Prof. Ga-Won Lee
이가원, 지성주, 이희덕, 안재혁, 김기남, 정준교, 성재영, 고운산, 변준호, 이도연, "압축 효과를 이용한 압력 센서(PRESSURE SENSOR USING CONDENSATION EFFECT)", 충남대학교 산학협력단, 충남대학교병원, 등록일자: 2024년 06월 12일, 등록번호: 제 1026759590000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, 성재영, 남기령, 고운산, 배상현, "비휘발성 메모리의 임시 전력을 공급하는 자동 저장 회로(AUTO-STORE CIRCUIT TO SUPPLY TEMPORARY POWER TO NONVOLATILE MEMORY)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2022년 04월 28일, 등록번호: 제 1023935770000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, 송현석, 조서연, 신동민, "플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM 및 그 동작 방법(6T Non-volatile SRAM based on flash memory and method of operating the same)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2021년 11월 18일, 등록번호: 제 1023300180000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, 송현석, 조서연, 신동민, "3차원 플래시메모리가 도입된 6T 비휘발성 SRAM(6T nonvolatile SRAM based on 3D flash memory)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2021년 02월 25일, 등록번호: 제 1022228130000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 이희덕, 유호영, 이상렬, 이종건, "플렉서블 기판 기반의 하이브리드 집적회로 장치 및 그의 제조 방법(Flexible substrate-based ybrid integrated circuit device and fabrication method thereof)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2021년 01월 29일, 등록번호: 제 1022120090000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 송유민, 성재영, 정준교, 정병준, "플래시 메모리 소자 및 그의 제조 방법(Flash memory device and fabrication method thereof)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2021년 01월 14일, 등록번호: 제 1022054050000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, 정병준, 김유정, 오대석, "테스트 패턴을 구비하는 반도체 장치(SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TEST PATTERN)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2021년 01월 14일, 등록번호: 제 1022053970000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 임재갑, 정준교, 박정현, 김유정, 정병준, "3차원 낸드 플래시 메모리 소자 및 이의 제조 방법(3 dimensional NAND flash memory device and method of fabricating the same)", 에스케이 하이닉스 주식회사, 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2020년 06월 10일, 등록번호: 제 1021235450000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, 김유정, "나노 로드를 포함하는 트랜지스터 구조의 고감도 자외선 감지 소자형 자외선 센서 및 그 제조방법(High performance ultraviolet sensor based on nanorod with transistor structure and method)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2020년 01월 03일, 등록번호: 제 1020642700000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정준교, "금속 산화물 나노로드 구조를 포함하는 반도체 센서 및 이의 제조방법(SEMICONDUCTOR SENSOR WITH METAL OXIDE NANOROD STRUCTURE AND MENUFACTURING METHOD TEHEROF)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2018년 11월 27일, 등록번호: 제 1019245410000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 윤호진, "박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법(THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)", 충남대학교 산학협력단", 등록일자: 2018년 01월 03일, 등록번호: 제 1018168770000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 정광석, 엄기윤, "박막 트랜지스터 제조방법(Manufacturing method of the thin film transistor)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2016년 11월 16일, 등록번호: 제 1016787760000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 고영욱, 안진운, 윤호진, 김진섭, "태양전지 및 태양전지 제조 방법(SOLAR CELL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2015년 07월 10일, 등록번호: 제 1014266460000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 이상율, 정광석, 김유미, 남동현, "박막 트랜지스터의 제조방법(Fabrication method of thin film transistors)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2014년 08월 06일, 등록번호: 제 1013442300000 호, 등록국가: 대한민국
이가원, 이상율, 윤호진, 양승동, 이희덕, "이종접합 태양전지 및 그의 제조 방법(Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2013년 12월 17일, 등록번호: 제 1013442300000 호, 등록국가: 대한민국
정광석, 이희덕, 이가원, "음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 단결정 실리콘 태양전지의 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법(Fabrication method of aluminum oxide flim having controlled negative fixed charge density for passivation of single C-Si solar cell)", 충남대학교 산학협력단, 등록일자: 2013년 10월 15일, 등록번호: 제 1013182410000 호, 등록국가: 대한민국
김영수, 강민호, 오재섭, 박남수, 이가원, "박막 트랜지스터 및 이의 제조방법(Thin film transister and production method thereof", 한국과학기술원, 등록일자: 2012년 06월 19일, 등록번호: 제 1011595390000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이제희, 이가원, "반도체 소자의 형성방법(METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2009년 08월 25일, 등록번호: 제 1009149730000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이제희, 이가원, "새로운 디램 셀 구조(New DRAM cell structure)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2008년 12월 24일, 등록번호: 제 1008768780000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이제희, 이가원, "스위치드 스토리지 노드 콘택 구조를 이용한 디램(DRAM using switched storage node contact structure)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2008년 10월 24일, 등록번호: 제 1008661250000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "디지털/아날로그 