Pedro Henrique Duarte:

2017 – Ingressou na Fatec-SP no curso de Eletrônica Industrial, no qual realizou uma Iniciação Científica da FATEC/USP como não bolsista e desenvolveu as seguintes atividades, medidas CxV de Capacitores MOS para avaliar o comportamento da injeção lateral de elétrons na presença de soluções de cloreto de Potássio dissolvido em água deioniza. 

2020 – Concluiu a sua graduação em Eletrônica Industrial, apresentando o TCC com título de “Capacitor MOS como sensor de Potássio (K+) em soluções aquosas”, orientado pelo Prof. Ricardo Cardoso Rangel. E ingressou no Mestrado em Engenharia Elétrica – Microeletrônica na Universidade de São Paulo, USP, onde desenvolveu as seguintes atividades, análise da tensão de limiar de Transistores MOS que tem a porta líquida, ou seja, o material de porta metálico é substituído por uma solução, que o torna sensível a íons (Transistor de Efeito de Campo sensível a Íons – ISFET) presente no líquido. Foram utilizadas soluções de Peróxido de Hidrogênio (H2O2) com diferentes concentrações e soluções padrão de pH em vários valores para realizar o trabalho. 

2022 -  Concluiu o seu mestrado cujo título foi “Estudo e Fabricação de ISFET para aplicação em Sensor/Biossensor” orientado pelo Prof. João Antônio Martino, como bolsista da Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. E ingressou no Doutorado em andamento em Engenharia Elétrica – Microeletrônica na Universidade de São Paulo, USP, Brasil. 

2023 – Se mantém no doutorado cujo título do projeto é, “Estudo e Fabricação de Transistor BESOI para aplicação em sensoriamento de íons de Potássio (K+)” orientado pelo Prof. João Antônio Martino, como bolsista do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil, onde desenvolve as seguintes atividades, análise do comportamento elétrico de BESOI MOSFETs com porta líquida (funcionando como ISFET) na presença de soluções de cloreto de Potássio dissolvido em água deionizada.

Contato:  phduarte@usp.br