Патенты, статьи и книги

Патенты

• "Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла", Патент РФ № 2459691
• "Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры", Патент РФ №2469433
• "Chemical vapor deposition reactor", United States Patent US7011711
• "Светоизлучающее устройство с гетерофазными границам",Патент РФ № 2434315
• "Light-emitting device with heterophase boundaries", United States Patent Application 20130009152
• "Способ изготовления полупроводниковых приборных структур, основанный на клонировании исходных подложек (варианты)", Патент РФ №2546858
• "Способ выращивания эпитаксиальной плёнки нитрида третьей группы на ростовой подложке", Патент РФ №2543212
• "Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре", Патент РФ №2543215

Статьи

• Light Emitting Diode with Charge Asymmetric Resonance Tunneling, Physica Status Solidi (a) 180 121 (2000)
• The effects of interface states on the capacitance and electroluminescence efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes, N. I. Bochkareva, E. A. Zhirnov, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, D. A. Lavrinovich, Yu. G. Shreter, Semiconductors 39 795 (2005)
  • Nonuniformity of carrier injection and the degradation of blue LEDs, N. I. Bochkareva, A. A. Efremov, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, Yu. G. Shreter, Semiconductors 40 118 (2006)
  • Determination of the coefficient of light attenuation in thin layers of light-emitting diodes, A. A. Efremov, D. V. Tarkhin, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter, Semiconductors 40 375 (2006)
  • Effect of the joule heating on the quantum efficiency and choice of thermal conditions for high-power blue InGaN/GaN LEDs, A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Lavrinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, Yu. G. Shreter, Semiconductors 40 605 (2006)
• Quantum efficiency and formation of the emission line in light-emitting diodes based on InGaN/GaN quantum well structures, N. I. Bochkareva, D. V. Tarkhin, Yu. T. Rebane, R. I. Gorbunov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, Yu. G. Shreter, Semiconductors 41 87 (2007)
• Measurement of the absorption coefficient for light laterally propagating in light-emitting diode structures with In_0.2Ga_0.8N/GaN quantum wells, Yu. S. Lelikov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, I. A. Martynov, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkin, Yu. G. Shreter, Semiconductors 42 1342 (2008)
• Optical properties of blue light-emitting diodes in the InGaN/GaN system at high current densities, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, A. V. Klochkov, Yu. S. Lelikov, I. A. Martynov, Yu. T. Rebane, A. S. Belov, Yu. G. Shreter, Semiconductors 42 1355 (2008)
• Effect of the electric field on the intensity and spectrum of emission from InGaN/GaN quantum wells, N. I. Bochkareva, A. L. Bogatov, R. I. Gorbunov, F. E. Latyshev, A. S. Zubrilov, A. I. Tsyuk, A. V. Klochkov, Y. S. Lelikov, Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, Semiconductors 43 1499 (2009)
  • Mechanism of the GaN LED efficiency falloff with increasing current, N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, Y. S. Lelikov, F. E. Latyshev, Y. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Y. G. Shreter, Semiconductors 44 794 (2010)
• Defect-related tunneling mechanism of efficiency droop in III-nitride light-emitting diode, N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, Y. S. Lelikov, F. E. Latyshev, Y. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Y. G. Shreter, Applied Physics Letters 96 133502 (2010)
  • Thick GaN Films Grown on Patterned Sapphire Substrates, V. Voronenkov, R. Gorbunov, A. Tsyuk, P. Latyshev, Y. Lelikov, Y. Rebane, A. Zubrilov, N. Bochkareva and Y. Shreter, ECS Trans. 35 91 (2011)
• Effect of growth parameters on stress in HVPE GaN films / A. Tsyuk, R. Gorbunov, V. Voronenkov et al. // ECS Transactions. — 2011. — Vol. 35, no. 6. — P. 73–81.
• Effect of localized tail states in InGaN on the efficiency droop in GaN light-emitting diodes with increasing current density, N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, P. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, Semiconductors 46 1032 (2012)
  • Tunnel injection and power efficiency of InGaN/GaN light-emitting diodes, N. I. Bochkareva, V. V. Voronenkov, R. I. Gorbunov, A. S. Zubrilov, P. E. Latyshev, Yu. S. Lelikov, Yu. T. Rebane, A. I. Tsyuk, Yu. G. Shreter, Semiconductors 47 127 (2013)
• Two modes of HVPE growth of GaN and related macrodefects / V.V. Voronenkov, N.I. Bochkareva, R.I. Gorbunov et al. // Physica Status Solidi (c). — 2013. — Vol. 10, no. 3. — P. 468–471.
• Nature of V-Shaped Defects in GaN / V. Voronenkov, N. Bochkareva, R. Gorbunov et al. // Japanese Journal of Applied Physics. — 2013. — Vol. 52, no. 8S. — P. 08JE14.

Книги

• Ю.Г.Шретер, Ю.Т.Ребане “Широкозонные полупроводники”, Наука, 2001 г.
• Polymers, Phosphores, and Voltaics for Radioisotope Microbatteries, Edited by K.Bower, Y.Barbanel, Y.Shreter, G.Bohnert, CRC Press, USA, 2002.
• A. Zubrilov, Chapter 3 “Indium Nitride (InN)” in “Handbook Series of Semiconductor Parameters, v.3L: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, and SiGe” , John Wiley
• А.Е.Ефремов, Ю.Т.Ребане, Ю.Г.Шретер “Исследование эффективности InGaN светодиодов”. Санкт–Петербург,Издательство Политехнического университета, 2008г.