Presentation

1. TiO2の仕事関数と表面電子状態：第一原理計算

   • 18pPSJ-8, 日本物理学会2024年春季大会, 2024年3月（オンライン）

   • 千葉勇魚，長谷川正之，西館数芽

2. ペロブスカイト酸化物Sb置換BaBiOの結晶構造と光学特性

   • 20pPSH-22, 日本物理学会2024年春季大会, 2024年3月（オンライン）

   • 酒匂花子, 秦一斗, 荒木田南実, Dayal Chandra Roy, 松川倫明, 會澤純雄, 西館数芽, 山本孟A, 松下明行

3. TiO2表面における水分子のダイナミクス

   • 16pPSA-37, 日本物理学会第78回年次大会, 2023年9月（東北大学）

   • 山内拓, 長谷川正之, 西館数芽

4. Ba2PrBiO6の表面における水分子のダイナミクス

   • 16pPSA-38、日本物理学会第78回年次大会, 2023年9月（東北大学）

   • 田中亮佑, 松川倫明, 松下明行A, 長谷川正之, 西館数芽

5. Ta3N5の表面反応性

   • 16pPSA-39, 日本物理学会第78回年次大会, 2023年9月（東北大学）

   • 阿部光希, 長谷川正之, 西館数芽

6. Pt表面における水分子のダイナミクス

   • 16pPSA-40, 日本物理学会第78回年次大会, 2023年9月（東北大学）

   • 岡田真央, 長谷川正之, 西館数芽

7. ダブルペロブスカイト表面における水のダイナミクス

   • 22aJ1-11，日本物理学会春季大会, 2023年3月（オンライン）

   • 西館数芽, 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之

8. 放電プラズマ焼結法によるLa1-xYxMO3 (M = Mn，Fe)の合成と物性評価

   • 24pPSH-29，日本物理学会春季大会, 2023年3月（オンライン）

   • 川原田尚久, 谷口晴香, 小林翔真, 上野健斗, 西館数芽, 松川倫明

9. ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6の仕事関数とバンドギャップ：第一原理計算

   • 14aW521-11，日本物理学会秋季大会, 2022年9月（東京工業大学）

   • 西館数芽, 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 長谷川正之

10. ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6の第一原理分子動力学計算

    • 12pPSB-1，日本物理学会秋季大会, 2022年9月（東京工業大学）

    • 佐藤創, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之, 西館数芽

11. 放電プラズマ焼結法によるダブルペロブスカイト酸化物の合成

    • 14pPSB-55，日本物理学会秋季大会, 2022年9月（東京工業大学）

    • 谷口晴香, 川原田尚久, 西館数芽, 松川倫明

12. ペロブスカイト酸化物Ba(Bi,Sb)O3の合成と物性評価

    • 14pPSB-25，日本物理学会秋季大会, 2022年9月（東京工業大学）

    • 米内孝徳, Dayal Chandra Roy, 荒木田南実, 松川倫明, 谷口晴香, 西館数芽, 松下明行, Zhang Kun

13. ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6表面の電子状態：第一原理計算

    • 16aGE11-2, 日本物理学会第77回年次大会（2022年3月15日〜19日）（オンライン）

    • 西館数芽, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之

    • 岩手大, NIMSA

14. ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6表面における水分子の反応性：第一原理計算

    • 23aJ1-13, 日本物理学会2021年秋季大会（2021年9月20日〜23日）（オンライン）

    • 西館数芽, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 長谷川正之

    • 岩手大, NIMSA

15. ダブルペロブスカイト酸化物Ba2Pr(Bi,Sb)O6の価数共存状態と光触媒効果

    • PSH-322505, 日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8日〜11日）（オンライン）

    • 佐藤愛里沙, 辻峻介, 松川倫明, 谷口晴香, 西館数芽, 會澤純雄, 松下明行A, Zhang KunA

    • 岩手大, NIMSA

16. ダブルペロブスカイトBa2PrBiO6 のBサイト置換効果：第一原理電子構造計算

    • 領域811aH1-112681，日本物理学会2020年秋季大会（2020年9月8日〜11日）（オンライン）

    • 西館数芽, アシィアディコ, 三田宙知, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行A, 谷林慧B, 長谷川正之

