Patents

2025

• "접합 구조 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 인-메모리 컴퓨터 소자", 백성표, 유현호, 전수민, Niu Jingjie, Prashant Singh, 박진홍, 이성주, KR 10-2824779, 2025-06-20

• "터널링 전계 효과 트랜지스터, 네거티브 커패시턴스 전계 효과 트랜지스터, 및 I-MOS 등과 같이 고속 스위칭이 가능한 초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자와 정보처리 소자", 최해주, 강태호, 강찬우, 손현제, 백성표, 박진홍, 이성주, KR 10-2777691, 2025-03-04

• "SUPER-STEEP SWITCHING DEVICE AND INVERTER DEVICE USING THE SAME", 최해주, 강태호, 강찬우, 손현제, 백성표, 박진홍, 이성주, US 12,211,849, 2025-01-28

• "접합 구조 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 컴퓨팅 장치", 백성표, 전수민, Niu Jingjie, 유현호, 이성주, KR 10-2756342, 2025-01-14

2024

• "맥신 시냅스 장치", 주재혁, 백성표, 유현호, 서승환, 박진홍, 이성주, KR 10-2729063, 2024-11-07

• "超傾斜スイッチング素子及びこれを用いたインバータ素子 (초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자)", 최해주, 강태호, 강찬우, 손현제, 백성표, 박진홍, 이성주, JP 7580170, 2024-10-31

• "초경사 스위칭 소자 및 이를 이용한 인버터 소자", 최해주, 강태호, 강찬우, 손현제, 백성표, 박진홍, 이성주, KR 10-2655078, 2024-04-02

2023

• "2차원 물질 및 그 제조 방법", JING HONGYUE, 백성표, 손현제, 주재혁, 최승혁, 최해주, 삼성전자, 이성주, KR 10-2591855, 2023-10-17

• "부성 트랜스컨덕턴스 소자 및 이를 이용한 다치 메모리 소자", 최해주, 강태호, 강찬우, 손현제, 백성표, 유현호, 주재혁, 이성주, KR 10-2544096, 2023-06-12

2022

• "NEGATIVE TRANSCONDUCTANCE DEVICE AND MULTI-VALUED INVERTER LOGIC DEVICE USING THE SAME", 전재호, 손현제, 최해주, 김민제, 조정호, 이성주, US 11,605,650,B2, 2022-12-07

• "THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT", 주재혁, 백성표, 박진홍, 이성주, US 11,502,129, 2022-11-15

• "광검출 소자 및 이의 제조방법", 전재호, 최승혁, 박진홍, 이성주, KR 10-2389516, 2022-04-19

• "PHOTODETECTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD", 전재호, 최승혁, 박진홍, 이성주, US 11,362,224, 2022-03-17

2021

• "부성 트랜스컨덕턴스 소자 및 이를 이용한 다치 인버터 논리 소자", 전재호, 손현제, 최해주, 김민제, 조정호, 이성주, KR 10-2297337, 2021-08-27

• "부성 트랜스컨덕턴스 소자, 이를 이용한 부성 저항 소자 그리고 다치 논리 소자", 전재호, 손현제, 최해주, 김민제, 조정호, 이성주, KR 10-2297385, 2021-08-27

• "광 검출 장치, 이의 제조방법 및 이를 이용한 광 검출 방법", 최승혁, 전재호, 황의헌, 박진홍, 이성주, KR 10-2271098, 2021-06-24

• "3차원 반도체 집적 회로", 주재혁, 박진홍, 신채연, 백성표, 이성주, KR 10-2262756, 2021-06-03

• "자기저항 구조체 및 그 제조 방법, 이를 구비하는 전자소자", 서환수, 전인수, 김민우, 송영재, 왕민, 우친커, 이성주, 장성규, 정승준, KR 10-2222262, 2021-02-24

• "시냅스 소자 및 이의 제조 방법", 박진홍, 허근, 조성재, 이성주, KR 10-2211320, 2021-01-28

2020

• "PROTEIN-BASED NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME", 장성규, 최우석, 이성주, US 10,700,273, 2020-06-30

• "부성 미분 전달컨덕턴스 특성을 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법", 박진홍, 이성주, 김관호, 최재웅, 임지혜, KR 10-2128956, 2020-06-25

• "ELECTRIC DEVICE BASED ON BLACK PHOSPHOROUS SINGLE CHANNEL WITH MULTI-FUNCTION AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME", Jingyuan Jia, 전수민, 박진홍, 이성주, US 10,608,095, 2020-02-03

• "도체-반도체 측면 이종접합구조, 이들의 제조방법, 이를 포함하는 스위칭 소자 및 이차원 전도성 박막의 제조방법", 전재호, 최승혁, 박진홍, 이성주, KR 10-2071232, 2020-01-22

• "원자 스위칭 장치", 주재혁, 이성주, KR 10-2069239, 2020-01-16

2019

• "비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법", 전재호, 최승혁, 박진홍, 염근영, 이성주, KR 10-2008158, 2019-08-01

• "2차원 맥세인 박막의 제조방법", 장성규, Lai Shen, 최승혁, Yang Yajie, 이성주, KR 10-1966582, 2019-04-01

• "터널링 전계효과 트랜지스터", 장성규, Xu Jiao, 손현제, 이성주, KR 10-1966531, 2019-04-01

• "다기능성 단일 채널 흑린 기반 전자 소자 및 이의 제조 방법", 전수민, Xu Jiao, Jia Jingyuan, 이성주, KR 10-1963506, 2019-03-22

• "단백질 기반의 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법", 장성규, 이성주, KR 10-1962030, 2019-03-19

2018

• "2차원 나노박막을 전사시키는 방법", Lai Shen, 전재호, 최승혁, 송영재, 이성주, KR 10-1923772, 2018-11-23

• "2차원 박막 표면 처리 방법 및 이를 포함하는 전자 소자의 제조 방법", 가정원, 장성규, 전재호, 이성주, KR 10-1884977, 2018-07-24

2017

• "2차원 맥세인 박막의 제조방법, 이를 이용한 전자 소자의 제조 방법, 2차원 맥세인 박막을 포함하는 전자 소자", 전재호, 이성주, KR 10-1807390, 2017-12-04

• "트랩층을 포함하는 부성 미분 저항 소자 및 그 제조 방법", 박진홍, 심재우, 이성주, KR 10-1805827, 2017-11-30

• "공명 터널 소자 및 그 제조 방법", 박진홍, 심재우, 이성주, 조정호, 우한영, KR 10-1802775, 2017-11-23

2016

• "HETEROGENEOUS LAYERED STRUCTURE, METHOD OF PREPARING THE HETEROGENEOUS LAYERED STRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE HETEROGENEOUS LAYERED STRUCTURE", 이성주, 송영재, Min Wang, 장성규, 최재영, US 9515143 B2, 2016-12-06

• "MAGNETIC RESISTANCE STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE MAGNETIC RESISTANCE STRUCTURE, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE MAGNETIC RESISTANCE STRUCTURE", 서환수, 전인수, 김민우, 송영재, Min Wang, Qinke Wu, 이성주, 장성규, 정성준, US 9368177 B2, 2016-06-14