Henrique Lanfredi Carvalho
2015 - Início minha jornada no Centro Paula Souza como aluno integral na Escola Técnica Estadual (ETEC) Professor Horácio Augusto da Silveira, onde cursei o Ensino Médio e o Técnico em Mecânica, concluindo ambos em 2017.
2018 – No primeiro semestre ingresso na Faculdade de Tecnologia de São Paulo (FATEC-SP) como aluno regular, cursando Eletrônica Industrial.
2019 - Em junho, início um projeto de iniciação científica na área de Dispositivos Semicondutores, sendo meu primeiro contato com a pesquisa. O projeto foi realizado em parceria com o Laboratório de Sistemas Integráveis da Escola Politécnica da USP (LSI-USP), sob a orientação do Prof. Dr. Ricardo C. Rangel. Durante um ano e seis meses, desenvolvi o projeto intitulado “Estudo e Caracterização Elétrica de Junções Schottky para Aplicações nas Regiões de Fonte e Dreno dos Transistores BE SOI MOSFET”, que foi parte submetido ao Congresso de Iniciação Científica da FATEC/SP em 2020 e utilizado como trabalho de conclusão de curso. No decorrer do projeto, trabalhei com dispositivos como Diodos, Capacitores Integrados, MOSFETs, SOI MOSFETs e transistores avançados fabricados no Brasil.
2020 – No fim do ano, concluí meu curso de graduação e fui aprovado no exame de mestrado stricto sensu do Programa de Pós-graduação em Engenharia Elétrica da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo, com ênfase em Microeletrônica, sob a orientação do Prof. Dr. João Antônio Martino.
Durante meu mestrado na USP, desenvolvi pesquisas e publiquei trabalhos internacionais (IEEE - 2022) (ECST - 2023) sobre propostas para a melhoria do Transistor de Efeito de Campo Reconfigurável Nacional (RFET) INPI: BR 10 2015 020974 6 A2. Esses dispositivos são promissores para circuitos digitais em nós tecnológicos menores que 3 nm, além da Lei de Moore. Também contribuí em propostas de biossensores baseados em tunelamento (BE SOI Tunnel-FET).
2023 – Em março recebo o título de Mestre em Ciência pela USP.
2023 - Em setembro inicio meu doutorado em Microeletrônica na USP, orientado pelo Prof. Dr. João Antônio Martino, com foco no desenvolvimento de sensores iônicos e biológicos inovadores baseados em transistores e memórias de estado sólido. Até o momento, no doutorado, recebi menções honrosas e convites para estender um artigo.
Contato: hen.lanfredi@usp.br ou henri.lanfre@gmail.com