最新消息 

👍👍👍吳永俊教授團隊榮獲 2025 IEEE Paul Rappaport Award

On behalf of the IEEE Electron Devices Society (EDS), congratulations on being selected as the recipients of the 2025 IEEE EDS Paul Rappaport Award for your paper entitled "Multibit N- and P-type Fe-GAAFETs Using HfO₂/ZrO₂ Superlattice Dielectric and SiGe/Si Superlattice Channel with Record Low Voltage, Large Memory Window, High Speed and Reliability for High Density 1T NVM Applications."

IEEE EDS 官方資料指出，Paul Rappaport Award 自 1984 年設立，現定Paul Rappaport Award 不是由單一研討會自行選出的 Best Paper，而是 IEEE Electron Devices Society 的年度獎項，針對 T-ED 論文進行認可。IEEE EDS 的歷史資料也明確稱其為每年頒發的最佳論文獎。

👍 誠徵工科系碩士、博士 ( 丙組、丁組與己組 ) 新生 , 請至工科系綠能館504詳談!!

​👍 誠徵半導體學院碩士、博士 ( 元件組 ) 新生 , 請至工科系綠能館504詳談!!

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👍 2026 國際英文版學術教科書出版：Semiconductor Processes and Integration

      作者：吳永俊(Yung-Chun Wu)

      出版資訊: Cengage; 1st ed. 2026 edition

      ISBN: 9786267533420

👍 2024 5篇頂尖 IEEE 期刊論文發表(台灣頂尖): IEEE EDL 3篇, TED 2篇

​​👍 2024美國專利(與台積電共享)獲證: US 20240332386 A1 

👍 2023 專書發表：半導體製程與整合 
　  作者：吳永俊(Yung-Chun Wu), 孫崇哲(Chong-Jhe Sun), 顏孝丞(Siao-Cheng Yan)
　  出版資訊：2023年8月, 滄海圖書資訊

👍 恭賀!! 吳永俊教授 指導之計畫「三維原子級電子斷層掃描技術在前瞻半導體元件的應用」榮獲2023未來科技獎

👍 恭賀!! 吳永俊教授 指導之計畫「前瞻單晶片三維多層級堆疊之高密度積體電路關鍵技術」榮獲2022未來科技獎

👍 台灣 清華大學吳永俊教授-半導體製程與整合 YOUTUBE 線上課程，超過10萬人次觀看！

　  網址連結：https://reurl.cc/Kd8pjp

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👍 恭賀!! 本實驗室多位同學獲獎2021-2024 年台積電研究助理獎助金

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👍 2021年12月發表鐵電記憶體榮登IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 封面 cover story 

     3D Diamond-Shape Ge Gate-All-Around Nanowire FETs
    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 42, NO. 12, December 2021

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👍 2021年9月發表鐵電記憶體榮登IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 封面 cover story 

     High Speed and Large Memory Window Ferroelectric HfZrO2 FinFET for High-Density Nonvolatile Memory
    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 42, NO. 9, SEPTEMBER 2021

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👍 本實驗室榮獲2021中華民國專利證書：具超薄結晶性氧化鉿之閘極介電層的鐵電電晶體裝置

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👍 本實驗室榮獲2024美國專利證書：Semiconductor device and manufacturing method thereof !!!與台積電共同獲證!!!

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👍 本實驗室榮獲2025美國專利證書：Semiconductor device and method for forming the same !!!與台積電共同獲證!!!

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👍 本實驗室榮獲2026美國專利證書：Dielectric element and application of the same !!!與台積電共同獲證!!!

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👍 2019年世界首次製作出HZO厚度為2nm，可量產之負電容鰭式電晶體，其次臨界斜率(SS)小於60mV/dec。

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👍 恭賀!! 應屆畢業生孫崇哲、林育如、蔡孟儒博士 錄取台積電RD工程師。顏孝丞博士錄取力旺電子工程師

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👍 恭賀!! 近年來屆畢業生黃愷崴、張恒嘉、林采蓉、陳柏銨等多位碩士 錄取台積電工程師

👍 狂賀!! 2017 國際英文版TCAD模擬專書出版

• ​http://www.springer.com/gp/book/9789811030659

• https://www.amazon.com/TCAD-Simulation-CMOS-Nanoeletronic-Devices/dp/9811030650

• ISBN-13 : 978-9811030659 ISBN-10 : 9811030650

• 3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

• Publisher : Springer ; 1st ed. 2018 edition ( June 21, 2017 ) , Hardcover : 330 page​

👍 2016 專書發表 : 三維TCAD模擬CMOS奈米電子元件

• ​3D3D TCAD Simulation for CMOS Nanoeletronic Devices

• 作者 : 吳永俊 / 詹易叡

• ISBN : 9789865647353 滄海圖書

👍 榮登 IEEE International Electron Devices Meeting ( IEDM ) 國際最頂尖半導體元件​技術會議論文 2篇

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👍 榮登VLSI 國際最頂尖半導體元件技術會議論文2 篇

!!!與台積電共同獲證!!!