Patent

11. Seung-Cheol Lee, Jung-Hae Choi, Satadeep Bhattacharjee, and Namitha Kosh, "홀 효과를 활용한 맥신의 표면 작용기 분율 결정 방법 (Method for determining the fraction of functional group on the surface of mxane using the Hall effect), filed 10-2024-0201785 (2024.12.31).

10. Seung-Cheol Lee, Jung-Hae Choi, Satadeep Bhattacharjee, and Namitha Kosh, "맥신의 표면 작용기 분류 방법 (Method for classifying functional groups of Mxene), filed 10-2024-0078929 (2024.06.18).

9. Jung-Hae Choi, In Won Yeu, "원자 인공 신경망을 이용한 결정체의 표면 에너지 산출 방법 (Calculation method of surface energy of crystalline material using atomic neural network)," filed 10-2019-0044387 (2019.04.16) & registered 10-2260838 (2021.05.31), Korea.

8. Jung-Hae Choi, Seung-Cheol Lee, and Gyuseung Han, "변형 에너지를 고려한 고용체의 상태도 계산방법 (Calculation method of phase diagram for solid solution considering strain energy)," filed 10-2019-0041933 (2019.04.10) & registered 10-2339937 (2021.12.13), Korea.

7. Jung-Hae Choi, Eunjung Ko, "제일 원리에 기초한 MOS 소자의 얇은 게이트 산화막의 터널링 특성 분석 방법 (Analysis method on the tunneling properties of thin gate oxide film of MOS device based on first principle)," filed 10-2018-0158977 (2018.12.11) & registered 10-2177751 (2020.11.05), Korea.

6. Jung-Hae Choi, Eunjung Ko, "제일 원리에 기초한 MOS 소자의 유효 게이트 산화막 두께 결정 방법 (Method for determining effective gate oxide thickness of MOS device based on first principle)," filed 10-2018-0158976 (2018.12.11) & registered 10-2177735 (2020.11.05), Korea.

5. Jung-Hae Choi, Eunjung Ko, "얇은 게이트 산화막의 터널링 특성 분석 방법 (Analysis method on the tunneling properties of thin gate oxide film)," filed 10-2018-0128129 (2018.10.25) & registered  10-2140968 (2020.07.29), Korea.

4. Jung-Hae Choi, Eunjung Ko, "얇은 게이트 산화막을 통과하는 터널링에 대한 유효 게이트 산화막 두께 및 임계 게이트 산화막 두께 결정 방법 (Method for determining effective gate oxide thickness and critical gate oxide thickness on the tunneling through thin gate oxide film), filed 10-2018-0070133 (2018.06.19) & registered 10-2053331 (2019.12.02), Korea.

3. Jung-Hae Choi, In Won Yeu, "온도와 압력변화에 따른 무기재료의 평형상태 결정형상 예측방법 (Prediction method of crystal morphology of the inorganic materials as a function of temperature and pressure)," filed 10-2018-0066070 (2018.06.08) &  registered 10-2174211 (2020.10.29), Korea.

2. Jung-Hae Choi, Jaehong Park, "2차원 강유전성 TMDC 물질을 가지는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 (Non-volatile memory device having two-dimensional ferroelectric TMDC materials and manufacturing method thereof)," filed 10-2018-0030746 (2018.03.16) & registered  10-2028600 (2019.09.27), Korea.

1. Jung-Hae Choi, Jaehong Park, Seong Keun Kim, "발광 진동수 제어가 가능한 2차원 PN 접합구조를 갖는 발광소자 및 그 제조방법 (Light emitting device having two dimensional PN junction structure with controllable frequency of emission light and manufacturing method thereof)," filed  10-2017-0057942 (2017.05.10) &  registered 10-1907549 (2018.10.05), Korea. 

Program

13. “마이다스 v3.0”, (MIDAS v3.0) 등록번호 C-2014-026844 (2014.10.30 등록). 한국저작권위원회.  

12. “마이다스 v2.0”, (MIDAS v2.0) 등록번호 C-2013-008974  (2013.4.30 등록). 한국저작권위원회. 

11. “마이다스 v1.0”, (MIDAS v1.0) 등록번호 C-2012-015989 (2012.8.13등록). 한국저작권위원회. 

10. “pyGA-P2A ver. 1.0”, (이원계 원자배열 탐색용 유전알고리듬 1.0,"  등록번호 2011-01-121-006147 (2011.10.05등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

9. “xpyGA,” 등록번호 2010-01-121-002890 (2010.5.19 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

8. 병렬잡킬러 - pjobkill,” 등록번호 2009-01-234-002494 (2009. 4. 29 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

7. “대규모 가시화를 위한 옥트리 공간분할과 차단차폐 기법,” 등록번호 2008-01-129-005351 (2008. 10. 23 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

6. “SmcOptimizer: 집합 덮개 문제를 위한 통계적 최적화 기법 (GA, ILS, TABU, SA),"  등록번호 2008-01-129-005350  (2008. 10. 23 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

5. “PHGA,” 등록번호 2008-01-123-004386  (2008. 09. 04 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

4. “MS2VASP,” 등록번호 2008-01-129-004232  (2008. 08. 26 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

3. “ICSD2VASP,” 등록번호 2008-01-129-002840  (2008. 06. 09 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

2. “HGA (Hybrid Genetic Algorithm),” 등록번호 2007-01-129-00565  (2007. 11. 15 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회. 

1. “DOS (Density of State) 결과 분석 및 Plotting 프로그램,” 등록번호 2007-01-129-00556 (2007. 10. 29 등록). 컴퓨터프로그램보호위원회.