Reliability and scaling of CMOS, SiGe Reliability

La invención del transistor en 1947, junto con los avances en materiales, diseño de dispositivos e integración de procesos de dispositivos semiconductores durante las últimas siete décadas, ha permitido el crecimiento exponencial de los productos necesarios y las innovaciones tecnológicas que han transformado el mundo. Nuestra sociedad depende de los semiconductores para la mayoría de las facetas de la vida cotidiana. El futuro cercano traerá un nivel de instrumentación que crece a diario con cantidades cada vez mayores de datos junto con la inteligencia y la capacidad de comunicar y automatizar muchos procesos e industrias en lo que ahora se conoce como Internet de las cosas (IoT), un área que progresará a velocidades mucho más altas gracias al despliegue incremental de 5G. Como resultado de todos estos avances, el mundo ya es más pequeño y plano. La realidad de vivir en un mundo globalmente integrado está sobre nosotros y nos presenta muchas oportunidades y desafíos. Este mayor contenido de información nos brinda un camino único para paliar y encontrar soluciones a los gravísimos problemas que plantean algunos de los desafíos más importantes que enfrenta el mundo actual. En esta charla, brindaremos una breve perspectiva histórica de los hitos más relevantes en el desarrollo de la tecnología de semiconductores y brindaremos una descripción general de la economía y la cadena de suministro que actualmente produce los chips que se emplean ampliamente en todo el mundo. Describiremos el papel y las interacciones de las fundiciones Pure Play, los fabricantes de dispositivos integrados y las empresas Fless. Dedicaremos un tiempo a abordar las implicaciones para nuestro planeta, desde la geopolítica hasta nuestra capacidad para sobrevivir a la inminente crisis climática y ecológica. Para cerrar, veremos la industria de los semiconductores y las oportunidades desde la perspectiva de América Latina.

Gilson Wirth recibió el B.S.E.E y M.Sc. títulos de la Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Brasil, en 1990 y 1994, respectivamente. En 1999 recibió el Dr.-Ing. Licenciado en Ingeniería Eléctrica por la Universidad de Dortmund, Dortmund, Alemania.

Actualmente es profesor de la carrera de Ingeniería Eléctrica. Salir. en la Univ. Federal do Rio Grande do Sul - UFRGS (desde enero de 2007).

Desde julio de 2002 hasta diciembre de 2006 fue profesor y jefe del Departamento de Ingeniería Informática de la Univ. Estadual do Rio Grande do Sul - UERGS.

Su trabajo de investigación actual se centra en el modelado y la estimulación eléctrica del atrapamiento de carga en el contexto de la inestabilidad de la temperatura de polarización (BTI), el ruido de baja frecuencia (1/f y RTN) y la degradación del portador caliente (HCD).

También ha trabajado en los efectos de las radiaciones ionizantes (TID y SET/SEU) en dispositivos semiconductores.

Se enfoca en el trabajo colaborativo con la academia y la industria. Ha establecido un exitoso trabajo colaborativo con diferentes empresas y grupos de investigación en Europa, América del Norte y del Sur y China. Ha firmado NDA con las siguientes empresas: Intel, Texas Instruments, NXP Semiconductors e Infineon Technologies.

Actualmente es profesor distinguido de la IEEE Electron Devices Society. También fue un distinguido conferencista de la Sociedad de Sistemas y Circuitos IEEE (período 2010-2011).