超高密度記憶材料の開発
超高密度記憶材料の開発
パソコンやスマートフォンなどの飛躍的な進歩が目覚ましい近代において、増大するデータ容量に対応できる記憶媒体の開発は重要な課題です。超高密度な記憶材料として、1つの分子が磁石になる単分子磁石は次世代の材料として期待されています。本研究では、記録が保持できる温度の向上やデバイス上への展開を見据えたレアアースによる分子磁石の開発を行っています。
パソコンやスマートフォンなどの飛躍的な進歩が目覚ましい近代において、増大するデータ容量に対応できる記憶媒体の開発は重要な課題です。超高密度な記憶材料として、1つの分子が磁石になる単分子磁石は次世代の材料として期待されています。本研究では、記録が保持できる温度の向上やデバイス上への展開を見据えたレアアースによる分子磁石の開発を行っています。
希少な資源であるレアメタルやレアアースに頼らない、有機物だけで磁石や磁気特性を応用した材料を作ることを目指しています。本研究では、主にスピロ構造と呼ばれる特異的な分子構造に着目しており、環構造の化学的な修飾や中心元素の置換を通して、磁性材料の開発を進めています。
ゼオライトや活性炭で知られる多孔質材料は近年、分子レベルで設計・構築する研究が盛んに行われています(有機-金属構造体MOFなど)。本研究では、水素結合を利用した多孔質金属錯体の開発を目指しています。特に、金属錯体(スピンクロスオーバー現象)、水素結合(秩序-無秩序相転移)、多孔質構造(ゲスト分子の吸脱着)による階層的なスイッチングを利用して、多くの自由度を制御した多機能性材料への展開を目指しています。