    • 岩手大理工, NIMSA, 一関高専B

17. ZnO中のLiの挙動：ハイブリッド汎関数による第一原理計算

    • 会議名称 : 日本物理学会第７５回年次大会（2020年3月16日〜19日）

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2020年3月16日～2020年3月19日

    • 発表者 : 三田宙知, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 谷林慧, 長谷川正之, 西館数芽

18. ダブルペロブスカイト Ba2Pr(Bi, Sb)O6 のハイブリッド汎関数によるバンド計算

    • 会議名称 : 日本物理学会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2020年3月16日～2020年3月19日

    • 発表者 : アシィ アディコ, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 谷林慧, 長谷川正之, 西館数芽

19. Bサイトを置換したダブルペロブスカイト Ba2Pr(Bi, Sb)O6 の電子状態計算

    • 会議名称 : 日本物理学会 2019年秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2019年9月10日～2019年9月13日

    • 発表者 : 西館数芽, 松川倫明, 谷口晴香, 松下明行, 谷林慧, 長谷川正之

20. Ni(111)表面に生成されたエピタキシャル・グラフェンのバンド・ギャップ:軌道混成効果か副格子対称性の破れの効果か?

    • 会議名称 : 日本物理学会 2019年秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2019年9月10日～2019年9月13日

    • 発表者 : 西館数芽, 谷林慧A, 松川倫明, ○長谷川正之

21. ダブルペロブスカイト系Ba2Pr(Bi1-xSbx)O6の置換効果とバンドギャップ制御

    • 会議名称 : 日本物理学会 2018秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2018年9月9日～2018年9月12日

    • 発表者 : 伊藤豊、小野寺勘、松川倫明、谷口晴香、西館数芽、松下明行

22. Ba2PrBi1-xSbx)O6の第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2018年9月9日～2018年9月12日

    • 発表者 : 西館数芽、青山修也、松川倫明、谷口晴香、谷林慧、長谷川正之

23. Limitation and semiempirical reinfocement of the conventional DFT calculations: The case of graphite

    • 会議名称 : The 10th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2007年10月29日～2007年10月31日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 開催場所 : Hiroshima

24. Fluctuation of charge densities during the oxygen reduction reaction process of FeN4 center embedded on the carbon system

    • 会議名称 : The 5th Ito International Research Conference (IIRC5)

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2017年11月21日

    • 発表者 : S. Aoyama, J. Kaiwa, M. Hasegawa, and K. Nishidate

25. カーボンナノチューブにおけるFeN4活性サイトに関する第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会 2017秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2017年9月21日～2017年9月24日

    • 発表者 : 青山修也, 鹿岩潤, 山下毅A, 長谷川正之, 西館数芽

26. Au原子挿入によるRu(0001)表面上のエピタキシャル・グラフェンの電子構造制御

    • 会議名称 : 日本物理学会 2017秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2017年9月21日～2017年9月24日

    • 発表者 : 西館数芽, 谷林慧A, ◯長谷川正之

27. グラフェンにおけるFeN4活性サイトに関する第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会 2017秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2017年9月21日～2017年9月24日

    • 発表者 : 鹿岩潤, 青山修也, 山下毅A, 長谷川正之, 西館数芽

28. Ba2PrBiO6とその関連物質のバンド計算

    • 会議名称 : 日本物理学会 2017秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2017年9月21日～2017年9月24日

    • 発表者 : 西館数芽, 青山修也, 鹿岩潤, 松川倫明, 谷口晴香, 山下毅A, 谷林慧B, 長谷川正之

29. 燃料電池触媒の酸化還元反応におけるダイナミクスと電荷密度分布の変動

    • 会議名称 : 第7回計算統計物理学研究会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2017年9月25日～2017年9月26日

