미래 자성메모리 연구실에서는 스핀트로닉스를 기반으로 강자성(ferromagnet), 반강자성(antiferromagnet), 준강자성(ferrimagnet)물질등 다양한 자성소재에서 오비탈(orbital)전류에 의한 스핀궤도토크(spin-orbit torque), 카이럴(chiral)구조에서 발현하는 스핀전류등 기존에 발견되지 않았던 새로운 물리현상을 찾아내고 이를 바탕으로 유력한 차세대 비휘발성 메모리인 자성메모리(magnetic random-access memory, MRAM)의 성능향상 및 뉴로모픽(neuromorphic) 컴퓨팅, 확률론적(stochastic) 컴퓨팅, 보안 소자(physical unclonable function)응용등 다양한 연구를 수행하고 있습니다.