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차세대 3차원 NAND flash 메모리 원천특허 등록 

Nov 09, 2012 

"차세대 3차원 NAND flash 메모리 원천특허 등록"

- 2015년 이후 상용화가 추진되고 있는 3차원메모리에 대한 특허를 본 연구실에서 획득하였습니다. 2011년에 출원한 특허로 삼성전자, 도시바, SK하이닉스 등 세계적인 NAND flash 메모리 업체들이 경쟁적으로 개발하고 있는 3차원 메모리 분야에서 새로운 메모리소자구조에 대한 특허를 확보함으로써 3차원메모리 분야의 leader로써의 한양대의 위상을 강화하였습니다. 

본 연구실에서 개발한 floating gate형 3차원메모리는 기존의 charge trap형 SONOS 3차원 NAND flash에 비하여 전하량을 늘리고 소자간 간섭을 줄일 수 있는 형태여서 상용화에 더 유리할 것으로 여겨져 본격적인 3차원메모리 시대를 더 앞당기게하는 기술이 될  수 있을 것입니다.

최근 기존 flash 메모리소자의 집적도 한계를 극복하기 위해서 삼성전자, SK하이닉스, 도시바 같은 메모리 분야 굴지의 대기업들이 치열한 경쟁을 벌이는 시점에서 우리연구실은 현재 3차원 메모리 관련 국내특허 4건을 확보하였고 국제특허 2 건과 국내특허 5건을 출원중에 있습니다. 이같은 특허 자산들은 향후 이 분야에서 본 연구실의 위상 뿐만아니라 나아가 차세대메모리 분야에서의 한양대의 위상을 크게 높일 수 있을 것으로 기대됩니다.