    • 発表者 : 青山修也、鹿岩潤、長谷川正之、西館数芽

30. 遷移金属Ru(0001)表面上のグラフェン:貴金属原子Auの挿入によるバンドギャプ形成

    • 会議名称 : 日本物理学会2016秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2016年9月13日～2016年9月16日

    • 発表者 : 西館数芽、 吉本則之、長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 金沢大学

31. 貴金属原子インターカレーションによる遷移金属表面上のエピタキシャルグラフェンの半導体化

    • 会議名称 : 日本物理学会 第71回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2016年3月19日～2016年3月22日

    • 発表者 : 西館数芽、 吉本則之、長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 東北学院大学 泉キャンパス

32. Band Gap Engineering of Epitaxial Graphene on the Ru(0001) Surface by the Intercalation of Au Atom

    • 会議名称 : 15th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-15)

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2015年11月16日～2015年11月18日

    • 発表者 : Kazume Nishidate, Noriyuki Yoshimoto and Masayuki Hasegawa

    • 開催場所 : Hiroshima, Japan

33. グラフェン上のペンタセン - 第一原理分子動力学計算 -

    • 会議名称 : 第29回分子シミュレーション討論会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2015年11月30日～2015年12月2日

    • 発表者 : 西館数芽, 吉本則之、長谷川正之

    • 主催者 : 分子シミュレーション研究会

    • 開催場所 : 朱鷺メッセ、新潟

34. グラフェンナノリボン類似物としてのつぶれたカーボンナノチューブ

    • 会議名称 : 日本物理学会第70回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2015年3月21日～2015年3月25日

    • 発表者 : 西館数芽、吉本則之、長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 早稲田大学

35. グラフェン上のペンタセンと電荷再配置,および仕事関数の変化について

    • 会議名称 : 日本物理学会第70回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2015年3月21日～2015年3月24日

    • 発表者 : 西館数芽、吉本則之、長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 早稲田大学

36. ペンタセンおよびパーフルオロペンタセンと,グラフェンとの相互作用

    • 会議名称 : 第28回分子シミュレーション討論会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2014年11月12日～2014年11月14日

    • 発表者 : 鈴木佳之,吉本則之,長谷川正 之,西館数芽

    • 主催者 : 分子シミュレーション研究会

    • 開催場所 : 仙台

37. グラフェン上のペンタセン分子の構造に関する第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会第69回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2014年3月27日

    • 発表者 : 西館数芽,吉本則之,長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 東海大学

38. つぶれた単層カーボンナノチューブ:つぶれ方と電子構造

    • 会議名称 : 日本物理学会第69回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2014年3月28日

    • 発表者 : 西館数芽,長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 東海大学

39. ペンタセンの電子構造と原子構造 II

    • 会議名称 : 日本物理学会第68回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2013年3月27日

    • 発表者 : 西館数芽,荒木悠,長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 広島大学

40. グラフェン/Ni(111)界面への貴金属インターカレーションの効果:ショットキー接触形成の可能性

    • 会議名称 : 日本物理学会,2012年秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2012年9月1日

    • 発表者 : 長谷川正之,西館数芽

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 横浜国立大学

41. ペンタセンの電子構造と原子構造

    • 会議名称 : 日本物理学会,2012年秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2012年9月1日

    • 発表者 : 西館数芽,荒木悠,長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 横浜国立大学

42. ZnOの極性面における水素原子のふるまい:第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会 第67回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2012年3月26日

    • 発表者 : 西館数芽,荒木悠,伊東賢太郎,吉本則之,長谷川正之

43. Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造II:貴金属インターカレーションの効果

    • 会議名称 : 日本物理学会 第67回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2012年3月26日

    • 発表者 : 長谷川正之,西館数芽

44. ZnO極性面についての第一原理電子構造計算による研究

    • 会議名称 : 日本物理学会2011年秋期大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2011年9月21日

    • 発表者 : 西館数芽、伊藤賢太郎、荒木悠、吉本則之、長谷川正之

45. Ni(111)表面に吸着したグラフェンの電子構造:貴金属インターカレーションの効果

    • 会議名称 : 日本物理学会2011年秋期大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2011年9月23日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

