Shuhei ICHIKAWA's Gr. - Media Coverage

Media Coverage

国内記事・報道など

2026/3/26
OPTRONICS ONLINEなど
「阪大など、メタサーフェスの直接結合で超小型・高効率な円偏光LEDを実現へ」

阪大など、メタサーフェスの直接結合で超小型・高効率な円偏光LEDを実現へ | OPTRONICS ONLINE　オプトロニクスオンライン大阪大学とアルバックは、窒化インジウムガリウム（InGaN）発光ダイオード（LED）に周期的なナノ構造「メタサーフェス」を直接結合することで、高効率かつ超小型の円偏光デバイスが実現可能であることを明らかにした（ニュースリリース）。（図）I

2026/4/20
EE Times Japanなど
「高効率で高耐久の円偏光光源を開発、大阪大学ら」

高効率で高耐久の円偏光光源を開発、大阪大学ら
偏光変換効率の理論限界を突破

大阪大学の研究グループはアルバックと協力し、半極性面窒化インジウムガリウム（InGaN）量子井戸とストライプ型SiNxメタサーフェスを組み合わせることで効率を高めた「円偏光源」を開発した。3Dディスプレイや量子情報通信などへの応用に期待する。

2026年04月20日 09時30分公開

2026/5/14
OPTRONICS ONLINEなど
「阪大など、Eu添加GaN系の高輝度赤色発光を実現　次世代マイクロLEDディスプレイに期待」

阪大など、Eu添加GaN系の高輝度赤色発光を実現　次世代マイクロLEDディスプレイに期待 | OPTRONICS ONLINE　オプトロニクスオンライン大阪大学と立命館大学は、半極性（2021）GaN上にEu添加GaN薄膜を成長することで、極めて発光効率の高いEu発光中心が優先的に形成されることを明らかにした（ニュースリリース）。（図）赤色発光を呈す Eu 添加GaN は、半極性面GaN

International news and reports, etc.

2026/3/26
COMPOUND SEMICONDUCTOR (Lab & Fab News) etc.
"Tiny LED design could shrink next-gen systems"

Tiny LED design could shrink next-gen systems - Compound Semiconductor Magazine NewsOur selection of industry specific magazines cover a large range of topics.

2026/4/15
Phys.org etc.
"Why this single-chip LED advance could shrink AR glasses and boost quantum links"

Why this single-chip LED advance could shrink AR glasses and boost quantum linksResearchers at The University of Osaka, in collaboration with ULVAC, Inc. and Ritsumeikan University, have developed a new LED structure that generates circularly polarized light from a single chip. By combining a semipolar InGaN light-emitting structure with a stripe-shaped silicon nitride metasurface, the team created a compact light source that reduces energy-conversion loss and operates at room temperature.

2026/5/13
LEDinside (News) etc.
"Brighter Red Micro-LEDs Could Help Solve Full-Color Display Stability Challenge"

[News] Brighter Red Micro-LEDs Could Help Solve Full-Color Display Stability ChallengeResearchers at The University of Osaka, in collaboration with Ritsumeikan University, have demonstrated that growing europium-doped gallium nitride (Eu-doped GaN) on a semipolar crystal plane dramatically improves red light emission. The team found that this approach selectively promotes the formation of high..

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