Transistor rappel

Transistor bipolaire.

État de saturation maximale (ou clip) Une fois atteint son maximum, le transistor agira comme simple interrupteur fermé et laissera donc passer la totalité du courant d’alimentation. Il agit donc en commutation.

État bloqué S’il n’y a pas de courant à la base (B), rien ne passe dans le transistor et il agira comme un interrupteur ouvert.

Le Transistor à effet de champ MOSFET

Deux structures : JFET ou MOS - Les transistors à effet de champ à jonction : J - FET - Les transistors à effet de champ à couche d'oxyde de silicium : MOS - FET 

Deux types de commandes : à appauvrissement ou à enrichissement

Deux types de semi conducteur : canal N ou canal P MOS FET (Métal Oxyde Semi-conducteur Field Effect Transistors)

Un transistor à effet de champ permet de commander un "grand" courant drain - source IDS à l'aide d'une tension de commande grille - source UGS. Un canal dopé (P ou N) entre Drain et Source est rendu +/- conducteur par une jonction PN entre Grille et Source polarisée en inverse. C'est une commande en tension car il n'y a pratiquement aucun courant demandé par la grille. Ils sont utilisés comme un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d’utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d’un « canal » dans un matériau semi- conducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d’application, tels que l’électronique numérique.

Le Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) :

Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Les transistors IGBT ont permis d’envisager des développements jusqu’alors non viables en particulier dans la vitesse variable ainsi que dans les applications des machines électriques et des convertisseurs de puissance : automobiles, trains, métros, bus, avions, bateaux, ascenseurs, électroménager, télévision, domotique, etc. Ils sont utilisés comme un transistor bipolaire à porte isolée. Il associe les avantages des transistors bipolaires et ceux des transistors MOSFET.

Un IGBT type NPN possède comme un transistor bipolaire un collecteur et un émetteur mais la base est remplacée par une électrode haute impédance qui est la grille d'un MOS. Il est constitué par un transistor bipolaire PNP de puissance de faible gain associé à un MOS canal N qui fournit le courant de base.