1. 질화물계 원격에피택시와 응력층 기반 화합물 반도체 중 분리/전사 기술 개발
MOCVD 기반 질화물계 원격에피택시(remote epitaxy)와 응력층 기반 단결정 화합물 반도체 분리(layer-resolved spalling) 및 전사 기술을 이용한 반도체 이종집적 기술/모기판 재사용 기술 개발 연구
2. GaN RF HEMT 소자 공정 및 특성/신뢰성 특성 평가 연구
차량용 반도체, 6G 통신용 증폭기 응용을 위한 고속/고출력 GaN HEMT
전력반도체 소자 공정기술 개발 및 특성/신뢰성 평가 기술 연구
관련 수행과제
-기판 재사용이 가능한 2차원 분리막 기반의 원격에피택시 기술을 통한 고품질 질화물계 멤브레인 제작 원천 기술 연구 (한국연구재단)
-기초연구실 지원 사업: 원격에피택시 기반 차세대 반도체 이종집적 기술 연구실 (한국연구재단)
-민관공동투자반도체 고급인력양성사업: 실리콘-화합물(Si-GaN) 융합 반도체 기반 핵심소자 구현 기술 개발 (한국산업기술평가관리원)
-한국전자통신연구원 미래원천 창의전문연구실 위탁과제: Wafer-level GaN 정밀분리 및 전사기술
-X-대역(8 ~ 12 GHz) 전력증폭소자용 AlN 기반 GaN Epi-Wafer 개발 (엘앤디전자㈜)
-GaN on Si 에피웨이퍼 특성평가를 위한 Au-free Ohmic 공정 개발 (에이프로세미콘㈜)
3. 금속전극과 2D/3D 반도체의 컨택 특성평가 기술 및 예측 model 개발
- FinFET S/D 영역에서의 distributed resistor network -
FinFET/NSFET S/D의 기하학적 구조가 반영된 electrical contact model 개발
FinFET/NSFET 등 3D 구조를 갖는 반도체에서 구조 및 크기 변화에 따른 컨택 저항 변화를 파악하기 위해 raised S/D 구조의 기하학적 형태를 반영하여 컨택 특성을 정밀하게 평가하고 정확한 컨택 저항 추출을 가능하게 하는 새로운 컨택 저항 model을 개발하는 연구 수행
전력반도체 소자 공정기술 개발 및 특성/신뢰성 평가 기술 연구
4. 금속과 접합된 반도체 영역의 전기적 특성 변화가 반영된 electrical contact 측정 평가 방법 개발 및 응용
- Bridge contact resistance(BCR)의 구조의 개략도 및 lumped circuit -
- BCR contact 측정/평가 기술의 응용: GaN HEMT 소자 및 MoS2 소자 -
금속과 접합된 반도체 영역의 전기적 특성 변화를 모니터링할 수 있는 측정 기법 개발 및 이를 기반으로 정확한 컨택 파라미터를 도출할 수 있는 컨택 특성 평가 개발을 위한 연구 수행
관련 수행과제
- 금속전극과 low-dimensional(2D/1D)반도체 contact 저항 최소화를 위한 contact 재료/구조 개발 및 2D/1D반도체 electrical contact model 개발 (삼성전자(주) DS부문)
5. 엑소좀 기반 바이오 소자 및 분석 기술 연구
- 엑소좀 물리량 암 진단 분석 개념도-
Scattered-light 기반 개별 엑소좀 다중 물리량(크기,제타전위,표면전하밀도) 분석 하여 엑소좀 물리량 및 모세포 정보 상관관계 도출을 통한 암 진단 연구 수행
- 엑소좀 분리/분석 및 바이오마커 분석 개념도-
엑소좀 분리/분석을 한 칩에서 연속적으로 수행하여 다파장 ELISA 센서 모듈을 통해 암종별 특이적 바이오마커를 분석하여 암종 및 암 병기 판별 연구수행