강원대학교 춘천캠퍼스 자연과학대학 반도체물리학과 소속 Next-Generation Semiconductor Laboratory는 2D van der Waals layered materials, Ferroelectrics, Metal-Oxide semiconductors를 폭넓게 다루며, 고체물리(Condensed Matter Physics)와 소자물리(Device Physics) 기반의 기초 이해를 바탕으로 차세대 반도체·광전자 소자(Next-Generation Semiconductor & Optoelectronic Devices)로 확장되는 응용 연구를 수행합니다. 우리는 소재–소자–공정–특성분석–회로로 이어지는 전주기 연구 흐름을 통해, 제4차 산업혁명 시대가 요구하는 시스템형 인재(System-type Talent)를 양성하고, 정부 R&D 및 기초·전략 연구과제와 긴밀히 연계하여 실질적 기술 시너지를 창출하는 것을 목표로 합니다.

우리 연구실의 핵심 비전은 (1) 기초 물리와 응용기술의 균형, (2) Si 기반 한계를 넘어서는 나노소자 기술 확보, (3) 전주기 역량(End-to-End capability) 배양입니다. 이를 위해 MoS2, graphene, black phosphorus 등 2D materials와 HfZrO2, PMN-PT 등 ferroelectric materials, IGZO 등 oxide semiconductors를 기반으로 저전력 소자(Ultra-low-power devices), Negative Capacitance FET (NCFET), 2D/3D heterojunction 기반 PPC(Persistent Photoconductivity) 광전 소자, IGZO 공정–소자–회로 최적화, 그리고 양자수송(Quantum Transport: magnetoresistance, SdH oscillation) 및 적외선(Infrared) photodetectors/photovoltaics 응용까지 폭넓은 연구를 전개합니다.

Next-Generation Semiconductor Laboratory는 다양한 물질계의 융합과 새로운 물성 발견을 통해 Device Innovation을 지속하고, 산학연 협력과 국제공동연구를 통해 성과가 실제 기술로 이어지는 경로를 강화하고 있습니다. 강원대학교 춘천캠퍼스에서 차세대 반도체의 물리와 기술을 함께 탐구하며, 도전적이고 창의적인 연구를 수행할 연구원/학생 여러분을 환영합니다.