写真はこちらから．合言葉はISYSE幹事にお問い合わせください．
研究会前日の8/25(木)15:00から研究室見学を行います．
ご希望の方はこちらにもご参加ください．
詳細はページ下部をご覧ください．
第1回ISYSE研究会「パワーデバイス応用に向けたワイドギャップ半導体の結晶成長の現状と課題」
これまでISYSEでは，学生・若手を中心とした交流とキャリアへの意識向上を目的として活動してきました．それにより得られた交流をさらに発展させるため，若手研究者を中心とした研究会を開催することにしました．各分野の若手研究者が集まり，登壇者の講演を聴講するだけでなく，多角的に双方向の議論を行うことを特徴とし，参加者各々の研究を活性化させることを目的としています．
第1回である本研究会では，ワイドギャップ半導体の結晶成長技術の現状と課題をテーマとしました．新規材料を含むさまざまなワイドギャップ半導体と，各種技術が成熟している半導体の研究者が一堂に集まります．ワイドギャップ半導体が現在抱える成長課題に対して，従来半導体材料がこれまで克服してきた手法は通用するのでしょうか．異なる材料の研究者が繰り広げる議論によって，新しい反応が起こる現場をあなたも目撃してみたくはありませんか．
なお，参加者からも話題提供を受け付けます．あなたもぜひ議論の輪の中心になってください．
日時：2016年8月26日（金）10:00～17:00
場所：広島大学東広島キャンパス学士会館レセプションホール
http://hiroshima-u.jp/centers/welfare_facilities/faculty_club
（アクセスは下部pdfファイルを参照）
主催：電子材料若手交流会（ISYSE）
後援：公益財団法人 中国電力技術研究財団
参加費
一般：\3,000，学生：\1,000
意見交換会費
一般：\3,000，学生：\2,000
プログラム（予定）
10:00～10:10 あいさつ 出浦 桃子（東北大学）
10:10～11:50 講演 片山 竜二（大阪大学） 「ワイドギャップ半導体研究の新展開」
花房 宏明（広島大学） 「大気圧熱プラズマジェットを用いたSiCの熱処理技術」
11:50～13:30 休憩
13:30～15:30 講演 大島 孝仁（佐賀大学） 「酸化ガリウム系半導体の薄膜成長」
中野 智（九州大学） 「高品質化に向けたSi結晶育成過程に関する研究」
富永 依里子（広島大学）「GaAs系III-V族半導体のMBE成長 -低温成長が切り開く新たな可能性-」
15:30～15:50 休憩
15:50～16:50 話題提供・総合討論
16:50～17:00 あいさつ 星井 拓也（東京工業大学）
17:30～20:00 意見交換会
※8/25(木)，26(金)の学士会館宿泊室を数部屋確保しております．
宿泊希望の方は広島大学・富永または東北大学・出浦にお問い合わせください．
※研究室見学会
以下の要領で，研究室見学会を開催いたします．学内のクリーンルームや実験設備を見学する予定です．
ご希望の方は研究会参加登録と一緒にご登録ください．
日時：8/25(木)15:00～17:20（予定）
受付：8/25(木)14:00～14:45
場所：広島大学学士会館レセプションホール前ロビー
参加費：無料