Members
Staff Members
寒川 義裕（Yoshihiro KANGAWA）
教授 ／所長
松尾 有里子（Yuriko MATSUO）
学術研究員
阿久津典子（Noriko AKUTSU）
協力研究員
塚本 順子（Junko TSUKAMOTO）
事務補佐員
Students
生越 奎太朗（Keitaro OGOSHI）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC2）
西澤 宏隆（Hirotaka NISHIZAWA）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC2）
原 太一（Taichi HARA）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC2）
宮口 真寬（Masahiro MIYAGUCHI）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC2）
佐藤 南帆（Naho SATO）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC1）
竹井 雄大（Yudai TAKEI）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC1）
村上 綾（Ryo MURAKAMI）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC1）
村田 樹（Itsuki MURATA）
総合理工学専攻 材料理工学メジャー（MC1）
野口 玄（Gen NOGUCHI）
工学部 融合基礎工学科／熊本高専（BC4／専攻科2年）
高江洲 義人（Yoshito TAKAESU）
工学部 融合基礎工学科／沖縄高専（BC3／専攻科1年）
Previous Staff Members
草場 彰、助教、2020 JUN〜2023 NOV
KEMPISTY Paweł, [クロスアポイントメント] 特定プロジェクト助教, FY2019～FY2020
SAKOWSKI Konrad, 訪問研究員, 2018 JAN ~ MAR, 2019 MAR～2020 FEB
KEMPISTY Paweł, Designated Asst. Prof. of Nagoya Univ., 2016 AUG～2017 AUG
VALENCIA Hubert, PD, 2012 APR ～2017 MAR
川野 潤、特任助教、2010 APR～2012 MAR
池田和麿、学術研究員、2009 APR～2010 MAR
Theses
博士 DC
窒化物半導体の結晶成長過程に関する運動論的・熱力学的考察（稲富悠也／JSPS特別研究員DC2）
窒化物半導体の表面構造と成長過程に関する理論的研究（草場彰／JSPS特別研究員DC1）
SiC(0001)面上0層グラフェンの成長機構に関する理論検討（井上仁人／JSPS特別研究員DC2）
InGaN有機金属気相成長における混晶組成制御に関する理論検討（屋山 巴／JSPS特別研究員DC1）
※ ほか副査：５件
修士 MC
窒化物半導体混晶におけるヘテロ界面急峻性劣化機構（島内玲央）
窒化物半導体MOVPEにおける真性点欠陥の混入機構（立山慶太郎）
第一原理計算によるp型導電性 ワイドギャップ材料の探索（山川峻）
窒化物半導体MOVPEにおける表面再構成と不純物混入の相関（木原楓太）
窒化物半導体混晶におけるヘテロ界面急峻性の劣化に関する理論研究（宮本滉庸）
Influence of Surface Reconstruction on Impurity Incorporation during MOVPE of III-Nitrides（Romeo Marcel Kurniawan）
窒化ガリウム有機金属気相成長における不純物混入機構の理論解析（用正大地）
微傾斜m面GaN成長における酸素不純物取り込み機構（新宅史哉）
窒化物半導体における格子欠陥解析（立脇哲平）
GaN結晶成長における不純物混入機構の理論解析（山本悟司）
窒化物半導体MOVPEにおける気相−固相関係の熱力学的考察（稲富悠也）
窒化物半導体コヒーレント成長の熱力学解析（田村卓也）
高効率太陽電池用InGaNにおける気相成長機構の第一原理計算（草場 彰）
AlN固体ソース溶液成長における初期成長過程のその場観察（住吉央朗）
固体ソース溶液成長法により作製したAlN結晶の欠陥低減技術の開発（末次弘茂）
InN加圧MOVPE成長における異相混入の抑制に関する理論検討（濵田達郎）
Li-Al-N系溶液を用いたAlN溶液成長における成長速度の高速化（土岐隆太郎）
微傾斜SiC基板上におけるグラフェン形成機構の理論的検討（井上仁人）
窒化物半導体材料における成長条件の理論解析手法の開発（屋山 巴）
AlNバルク結晶の微細構造解析（長野利彦）
Li3NとAlを用いたAlN溶液成長（脇川達人）
LPE成長法によるGaN単結晶育成過程の数値流動解析（柏木大輔）
Si/Ge/Si(001)界面形状とフォノン伝播の関係（勝谷匡博）