研究領域

石墨烯與二維材料相關研究:

1. Graphene

石墨烯是僅由碳原子所組成之單層或數層二維平面結構且零能隙的半導體材料，其結構呈現出蜂巢晶格 (honeycomb crystal lattice) 之六角對稱。石墨烯目前是世上最薄卻也是最堅硬的奈米材料，它幾乎是完全透明的，由於它的電阻率極低，電子的移動速度極快，因此被期待可用來發展出更薄、導電速度更快的新一代電子元件或電晶體。

2. MoS₂

二硫化鉬 (MoS₂) 是當今受矚目的化合物之一，因為其出色的性能使其可用於不同的應用。它的能帶間隙和獨特的結構使其成為替代石墨烯和其他半導體器件的有前途的材料。它在電子領域都有不同的應用，特別是傳感器，如光學傳感器、生物傳感器、電化學生物傳感器，它們在檢測各種疾病（如阿爾茨海默病和癌症）中發揮重要作用。它在電池、太陽能電池、微波和太赫茲應用中具有廣泛的能源應用，且塊狀和分散形式在工業中都能有所應用。

3. Sb₂S₃

硫化銻 Sb2S3 (antimony trisulfide) 是一個深具潛力的半導體材料，其依不同的製程方式有不同的晶相結構 (輝銻礦相，非晶相)，其中輝銻礦相 (stibnite phase) 直接能隙範圍在 1.7 eV 到 1.8 eV，非晶相直接能隙範圍在 1.7 eV 到 2.7 eV，間接能隙範圍在 1.5 eV 到 1.85 eV。由此可知，硫化銻的能隙變化從 1.5 eV ~ 2.7 eV之間，其能隙所對應的吸收波長涵蓋太陽光頻譜範圍。若能隙為 1.7 eV 時，在波長 450 nm有非常高的吸收係數(1.8 × 105 cm-1)，因此非常適合用來製作太陽能電池、光電化學電池、微波元件與光偵測器。沉積硫化銻薄膜的方式有很多種 : 如熱蒸鍍法、濺鍍法、多元醇回流法、化學氣相沉積法、噴霧裂解法、水熱法，以及化學浴沉積法。