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Circuito preliminar, bajo prueba. Polarizado en clase C al no tener alimentación en V3. Se excita con 3 watt a través del atenuador, sin atenuador se excita con 1 watt.
PRELIMINAR!!!
C6 y C1 se calculan para que su reactancia sea mucho menor que la impedancia de fuente o de carga. En el caso de la impedancia de salida que es de 50 ohm, entonces, a 7 MHz se puede usar un capacitor de 100 nF.
La impedancia de salida (drenador) del transistor se calcula de manera un poco empirica, con la siguiente fórmula:
Zo=(Vdd*Vdd)/(K*Pout)
donde K suele ser entre 1 y 2. Para este caso, leyendo en algunos lugares, parece que K=1.2 es una buena aproximación.
Esto nos da una impedancia de aprox. 8 ohm en el drenador. Podemos usar RFSim para calcular la red de salida que adapta de 8 a 50 ohm.
En este diseño se uso un ancho de banda de la red, que tambien funciona como pasabajos, de 2 MHz, lo que nos da un factor de mérito de:
Q= 7MHz / 2 MHz = 3.5
En el circuito final se ve que el capacitor de 1592 pf y el inductor de 391 nH estan pero no el de 3008 pf. Esto se debe a que la capacidad de salida propia del MOSFET (aprox 100 pf) se ha restado al capacitor de 3008 pf. Posteriores simulaciones sugirieron que esta capacidad debia ser aun menor por lo que C4 quedó de 2600 pf. Esto se puede deber a que la impedancia de drenador puede ser un poco diferente a la estimada y por ende la red de adaptación debe variarse.
El inductor del drenador se calcula para que su impedancia sea mucho mayor a la del drenador, aproximadamente 10 veces. Como la impedancia del drenador es de 8 ohm, entonces el inductor debe presentar 80 o mas ohm a 7 MHz. Se utilizó un inductor de 3 micro henry(130 ohm).
El circuito de entrada consiste en un atenuador resistivo de 4dB que atenua la entrada de 3 Watt de mi QRP Chingolito para excitar al MOSFET con 1 watt de RF.
Pendientes:
Calculo de circuito de entrada.
Calculo, simulacion y prueba en 20m.
Mostrar circuito de cambio de TX-RX.
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