심층 인공 신경망 가속기 개발

• 데이터 중심의 인공신경망 가속기를 위한 In-memory-computing (Processing-in-memory) 기법 개발

• 근사값 계산 기법을 활용한 저전력 회로 설계 기법 개발

• 불필요한 연산을 제거하여 인공 신경망 가속기의 효율을 높이는 설계 기법 개발

디지털 신호처리 프로세서 개발

• 저전력 디지털 신호처리 프로세서 IP 개발

• 사물인터넷/차세대 통신 시스템을 위한 하드웨어 보안 모듈 개발

임베디드 메모리 설계

• 차세대 메모리 (STT-MRAM, SOT-MRAM, Domain-Wall Memory 등) 설계

• 어플리케이션에 특화된 메모리 (SRAM/eDRAM/CAM/MRAM) 커스터마이즈

• 메모리의 저전력/저면적/고속 동작을 위한 주변회로 설계

• 메모리 수율 예측 모델 개발

그 외 다양한 융합연구분야에 필요한 저전력 고성능 집적회로/시스템 설계 

• 지원 자격: 차세대 집적회로 및 시스템 설계에 대한 관심과 열정 및 뚜렷한 목표 의식

• 모집요강: 학석연계/석사/박사/석박통합 00명 (인원제한 없음)

• VLSISYS 연구실 대학원생 지원 사항

  1. 학위 과정 기준 최고 수준의 인건비 (등록금 전액 + 생활비)

  2. 국내외 학술대회 참석 기회

  3. 연구 실적에 따른 인센티브

  4. 우수 대학, 연구기관, 기업체와의 학술 교류 및 인턴쉽 기회 제공

  5. 취업 관련 지원 (산업체 수요 역량 트레이닝 및 인적성/공인영어 시험 준비 등)

• 지원 방법: 자기소개 (상세한 지원동기) 제출 (woongchoi@sookmyung.ac.kr) 후 인터뷰 (르네상스플라자 307)

• 지원 자격

  1. 반도체 회로 설계 분야로 진로를 확실히 확정한 학생 (숙명여대 VLSISYS 연구실 대학원 진학 희망자 우대)

  2. 능동적인 태도 및 문제해결 능력을 일정 수준 이상 갖춘 학생

• 모집요강: 연구실 여석 상황에 따라 다름

• 학부 연구생 (인턴) 지원 사항

  1. 트레이닝 기간 후 (방학 포함 2학기 이상) 소정의 생활비 지원

  2. 국내 학술대회 참석 및 논문 작성 기회 (능력에 따라 주저자 또는 공저자로 연구활동에 참여 가능)

  3. 우수 대학, 연구기관, 기업체와의 학술 교류 및 인턴쉽 기회 제공

• 지원 방법: 자기소개 (상세한 지원동기) 제출 (woongchoi@sookmyung.ac.kr) 후 인터뷰 (르네상스플라자 307)