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3차원 Flash 메모리 분야 특허등록 결정 : 차세대 반도체 메모리 분야 leader로써의 한양대 위상 강화

Sep 02, 2011 

우리 실험실의 주요 연구분야중 하나인 3차원 NAND flash memory 분야에 큰 성과 하나를 소개합니다. 작년 3월 1일에 출원한 이 분야 특허중 하나인 '3차원 구조를 가지는 메모리의 제조방법' 이 특허청의 심사를 완료하고 등록이 되었습니다. 

이 특허는 왼쪽 그림에서 볼 수 있듯이 기존 3차원 메모리 구조의 고질적인 문제점중 하나인 측면 배선 구조를 위한 계단형 공간의 면적이 적층수에 따라 기하급수적으로 증가하는 것을 줄이기 위해서 오른쪽 그림처럼 측면 방향으로 동일한 면적의 계단 구조를 형성해서 불필요하게 낭비되는 면적을 획기적으로 줄일 수 있는 구조입니다.

최근 기존 2차원 구조의 한계를 극복하기 위해서 삼성전자, 하이닉스, 도시바 같은 메모리 분야 굴지의 대기업들이 치열한 경쟁을 벌이는 시점에서 우리연구실은 현재 3차원 메모리 관련 국내특허 2건을 확보하였고 국제특허 2 건과 국내특허 5건을 출원중에 있습니다. 이같은 특허 자산들은 향후 이 분야에서 우리 연구실의 위상을 크게 높일 수 있을 것으로 기대됩니다.

특허 정보는 다음과 같습니다.

- 발명의 명칭: 3차원 구조를 가지는 메모리의 제조방법

- 발명자: 이승백,오슬기,이준혁

- 출원번호: 10-2010-0054301