Research
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近年、超短パルスレーザを用いた分光技術の開発により、物質中の高速な物理現象の解明が可能になりつつあります。固体中では、電子の相互作用や緩和過程が、数フェムト秒~数百フェムト秒の時間スケールで起こることが知られており、半導体デバイスに注入された電子がエネルギー失活するまでの動的挙動を解明するためには、フェムト秒~ナノ秒程度の高精度な時間分解評価が求められています。本研究室では、フェムト秒パルスレーザ発生装置と光電子分光装置を組み合わせることで、「時間分解2光子光電子分光」測定系を実現し、窒化ガリウム(GaN)系半導体をはじめとする、次世代半導体材料中の電子の動的評価に取り組んでいます。とくに、半導体中の結晶欠陥がデバイス動作に及ぼす影響の解明にむけて、装置開発と物性評価の両面から研究を推進しています。
S. Ichikawa, Y. Fujiwara, and K. Kojima,
"Visualization of Excited-Electron Relaxation in InGaN Quantum Wells using Time-Resolved Two-Photon Photoemission Spectroscopy",
International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, AT 003, Berlin, Germany (Oct. 2022).
市川 修平, 毎田 修, 小島 一信,
"二光子光電子分光によるGaAs(110)における表面再結合寿命の評価",
第42回ナノテスティングシンポジウム NANOTS 2022, (15), 千里ライフサイエンスセンター 豊中市 (Nov. 2022).
市川 修平, 松田 祥伸, 道上 平士郎, 毎田 修, 船戸 充, 川上 養一, 小島 一信,
"時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定",
第70回応用物理学会春季学術講演会, 16a-B401-5, 上智大学四谷キャンパス (March 2023).
S. Ichikawa, Y. Matsuda, H. Dojo, M. Funato, Y. Kawakami, and K. Kojima,
"Surface carrier lifetime of (0001) InGaN assessed by time-resolved photoemission spectroscopy",
The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), CH1-2, Fukuoka, Japan (Nov. 2023).
光は、"明るさ"や"色"に加えて、"偏光"という情報を含んでいます。偏光は、光の電場が時間の経過とともにどのような向きに振動するかを表したものです。このため、明るさや色と比較して偏光を日常生活の中で意識する機会はほとんどないですが、実はすでに、我々の生活にも応用されています。なかでも、「円偏光」は直線偏光とは異なり、光の特性が座標軸の取り方に依存せず、散乱による影響を受けにくいという大きな特長があり、位置情報を正確に伝えるGPS等にも用いられています。円偏光は近い将来、次世代3Dテレビ、植物工場、セキュリティタグ、光情報通信、化学センサーなど、様々な分野への応用が期待されている一方で、その応用のほとんどは未だ実用化に至っていません。本研究室ではこのような状況を打破するため、単一素子で円偏光を効率よく生成・受光でき、さらに集積化が可能な円偏光半導体デバイスの実現を目指して、光の位相制御に基づいた素子設計と実デバイス作製の両面から研究を推進しています。
Yuki Murata, Shintaro Toda, Yasufumi Fujiwara, Kazunobu Kojima, and Shuhei Ichikawa,
"Metasurface-integrated semipolar (20-21) InxGa1−xN quantum wells towards efficient circularly-polarized LEDs",
Optical Materials Express 16(4), 924 (2026).
DOI: 10.1364/OME.588632
Yohei Taguchi, Yuki Murata, Kyohei Suzuki, Shintaro Toda, Hiroshi Tabata, Kazunobu Kojima, and Shuhei Ichikawa,
"Circularly polarized (0001) InGaN-based LED integrated with GaN metasurface",
Optics Letters 51(5), 1287 (2026).
DOI: 10.1364/OL.587468
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