컨버터(Digital to analog converter)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2007년 09월 28일, 등록번호: 제 1007643480000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "트랜지스터의 제조 방법(Method for manufacturing a transistor)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2007년 08월 31일, 등록번호: 제 1007568150000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법 (A capacitor of semiconductor device and manufacturing the same)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2007년 05월 14일, 등록번호: 제 1007202350000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "BC PMOSFET 및 그 제조방법(BC PMOSFET and manufacturing method using the same)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2007년 01월 16일, 등록번호: 제 1006731010000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "BC PMOSFET 및 그 제조방법(BC PMOSFET and manufacturing method using the same)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 11월 17일, 등록번호: 제 1006498220000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이재희, 이종욱, "에스.오.아이.기판 제조방법(A method for silicon on insulator substrate)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 11월 10일, 등록번호: 제 1006473640000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 조규석, "반도체 장치 및 그 제조방법(Semiconductor Device and the Manufacturing Method thereof)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 08월 09일, 등록번호: 제 1006134510000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체소자의 제조방법(A method for fabricating semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 07월 28일, 등록번호: 제 1006095360000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "디램 (DRAM) 셀 및 그의 제조 방법(DRAM cell and method for manufacturing the same)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 06월 30일, 등록번호: 제 1003909900000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 조규석, 정재관, "반도체 소자 및 그 제조 방법(SEMICONDUCTOR DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 06월 30일, 등록번호: 제 1005981750000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 조규석, 정재관, "트랜지스터 및 그 제조 방법(Transistor and forming method thereof)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 03월 31일, 등록번호: 제 1005687540000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 조규석, 김대영, "반도체 장치의 소자 분리막 형성 방법(method for forming an isolation in a semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2006년 02월 27일, 등록번호: 제 1005579600000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체 소자(Semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 10월 24일, 등록번호: 제 1005251110000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체소자의 소자분리막 형성방법(Method for forming element isolating layer of semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 08월 25일, 등록번호: 제 1005119250000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 최재훈, 엄재철, 박성욱, 이제희, "반도체 소자의 제조 방법(Method of manufacturing a semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 07월 18일, 등록번호: 제 1005039510000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "자기저항 램 및 그 제조 방법(Magnetic random access memory and manufacturing method thereof)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 05월 24일, 등록번호: 제 1004927970000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "자기저항 램(Magnetic random access memory)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 05월 24일, 등록번호: 제 1004927980000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체 소자의 제조 방법(Method for manufacturing a semiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2005년 03월 23일, 등록번호: 제 1004804530000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, 이제희, "반도체소자의 트랜지스터 및 그 형성방법(A transistor of a semiconductor device and A methodfor forming the same)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2004년 12월 22일, 등록번호: 제 1004645340000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체 소자의 박막 트랜지스터 제조 방법(Method of manufacturing a thin film transistor in asemiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2004년 01월 29일, 등록번호: 제 1004180890000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "테스트 패턴 형성 바법, 그를 이용한 식각 특성 측정 방법 및 회로(Method of forming a test pattern, method of measuringan etching characteristic using the same and circuitfor measurement of the etching characteristic)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2003년 11월 28일, 등록번호: 제 1004090320000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "다중채널을 갖는 수직 구조 트랜지스터 및 그 제조방법(VERTICAL STRUCTURE TRANSISTOR HAVING MULTI-CHANNEL ANDMETHOD FOR FABRICATING THE SAME)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2003년 06월 28일, 등록번호: 제 1003909200000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)
이가원, "반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법(Method of forming a inter-dielectric layer in asemiconductor device)", 에스케이하이닉스 주식회사, 등록일자: 2003년 04월 29일, 등록번호: 제 1003837600000 호, 등록국가: 대한민국 (소멸)