46. 金属表面上のグラフェンとカーボンナノチューブ:電荷移動とドーピングの現象論的モデル

    • 会議名称 : ナノ学会第9回大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2011年6月2日～2011年6月4日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

47. ZnO極性面の電子構造と反応性:第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : ナノ学会第9回大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2011年6月2日～2011年6月4日

    • 発表者 : 伊藤賢太郎、荒木悠、太田康治、西館数芽、長谷川正之

48. Transfer Doping of Single-Walled Carbon Nanotubes and Graphene Adsorbed on Metallic Surfaces

    • 会議名称 : ナノ学会第8回大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2010年5月13日～2010年5月15日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

    • 開催場所 : 分子科学研究所

49. 金属表面に吸着したカーボンナノチューブの変形と電荷移動

    • 会議名称 : 第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2010年3月2日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

50. 金属表面に吸着したカーボンナノチューブの電子物性:仕事関数と電荷移動

    • 会議名称 : 日本物理学会第65回年次大

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2010年3月20日～2010年3月23日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

51. ロジウム表面上の窒素酸化物分子

    • 会議名称 : 日本物理学会第65回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2010年3月20日～2010年3月23日

    • 発表者 : 西館数芽、近藤寛、長谷川正之

52. ロジウム上の窒素酸化物の触媒反応に関する理論計算

    • 会議名称 : 第3回北東北3大学連携推進研究プロジェクト研究会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年11月28日

    • 発表者 : 西館数芽、長谷川正之

53. 金属表面に吸着したカーボンナノチューブの電子物性:変形と電荷移動の効果

    • 会議名称 : 第3回北東北3大学連携推進研究プロジェクト研究会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年11月28日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

54. 金属基板上で変形した単層カーボンナノチューブの電荷移動と電子物性

    • 会議名称 : 日本物理学会2009年秋期大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年9月25日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

55. Rh(111)面におけるNO分子:第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会2009年秋期大会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2009年9月26日

    • 発表者 : 西館数芽、近藤寛、長谷川正之

56. Deformation Dynamics and Electronic Properties of a Squashed Single-Walled Carbon Nanotube

    • 会議名称 : ナノ学会ナノ構造・物性第1回研究会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年1月23日～2009年1月24日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

57. ZnO表面のナノ構造に関する理論的研究

    • 会議名称 : 日本物理学会第64回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年3月27日～2009年3月30日

    • 発表者 : 西館数芽、長谷川正之

58. 基板上で変形した単層カーボンナノチューブの電荷移動と仕事関数

    • 会議名称 : 日本物理学会第64回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年3月27日～2009年3月30日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

59. Effects of Radial Deformation and Metallic Substrates on the Electronic Properties of Single-Walled Carbon Nanotubes

    • 会議名称 : ナノ学会第7回大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年5月9日～2009年5月11日

    • 発表者 : ナノ学会第7回大会

60. Effects of Radial Deformation and Metallic Substrates on the Electronic Properties of Single-Walled Carbon Nanotubes

    • 会議名称 : The 8th Torunian Carbon Symposium

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年9月2日～2009年9月5日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 開催場所 : Torun (Poland)

61. Deformation characteristics and electronic properties of single-walled carbon nanotubes on the metallic substrates

    • 会議名称 : 20th European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年9月6日～2009年9月10日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

62. Radial Deformation and Electronic-Structure Modification of Single-Walled Carbon Nanotubes

    • 会議名称 : The 11th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2008年11月2日～2008年11月5日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 開催場所 : Kaoshiung, Taiwan

63. Radial Deformation and Transfer Doping of an Armchair Single-Walled Carbon Nanotube on the Gold Substrate

    • 会議名称 : International Symposium on Nanoscale and Quantum Physics

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2009年2月23日～2009年2月25日

    • 発表者 : K. Nishidate, M. Hasegawa

    • 開催場所 : Tokyo

64. ZnOの極性面に吸着されたMgおよびB原子の電子構造

    • 会議名称 : 日本物理学会2008年秋季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2008年9月20日～2008年9月23日

