[특허출원] ReRAM(Resistance Random Access Memory)과 PRAM(Phase change Random Access Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory) 소자를 이용한 3차원 메모리 구조체 제조 방법 

"ReRAM(Resistance Random Access Memory)과 PRAM(Phase change Random Access Memory", 최선준, 최성진, 이승백

국내특허출원

출원번호 : 제 2009-0130343호

출원일 : 2009. 12. 24