Recruitment
特任研究員の募集
【募集人員】
1名
【専門分野】
シリコンフォトニクス、半導体光集積回路、光エレクトロニクス分野
【概要】
シリコンフォトニクスを用いた光変調器、受光器の研究。
関連プロジェクト
NEDO「異種材料集積光エレクトロニクスを用いた高効率・高速処理分散コンピューティングシステム技術開発」（代表：西山 伸彦 東京工業大学）
https://www.nedo.go.jp/content/100934813.pdf
【応募資格】
博士号取得者（取得見込みも含む）または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。
SiやInP等を用いた半導体プロセスの経験
光導波路素子の設計・作製・評価の経験
【職名】
特任研究員
【勤務形態】
常勤
【任期】
任期付（5年） [年度ごとの更新あり。]
【着任時期】
随時（応相談）
【勤務地】
東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館
【応募書類】
履歴書、研究業績の説明（日本語または英語・A4 2ページ以内）、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内）をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。
【応募締切】
随時受付
【照会先】
東京大学先工学系研究科 電気系工学専攻 教授 竹中 充
E-mail：takenaka[at]mosfet.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を＠に変えてお送りください）
TEL: 03-5841-6733
【選考方法】
書類審査および面接
【採否の決定】
書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。
特任研究員の募集
【募集人員】
1名
【専門分野】
シリコンフォトニクス、半導体光集積回路、光エレクトロニクス分野
【概要】
シリコンフォトニクスとスピントロニクスを融合した光電変換デバイスの研究。
関連プロジェクト
JST未来社会創造 スピントロニクス光電インターフェースの基盤技術の創成（代表：中辻知 東京大学）
https://www.jst.go.jp/pr/info/info1467/pdf/info1467.pdf
【応募資格】
博士号取得者（取得見込みも含む）または同等レベルの方。上述の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。
SiやInP等を用いた半導体プロセスの経験
光導波路素子の設計・作製・評価の経験
【職名】
特任研究員
【勤務形態】
常勤
【任期】
任期付（3年） [年度ごとの更新あり。延長の可能性あり。]
【着任時期】
随時（応相談）
【勤務地】
東京都文京区本郷7-3-1 東京大学工学部10号館
【応募書類】
履歴書、研究業績の説明（日本語または英語・A4 2ページ以内）、研究業績リスト、主要論文別刷りまたはコピー(3編以内）をPDFファイルにまとめた上、下記照会先までメールにてお送り下さい。
【応募締切】
随時受付
【照会先】
東京大学先工学系研究科 電気系工学専攻 教授 竹中 充
E-mail：takenaka[at]mosfet.t.u-tokyo.ac.jp ([at]を＠に変えてお送りください）
TEL: 03-5841-6733
【選考方法】
書類審査および面接
【採否の決定】
書類審査で選抜された方に対して面接審査を行い、採否を決定します。着任時期・期間など、詳細についてはご相談させていただきます。