研究生/專題生 殊榮

英文： 2014 46th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)

中文： 2014 第 46th 國際固態電子元件與材料研討會

時間： 103 年 9月 9-11 日

地點： Tsukuba ,Japan（筑波，日本）

發表論文題目： (H-4-4 Oral Presentation)

Resistance Switching Behavior of ZnO Resistive RAM (RRAM) with a Reduced Graphene Oxide Capping Layer

第一則作品為電子工程學系-張維驛、風險管理與保險學系-吳其芳的【二一步道 凡走過必二一？ 】，將幽默有趣的校園現象，以客觀精神進行拍攝分析，評審評論「饒富趣味性的校園現象，呈現風格成熟」。第二則作品為纖維與複合材料學系-徐培峯、國際貿易學系-陳小帆、機械與電腦輔助工程學系-黃翔偉【校門進出不得 逢甲夜市還是夜市逢甲】，引用目前校內最新交通話題，深入探討及實際查訪內情，專業的口音與拍攝畫面具又職業水準，評審表示「作品成熟，整體表現切合主題直擊風格」。

 今年的採訪主題是「校園直擊大追蹤」，鎖定大學生的校園生活，從新聞專業出發，希望不論是學生都能用自己的鏡頭，將存在於大學校園中的各種新聞議題呈現出來，本校學生運用自己在校內所學的專長出發，讓長久被忽視的校園問題或價值能重新受到重視，並且深獲外界肯定，也顯示出逢甲培育人才的潛力和用心程度是不容忽視的。 

相關影片連結:  http://www.youtube.com/watch?v=BwPEcqRw49o

一、論文發表題目：

1.Effects of Thin Metal Insertion on Resistive Switching of Flexible ZnO RRAM (Oral presentation, 14:20~14:40, B-8-2, Sep. 27, 2012) 

2. Effects of Rapid-Thermal Annealing on Resistive Switching of ZnO/Ti/ZnO RRAM Deposited on Flexible PEN Substrate (Poster paper, short oral presentation (2 min), poster :13:30~15:00, PS-4-1, Sep. 26, 2012)

二、SSDM國際會議介紹:

本次舉行地點在日本京都市的京都國際會議中心(Kyoto international conference center)，會議舉行時間為2012年9月25日至9月27日共三天。本研討會共有858篇論文摘要投稿，來自22個國家投稿至此SSDM研討會，經由委員會審稿後只接受330篇口頭報告論文(oral)與238篇海報論文(poster)，論文發表包括invited paper、oral paper 及poster papers 三大部分，分別於京都國際會議中心(Kyoto international conference center)一、二與五樓層內十三個會議室進行各領域的論文發表，參與人員包含美洲、歐洲、亞洲之美國、台灣、韓國、大陸、日本，瑞典、西班牙及比利時等等之知名學術機構、國際大廠與產官學研各界精英人士與會，與會人士相當眾多與盛大。    

      林成利  老師講授大學電子相關學習方向以及業界相關訊息使參加冬令營活動之高中生提前了解未來善加規劃，並透過研究所學長一一帶領各位學生完成簡單的電路元件實作，使大家體驗有趣的半導體世界。

論文題目:

5A.3 Comparison of Breakdown Mechanism of HfO2 and HfSiOx High-K Gate

Dielectrics with N2 RTA Treatment on TDDB Constant Voltage Stress

作者:

Cheng-Li Lin*, Mei-Yuan Chou, Jia-Jun Hong, Tsung-Kuei Kang, Shich-Chuan Wu1 and Pi-Chun Juan2 l Feng Chia University, Taiwan; 1National Nano Device Laboratories, Taiwan; 2Mingchi University of Technology, Taiwan.

1.奈米元件電性量測與可靠度研究  (2-3人) 

- 奈米半導體元件(FinFET及Ultra-thin body SOI device)不同元件尺寸及結構之電性量測(含元件臨界電壓、驅動電流及載子移動率等基本電性研究)，以及元件可靠度研究。 

2.新型非揮發性記憶體開發 (2-3人) 

- 研究低功率及低電壓之電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM)的最佳製程開發，以閞發低成本、高交換速度、高電阻比值及高穩定度及單/雙極電阻轉換機制之研究。 

3.軟性(可撓式)電子元件開發與電性量測分析 (2-3人) 

- 開發建置在軟性基板(如塑膠基板)之或可彎曲基板上的電子元件與材料的技術，如薄膜電晶體(TFT)，軟性電阻式記憶體(Flexible RRAM)或軟性透明記憶體或電子元件等。 

4.光電元件開發與量測 (2-3人) 

- 如矽基太陽能電池(solar cell)或軟性太陽能電池製程開發與電性量測。 

2011年7月4 ~ 7日，Songdo ConvensiA, Incheon, Korea (仁川,韓國)

會議名稱:

IEEE 2011 18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits (2011 IPFA)

論文題目: 

Unipolar Resistive Switching and Retention of RTA-Treated Zinc Oxide (ZnO) Resistive

作者:

Cheng-Li Lin1, Shu-Ching Wu1, Chi-Chang Tang1,Yi-Hsiu Lai1, 

Syuan-Ren Yang1 and Shich-Chuan, Wu2 / 1

Feng Chia University, Taiwan; 2National Nano Device Laboratories, Taiwan.

行政院國家科學委員會

補助國內專家學人出席國際學術會議報告

報告人姓名/職稱 : 林成利  副教授 

服務系所 : 逢甲大學/電子工程學系 

會議時間 : 100年9月28-30日

會議地點 : Nagoya,Japan 名古屋，日本 

計畫編號 : NSC 100-2221-E-035-015 

會議名稱 : 

  2011 43th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)

  2011 第43th 國際固態電子元件與材料研討會 

發表論文題目：

Electrical Characteristics and TDDB Reliability of ZrO2/Al2O3/ZrO2 Stack High-k Gate Dielectric (Poster paper, short oral presentation) 

參加會議經過：

2011年第43屆國際固態電子元件與材料研討會(2011 43th International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM)會議在日本名古屋的Aichi Industry & Labor Center(WINC AICHI)會議中心舉行，係由日本應用物理協會(THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS)主要贊助與舉辦及IEEE電子元件(IEEE Electron Devices Society)協辦。

該會議為固態電子元件與材料領域在亞洲區極知名的國際研討會。會議時間為2011年9月28日至9月30日，在日本名古屋的Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI)中心會議廳舉行。

本研討會共約有七百多篇論文發表，其中400多篇為oral presentation 其餘為poster presentation。

本次會議論文發表的核心領域為如下列所示:

[A] CORE AREAS

Advanced LSI Processing & Materials Science

Advanced Interconnect / Mater ials Technology and Characterization

CMOS Devices / Device Physics

Advanced Memory Technology

Advanced Circuits and Systems

Compound Semiconductor Electron Devices and Related Technologies

Photonic Devices and Optoelectronic Integration

Advanced Material Synthesis and Crystal Growth Technology

Physics and Application of Novel Functional Devices and Materials

Organic Materials Science, Device Physics, and Applications

 [B] STRATEGIC AREAS

Micro/Nano Electromechanical Systems and Bio/Medical Analyses

Spintronics Mater ials and Devices

Application of Nanotubes, Nanowires, and Graphene

Photovol taics & Power Semiconductor Devices