    • 発表者 : 小松優太、西館数芽、太田康治、馬場守、長谷川正之、

65. Electronic structure calculation of adatoms on ZnO polar surface

    • 会議名称 : The 11th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2008年11月2日～2008年11月5日

    • 発表者 : K. Nishidate, M. Hasegawa

    • 開催場所 : Kaoshiung, Taiwan

66. ZnOの極性面に吸着された金属原子の第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : 日本物理学会2008年秋季大会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2008年9月20日～2008年9月23日

    • 発表者 : 西館数芽、長谷川正之

67. Radial Deformation and Electronic-Structure Modification of Single-Walled Carbon Nanotubes

    • 会議名称 : ナノ学会第6回大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2008年5月7日～2008年5月9日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 開催場所 : 九州大学

68. つぶれたカーボンナノチューブの電子構造

    • 会議名称 : 日本物理学会2008年秋期大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2008年9月20日～2008年9月23日

    • 発表者 : 長谷川正之、西館数芽

    • 開催場所 : 岩手大学

69. MgB2薄膜の生成ダイナミクスと界面構造についての理論的研究

    • 会議名称 : 日本物理学会第63回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2008年3月22日～2008年3月26日

    • 発表者 : 西館数芽、吉澤正人、長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 近畿大学

70. MgB2の生成ダイナミクスと界面構造についての理論的研究

    • 会議名称 : ナノ学会第6回大会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2008年5月7日～2008年5月9日

    • 発表者 : 西館数芽、吉澤正人、長谷川正之

71. Electronic Structure Modifications of Collapsed Single-Walled Carbon Nanotubes: The Case of Armchair Nanotubes

    • 会議名称 : 第35回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2008年8月27日～2008年8月29日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

72. Band-gap modification by radial deformation in semiconductor single-walled carbon nanotubes

    • 会議名称 : Virtual Conference on Interaction Among Nanostructures

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2008年2月3日～2008年2月7日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 開催場所 : Orland, Florida (USA)

73. Electronic structure of single-wall carbon nanotube deformed in the radial direction under hydrostatic pressure

    • 会議名称 : ナノ学会第5回大会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2007年5月21日～2007年5月22日

    • 発表者 : M. Hasegawa, K. Nishidate

    • 主催者 : ナノ学会

    • 開催場所 : つくば

74. ZnO面へのMg/B原子の吸着:第一原理計算による表面ダイナミクスの研究

    • 会議名称 : 日本物理学会第62回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2007年9月22日

    • 発表者 : 西館数芽,吉澤正人,家富洋A,長谷川正之

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 北海道大学

75. Energetics of Mg and B adsorption on polar zinc oxide surfaces from first principles

    • 会議名称 : The 10th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2007年10月29日～2007年10月31日

    • 発表者 : K. Nishidate, M. Yoshizawa, M. Hasegawa

    • 開催場所 : Hiroshima

76. ZnO表面へのMgおよびBの吸着機構:第一原理電子構造計算

    • 会議名称 : ナノ学会第5回大会

    • 発表形態 : ポスター(一般)

    • 開催期間 : 2007年5月21日

    • 発表者 : 西館数芽、原田善之、吉澤正人、馬場守、長谷川正之

    • 開催場所 : つくば

77. グラファイトの層間凝集エネルギーの計算

    • 会議名称 : 日本物理学会2007年春季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2007年3月18日

    • 発表者 : 長谷川正之, 西館数芽

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 鹿児島大学

78. 単層カーボンナノチューブの動径方向の変形と電子構造変化

    • 会議名称 : 日本物理学会2007年春季大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2007年3月20日

    • 発表者 : 長谷川正之, 西館数芽

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 鹿児島大学

79. 静水圧下における単層カーボンナノチューブの動径方向の変形と電子構造変化

    • 会議名称 : 日本物理学会第62回年次大会

    • 発表形態 : 口頭(一般)

    • 開催期間 : 2007年9月24日

    • 発表者 : 長谷川正之,西館数芽

    • 主催者 : 日本物理学会

    • 開催場所 : 北海道大学

これ以前は省略。