.-C. Yi, K. Chung, and C.-H. Lee, “전자소자 및 그 제조 방법 (Electronic device and manufacturing method thereof)”, KR 10-1309308 (2013.09.10)
[9] G.-C. Yi, Y. J. Hong, and C.-H. Lee, “반도체 광소자 및 그 제조 방법 (Semiconductor optoelectronic device and method for manufacturing thereof)”, KR 10-1263286 (2013.05.06)
[8] G.-C. Yi and C.-H. Lee, “전자소자 및 그 제조 방법 (Electronic device and manufacturing method thereof)”, KR 10-1217216 (2012.12.24)
[7] G.-C. Yi, K. Chung, and C.-H. Lee, “발광소자 및 그 제조 방법 (Light emitting device and method for manufacturing the same)”, KR 10-1217210 (2012.12.24)
[6] G.-C. Yi, C.-H. Lee, and Y.-J. Kim, “발광소자 및 그 제조 방법 (Light emitting device and method for manufacturing the same)”, KR 10-1217209 (2010.12.24)
[5] G.-C. Yi, Y.-J. Kim, C.-H. Lee, Y. J. Hong, and J. Yoo, “Field emission device, field emission display device and methods for manufacturing the same”, US08242676 (2012.08.14).
[4] G.-C. Yi, Y.-J. Kim, and C.-H. Lee, “태양전지 및 그 제조 방법 (Solar cells and for manufacturing method of the same)”, KR 10-1142545 (2012.04.26)
[3] G.-C. Yi and C.-H. Lee, “발광 디바이스와 이의 제조 방법 (Light emission device and manufacturing method thereof)”, KR 10-1061150 (2011.08.25)
[2] G.-C. Yi, Y.-J. Kim, C.-H. Lee, Y. J. Hong, and J. Yoo, “전계방출장치, 전계방출 표시장치 및 그 제조 방법 (Field emission device, field emission display device and methods for manufacturing the same)”, KR 10-1030531 (2011.04.14).
[1] G.-C. Yi, Y.-J. Kim, and C-H. Lee, “산화아연계 미세 구조물 및 그 제조방법 (ZnO microstructures and the preparation method thereof)”, KR 10-0767284 (2007.10.09).
- Technology transfer to LG Display Co.
APPLIED
[2] C.-H. Lee, and J. Y. Lee, “광전자화학 촉매 활성도 측정 방법 및 장치”, PCT/KR2019/001721 (2019.02.13)
[1] W. Huh, S.H Jang, G.W Wang and C.H. Lee, "가변 저항성을 가진 금속과 반도체 접합을 이용한 저항성 산화물 메모리 및 그의 제조 방법", KR10-2017-0118046
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